Image526

Image526



Układy translatorów sygnałów MOS/TTL

Wyjścia układów MOS różnią się między sobą w zależności od technologii wykonania. Można wyróżnić cztery podstawowe typy wyjść:

—    otwarty dren,

—    wyjście z rezystorem dołączonym do napięcia zasilającego,

—    wyjście przeciwsobne,

—    wyjście trójstanowe.

Układ wyjściowy typu „otwarty dren” jest prostym kluczem prądowym. W stanie zatkania rezystancja tranzystora wyjściowego jest bardzo duża, natomiast w stanie przewodzenia tranzystora — rezystancja przyjmuje wartość poniżej 1 k£2. Tego rodzaju wyjściem charakteryzują się np. dynamiczne pamięci typu 1103 i 1103A. Do wyjścia pamięci dołącza się rezystor o wartości około 100 -h 1000 Q. Im mniejsza wartość rezystancji, tym mniej pogarszają się parametry dynamiczne sygnału wyjściowego, ale poziom napięciowy sygnału jest niewielki. Przykładowo, dla R0 = 100 Q poziom napięcia w stanie wysokim wynosi 180 mV (wartość typowa). Aby taki poziom napięcia odczytać w sposób prawidłowy, należy zastosować układ o dużej czułości i dużej odporności na zakłócenia, najlepiej z wejściem różnicowym.

Rys. 4.673. Układ odczytu informacji z pamięci zbudowany w oparciu

a) zbudowane z bramki TTL-L, b) zbudowane z elementów dyskretnych

Rys. 4.674. Wzmacniacze odczytu

o układ 75110


Najlepszym rozwiązaniem jest zastosowanie układu 75110. Schemat ideowy układu odczytu z zastosowaniem układu 75110 przedstawiono na rys. 4.673. Dodatkową zaletą układu jest możliwość strobowania sygnału wyjściowego, ca ułatwia odczytywanie informacji wyjściowej.

Sygnał wyjściowy z pamięci może być również odczytany przez układy, których schematy ideowe przedstawiono na rys. 4.674, ale otrzymuje się wówczas dużo gorsze parametry dynamiczne sygnału wyjściowego.

Na rysunku 4.675 przedstawiono uniwersalne układy translatorów MOS/TTL, umożliwiające współpracę z układami TTL dla ujemnych poziomów napięć sygnałów wejściowych (rys. 4.675a) i dodatnich poziomów napięć sygnałów wejściowych (rys. 4.675b). Wartości dzielników Ru R2 wylicza się biorąc pod uwagę:

—    żądany próg przełączenia tranzystora T,

—    wartość napięcia zasilania i rezystancję wyjściową układu MOS.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Image518 Układy translatorów sygnałów MOS/TTL i TTL/MOS Układy translatorów sygnałów TTL/MOS W pamię
- 72 - Rozmieszczenie układów na poszczególnyoh pakietach storownika Jest zależno od miejsca zajmowa
Poszczególne elementy układów hydraulicznych są połączone między sobą przewodami hydraulicznymi, w
Image527 Układy mogą być wykorzystywane do współpracy z elementami CMOS, RTL itp. Rys. 4.675. Transl
Image572 4.8.8. Układy wyjściowe mocyWzmacniacze mocy sterowane z bramek TTL Moc sygnału wyjściowego
Image510 4.8.2. Układy formowania i regeneracji sygnałów Układy formowania i regeneracji sygnałów
Image512 emiterowego RE. Po przełączeniu na wyjściu układu pojawia się sygnał 1, przy czym sygnał te
Image516 Jeżeli poziomy napięć sygnałów wejściowych różnią się od wymaganych dla elementów scalonych
Image517 Na rysunku 4.658 przedstawiono schemat ideowy translatora sygnałów, w którym czasy narastan
Image525 mi TTL i tranzystorami wyjściowymi. Stała czasowa RC powinna być dwukrotnie większa od szer
d). Odbiornik Przetwarza wejściowy sygnał świetlny na wyjściowy sygnał elektryczny. Są to układy
Image50 (9) Układ służy do przełączania sygnałów wejściowych (ewentualnie wyjściowych! audio. Poniew
Image512 emiterowego RE. Po przełączeniu na wyjściu układu pojawia się sygnał 1, przy czym sygnał te

więcej podobnych podstron