LABORATORIUM PRZYRZ
DÓW PÓA
PRZEWODNIKOWYCH
Temat ćwiczenia: Tranzystor polowy z izolowaną bramką - MOSFET
Cel ćwiczenia : Wyznaczanie wybranych parametrów oraz zapoznanie się z własnościami
wzmacniającymi tranzystora polowego z izolowaną bramką.
WYKAZ PRZYRZ
DÓW
" zasilacz stabilizowany x2
" woltomierz cyfrowy x2
" miliamperomierz
" generator przebiegu sinusoidalnego
" oscyloskop
POMIARY
UWAGA! Pmax = 250mW
1. Pomiar charakterystyk statycznych.
_
mA
D
G
MOS
_
UDS
S
V
UGS
R1
V
1M
+
+
Rys.1 Schemat układu do pomiaru charakterystyk statycznych
" w układzie z rys.1 zdjąć rodzinę charakterystyk wyjściowych ID=f(UDS), UGS  parametr
(dla pięciu wartości UGS od -10V do -15V),
" w układzie z rys.1 zdjąć rodzinę charakterystyk przejściowych ID=f(UGS),
UDS - parametr (-5V, -10V, -15V).
2. Pomiar charakterystyk tranzystora z obcią\
eniem w drenie.
Rd
_
mA
D
G
MOS
_
UDD
S
V
UGS
R1
V
1 M
+
+
Rys.2 Schemat układu do pomiaru charakterystyk tranzystora z obcią\
eniem
W układzie z rys.2 zmierzyć zale\
ność ID=f(UGS), UDD= -15V, RD=3k&!.
3. Pomiar wzmocnienia układu w zale\
ności od poło\
enia punktu pracy.
Rd
_
mA
D
G
MOS
_
S
C
UDD
R1
V
osc
1M
UGS
CH2
V
gen
osc
Ui CH1
+
+
Rys.3 Schemat układu do pomiaru wzmocnienia
" w układzie z rys.3 zaobserwować zmianę wzmocnienia w zale\
ności od poło\
enia
punktu pracy (Ui=0.3V, UDD= -15V). Dla wybranych czterech niezniekształconych
przebiegów zanotować amplitudę sygnału wyjściowego,
" w układzie z rys.3 zaobserwować zniekształcenia w zale\
ności od poło\
enia punktu
pracy (Ui=1V, UDD= -15V). Przerysować oscylogramy w dwóch skrajnych przypadkach
zniekształceń oraz określić optymalny punkt pracy.
OPRACOWANIE WYNIKÓW POMIARÓW
1. Na podstawie pomiarów z punktu pierwszego wykreślić charakterystyki wyjściowe
i przejściowe tranzystora polowego.
2. Na rodzinie charakterystyk wyjściowych ID=f(UDS), UGS-parametr nanieść prostą
obcią\
enia dla RD=3k&!, UDD= -15V i na tej podstawie wykreślić dynamiczną zale\
ność
ID=f(UGS), RD=3k&!, UDD= -15V.
3. Na podstawie pomiarów z punktu drugiego wykreślić zale\
ność ID=f(UGS), RD=3k&!,
UDD= -15V i porównać z charakterystyką otrzymaną w punkcie drugim opracowania
wyników.
4. Na podstawie charakterystyki otrzymanej w punkcie trzecim opracowania wyników obrać
optymalny punkt pracy pod kątem wzmocnienia układu i zniekształceń oraz porównać
z punktem pracy obranym w trakcie pomiarów. Zaznaczyć wybrany punkt pracy
z pomiarów w punkcie 3 na wszystkich charakterystykach.
5. Na podstawie wy\
ej wybranego punktu pracy obliczyć:
"ID
transkonduktancję: gm = , U - parametr ,
"UGS DS
"U
DS
rezystancję dynamiczną kanału: rDS = , UGS - parametr .
"ID
6. Dla badanego tranzystora określić napięcie progowe UT.
7. Wyznaczyć wzmocnienie napięciowe układu z pomiarow i porównać ze wzmocnieniem
obliczonym teoretycznie
8. Wnioski.
LITERATURA
" W.Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone
" R. S.C. Cobbold: Teoria i zastosowania tranzystorów polowych
" B.Streetman: Przyrządy półprzewodnikowe
" A.Filipkowski: Układy elektroniczne analogowe i cyfrowe


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
F 10 Tranzyst MOS zubożany
F 12 Parametry dynamiczne tranzystora MOS
F 8 Model warstwowy tranzystora MOS
F 14 Para komplementarna tranzystorów MOS
r01 02 popr (2)
Powstał pierwszy, stabilny tranzystor na bazie pojedynczego atomu
PPR kol popr
EW N? popr
W5 Tranzystor
Katalog tranzystorów
EDW tranzystory 07
instrukcja zura 5120 pl wer popr

więcej podobnych podstron