image 4
Dla zakresu średnich częstotliwości uproszczony schemat umożliwiający obli
czenie przedstawiono na rys. 4.6. Powstaje on przez uproszczenie rys. 4.5 w następujący sposób:
a) pojemności Cj, C2, C£ zostają zastąpione zwarciami, gdyż ich reaktancje pojemnościowe XCI, XC2, XCE są znacznie mniejsze niż rezystancje widziane z ich zacisków;
Rys. 4.6. Uproszczony schemat wzmacniacza dla zakresu średnich częstotliwości
b) pojemności C,, Cjc zastępuje się rozwarciami, gdyż reaktancje tych pojemności XCg, XCjc są bardzo duże w porównaniu z rezystancjami na ich zaciskach; wynika to z bardzo małych wartości tych pojemności;
c) rezystancja RL jest równoległym połączeniem Rc i RQ, gdyż reaktancja
*C2 - °;
d) rezystancja wejściowa Rwe = RB\rVe, gdzie: Rg = Rl\\R2, rVg = P0reb.,
e) Sm jest transkonduktancją tranzystora: gm
Na podstawie schematu z rys. 4.6 można obliczyć skuteczne wzmocnienie napięciowe dla zakresu średnich częstotliwości:
Jeżeli obliczona wartość kusQ nie jest zgodna z wartością założoną, należy powrócić do punktu 2, zmienić wartość Rc lub wybrać inny punkt pracy tranzystora.
Analogicznie można wyznaczyć skuteczne wzmocnienie prądowe zastępując napięciowe źródło sygnału — prądowym. Należy wyznaczyć k:fa0 i sprawdzić prawidłowość wzoru wiążącego i kfa0:
W zakresie małych częstotliwości istotny wpływ na pracę układu mają pojemności C,, C2, CE. Schemat zastępczy przedstawiono na rys. 4.5 (ze schematu tego należy usunąć pojemności Ce i Cjc, które nie wpływają na pracę układu w tym zakresie częstotliwości). Na podstawie takiego schematu zastępczego nie da się w prosty sposób wyznaczyć dolnej częstotliwości granicznej fd, ponieważ transmitancja jest funkcją 3-biegunową z 2 zerami w zerze i 1 zerem o niezerowej wartości (por.[ 1 ] s. 155-159). Problem ten rozwiązuje się obliczając dla każdej pojemności C wartość częstotliwości dolnej wnoszonej przez nią, z pominięciem pozostałych pojemności. Podejście to powoduje powstanie błędów obliczeniowych fd, gdyż elementy reaktancyjne przesuwają swoje bieguny i wypadkowa fd będzie inna niż obliczona tym sposobem. Częstotliwość dolną całego układu można wtedy oszacować za pomocą wzoru:
fd ~ yfdCl * fdCE +fdC2
gdzie: fdcl, fdC2, fdCE są częstotliwościami dolnymi wnoszonymi przez poszczególne pojemności w sposób podany poniżej. Wzór ten najlepiej przybliża fd, gdy poszczególne częstotliwości są od siebie oddalone.
W praktyce projektowej fd wyznacza się w trochę inny sposób. Polega on na takim dobraniu składowych fd wnoszonych przez poszczególne pojemności, aby o częstotliwości dolnej całego układu decydowała tylko jedna z nich. Najczęściej przyjmuje się fdCE jako dominującą (gdyż daje stalą czasową z najmniejszą rezystancją), natomiast dla pozostałych fdcx i fdc2 dobiera się takie C, i C2, aby fdci i fdcl były np. 10-krotnie mniejsze od fdCE. Wtedy o fd całego układu decydować będzie fdCE. Ponieważ /d(3dB) = 1/(2nRC), więc 10-krotne zwiększenie wartości pojemności C powoduje 10-krotne zmniejszenie fd. Sposób wyznaczania poszczególnych fd podano poniżej:
a) należy zastąpić zwarciami wszystkie pojemności z wyjątkiem tej, dla której wyznacza się fd\
b) patrząc z zacisków tej pojemności w stronę reszty układu należy określić rezystancję widzianą z jej zacisków;
WOŚCI DOLNEJ fd
c) wyznaczyć stałą czasową t = RC, gdzie R oznacza rezystancję wyznaczoną w punkcie b);
d) obliczyć częstotliwość dolną fd za pomocą wzoru: ^3dB) = -—
%
Zgodnie z przedstawionym algorytmem zostaną wyznaczone częstotliwości fd związane z poszczególnymi pojemnościami:
67
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
image 4 OBLICZENIE SKUTECZNEG( WZMOCNIENIA NAPIĘCIOWEGO Dla zakresu średnich częstotliwości uproszcz
08 (41) 3. MATERIAŁY NARZĘDZIOWE Pst* Uproszczony schemat podziału materiałów narzędziowych przedsta
314 (35) - 314Tranzystor bipolarny Przy uwzględnieniu tych uproszczeń schemat zastępczy ma postać pr
08 (41) „ MATERIAŁY NARZĘDZIOWE Uproszczony schemat podziału materiałów narzędziowych przedstawiono
BEZNA~24 id O") = 0,1 A Mc(0-) = 50 V Schemat obwodu po komutacji przedstawiono na rys. 8.19c.
K 381b Montaż i uruchomienie Schemat rozmieszczenia elementów został przedstawiony na rys.2. Jak wid
DSC00944 Flat m schemat podstawowej struktury pompy I przedstawiono na Rys. 3.7=4., zaś pół-przekrój
DSC00944 Flat m schemat podstawowej struktury pompy I przedstawiono na Rys. 3.7=4., zaś pół-przekrój
DSC00944 (7) Schemat podstawowej struktury pompy przedstawiono na Rys. 3.7 4., zaś pół-pr/ckrój goto
DSC00944 (7) Schemat podstawowej struktury pompy przedstawiono na Rys. 3.7 4., zaś pół-pr/ckrój goto
Rys 2. Małosygnałowy schemat zastępczy wzmacniacza w zakresie średnich częstotliwości 3. Zadane para
elektronika0001 6.Wzmacniacze w zakresie średnich częstotliwości W rozdziale przedstawiono analizę i
Image229 Schemat logiczny dekady liczącej w kodzie 8421 przedstawiono na rys. 4.230. Maksymalna częs
img117 117 Dla dużych wartości częstotliwości nośnej u>0 odstęp X jest mały, co pozwala na
Schemat zastępczy diody rzeczywistej dla stanów dynamicznych przedstawiono na rys.2. Obok elementów
więcej podobnych podstron