Image025

porównywalna lub nieco większa niż układów z kanałem p. Przekrój struktury tranzystora MOS z kanałem n przedstawiono na rys. 1.20.

Wszystkie podstawowe procesy technologiczne związane z wytwarzaniem układów CMOS są takie same jak w technologii wytwarzania układów p-MOS

Rys. 1.20. Struktura tranzystora MOS z kanałem n

i /j-MOS. Zwiększone trudności technologiczne wynikają z konieczności jednoczesnego wykonania w tej samej płytce półprzewodnikowej komplementarnej pary tranzystorów o określonych i dokładnie stolerowanych parametrach. Narzuca to zwiększone wymagania na jakość i dopuszczalną tolerancję parametrów niektórych procesów technologicznych. Istnieje szereg wersji technologii wytwarzania układów CMOS, różniących się między innymi stosowanymi elek-

Rys. 1.21. Struktura inwertera CMOS

trodami bramkowymi, podobnie jak w przypadku technologii MOS z kanałem jednoimiennym, metodami wprowadzania domieszek, sposobami izolacji elementów oraz stosowanymi podłożami.

Gęstość upakowania układów komplementarnych (rys. 1.21) jest oczywiście mniejsza niż układów z kanałem jednoimiennym. Technologia CMOS jest powszechnie stosowana do wytwarzania układów o małej i średniej skali integracji, ale znane są także układy LSI wykonane według tej technologii.

Należy również wspomnieć o nowych technologiach MOS, a mianowicie technologii SOS — krzem na szafirze lub spinelu. Technologia ta polega na

Rys. 1.22. Struktura tranzystora SOS

3* 35

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
82 (96) Na ogól zaleca się dobór długości rury wylotowej dla prędkości obrotowej równej lub nieco wi
Image012 stracony, co równałoby się utracie informacji. Ta właściwość struktury tranzystora MOS zost
Image012 stracony, co równałoby się utracie informacji. Ta właściwość struktury tranzystora MOS zost
skanowanie0146 o Z kartki białego papienjfflfytnij kwadrat nieco większy niż powierzchnia płyty. Zde
Nikom8 o opiera jwytny •r/dmłoplyiy Z kartki białego papieru prytnij kwadrat nieco większy niż powi
- 143 my w Szkocji aa nieco wieksze, niż w innych regionach Wielkiej Brytanii (brednie zatrudnienie
DSC27 RMS alveolare • Nieco większe niż w typie zarodkowym komórki niezróżnicowane przemieszane z
DSC28 RMS alveolare •    Nieco większe niż w typie zarodkowym komórki niezróżni
image001 Zawartość cząstek o średnicy większej niż d [%] Zawartość cząstek o średnicy mniejszej niż
skanowanie0147 : zabezpieczyć mozaikę, ri r :irat (nieco większy niż ci zi:: płyty) z
Nikom9 Teraz trzeba zabezpieczyć mozaikę. Wytnij kwadrat (nieco większy niż powierzchnia płyty
image011 (26) gówna się... £lie równa się... Większe niz... Większe mz lub równe... Mniejsze niz...

więcej podobnych podstron