Image176
+ 8 V i jednocześnie podwyższyć napięcie Ucc z +5 V do +12,5 V. Tranzystor TB zostaje wysterowany, a prąd w emiterze tranzystora TO wzrasta i połączenie 5 zostaje przepalone. W pozostałych tranzystorach prąd płynie przez rezystory Rt i R2 i połączenia nie zostają przepalone.
Podczas operacji odczytu na pierwszej pozycji słowa 0 pojawi się stan 1 (obciążenie typu otwarty kolektor), natomiast na pozostałych pozycjach tranzystory TA są wysterowane z dzielnika Ru R2 i pojawiają się stany 0.
Zastosowania pamięci ROM (PROM)
Pamięci ROM (PROM) wykorzystywane są głównie do:
— konwersji kodów,
— realizacji funkcji logicznych,
— realizacji funkcji arytmetycznych,
— realizacji generatorów funkcji,
— tablicowania funkcji,
— mikroprogramowania.
Zastosowanie pamięci stałych do realizacji transkoderów jest oczywiste. Kod wejściowy jest podawany na wejścia adresowe pamięci, w której wierszach każdemu adresowi jest przyporządkowane odpowiednie słowo kodu wyjściowego, pojawiające się na wyjściach pamięci (rys. 4.136).
Kod wyjściowy
Rys. 4.136. Pamięć ROM (PROM) w układzie transkodera
Pamięci stałe mogą być wykorzystywane do realizacji funkcji logicznych. Przykładowo, pamięć o pojemności 256 słów 4-bitowych może być zastosowana do realizacji czterech funkcji ośmiu zmiennych (8 bitów adresowych). Przez łączenie równoległe pamięci można zwiększyć liczbę wejść. Cztery pamięci o pojemności 256X4 bity umożliwiają realizację 16 funkcji 8 zmiennych. W wielu publikacjach spotyka się informację, że 8 -f- 16 bitów pamięci stałej zastępuje jedną bramkę logiczną.
Pamięci stałe mogą być wykorzystane do realizacji podstawowych operacji arytmetycznych dodawania, odejmowania, mnożenia i dzielenia. W przypadku mnożenia liczb dwójkowych część wejść adresowych pamięci zostaje przyporządkowana mnożnej, a część mnożnikowi. Kombinacja zer i jedynek słowa adresowego, utworzona przez bity mnożnej i mnożnika, wskazuje słowo w pamięci określające wartość iloczynu. Bezpośrednie generowanie wyniku iloczynu wymaga zastosowania pamięci o dużych pojemnościach. Przykładowo, pomnożenie dwu czterobitowych liczb dwójkowych wymaga pamięci o pojemności 256X8 bitów. Można jednak postępować nieco odmiennie.
186
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Ćwiczenie 5. Przetwornica dławikowa podwyższająca napięcie (8.4.2006) oraz (12)Uwe R0 Wynika z
DSC00118 (12) 2 TRANZYSTOR 2*.Z. Obwód hom nmitm Prąd płyn.fry prósz zfcąrre p-n opwufg wzór Schorit
DSC00126 (12) I. TRANZYSTOR 2A. OAmoMm pni»y»fi« Ola tranzystora NPN napięcie bazy (marzone w stosun
generat nap niesin003 Instrukcja do ćwiczenia - Generatory napięć niesinusoidalnych 3 a) b) Rys. 10.
Tranzystorowy wzmacniacz napięciowy Ucc Ucc= + 15V Rys. 3.2. Wyznaczanie punktu
CCI20131001 008 (3) c) Nie gasząc lampy ustawić P2 w położeniu B i podwyższyć napi
więcej podobnych podstron