Image020

niczy zarówno na częstotliwość graniczną tranzystora, jak i na pojemność złącza kolektorowego oraz pojemność złącza izolującego wyspę od podłoża. W celu zmniejszenia rezystancji obszaru kolektora, bez pogorszenia innych parametrów tranzystora, wytwarza się na spodzie warstwy kolektora obszar o przewodnictwie n⁺> odznaczający się bardzo małą rezystywnością. Ta wewnętrzna warstwa n⁺ nazywa się warstwą zagrzebaną i umożliwia redukcję rezystancji obszaru kolektora o rząd wielkości. Sposób wytwarzania takich tranzystorów pokazano na rys. 1.15.

Diody. Jako diody w układach scalonych stosuje się najczęściej struktury tranzystorowe, przy czym używa się tylko jednego ze złączy tranzystora. W układach scalonych czynnikiem obniżającym koszt produkcji jest unifikacja stosowanych w nim elementów. Z ekonomicznych zatem względów, gdy w prze-

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
323 (32) Częstotliwości graniczne tranzystora bipolarnego- 323 zjawiska należy oczekiwać, że dla duż
339 (32) - 339 Częstotliwości graniczne tranzystora bipolarnego fl — częstotliwość, przy której modu
Przekaz informacji zarówno na linii przełożony — pracownik oraz pracownik -pracownik najczęściej
img239 (16) Niektóre drobnoustroje mogą przekształcać aminokwasy zarówno na drodze dcaminacji, jak i
skanuj0019 (218) 224 SPOŁECZNOŚCI LOKALNE tem działania, orientującym się w swym działaniu zarówno n
b.    Nie wpłynie zarówno na krajowe oszczędności, jak i na oszczędności publiczne c.
OMiUP t1 Gorski27 I zarówno na powierzchni wody (dzięki powolnemu przepływowi wody przez skrzynię),
IMG?65 2009 roku sygn. akt II AKz 358/09, gdzie Sąd wskazał na j^. rozstrzygnięcia zarówno na materi
zarówno na perspektywą komunikacyjno-wizerunkową produktu jako marki, jak i kontekst biznesowo-rynko
64601 Image7 (18) KonkursJak to działa? ł:i 566 96 50 Na rysunku przedstawiony jest układ z czterema
72198 skanowanie0036 Czy próbowałeś kiedyś bakłażana? Możesz go zjeść zarówno na surowo, jak i

więcej podobnych podstron