Elektronikawzad28
W Ciąryńłlri nt.EKTRONIKA W ZADANIACH
Częit I: Ohlicrnnie punklńw pr*cy prr>T7ądów pólpnewo<lnikow)tJi
a SEM rówma AUwf. jest odpowiedzialna za składową zmienną napięcia wyjściowego, przy czym możemy napisać:
I V = 0,I V
(1.14.8)
co odpowiadałoby przyjęciu do analizy pokazanego na rysunku 1.14.9 schematu zastępczego dla składowej zmiennej, w którym dwie stałe SEM są zwarte.
Z ostatniej zależności (lub z ostatniego schematu zastępczego, rys. 1.14.9) można wyznaczyć współczynnik stabilizacji określony jako stosunek bezwzględnych zmian napięcia wyjściowego i wejściowego:
R
eo
Rys. 1.14.9
K = roz _ _q |
A UWB rm + R 10fl+90S2
(1.14.9)
Ad 2. Dla układu z obciążeniem możemy zastosować twierdzenie Thcvcnina dla wyciętej gałęzi obciążenia i obliczyć zastępczą SEM o wartości Uvm określonej jak powyżej oraz rezystancję wewnętrzną równą równoległemu połączeniu R i rD/'-
(U 4.10)
Tak więc w zakresie stabilizacji zależność napięcie wyjściowego od prądu obciążenia wyraża następujący wzór:
(1.14.11)
Uzyskane wyniki potwierdzają poprzednie obliczenia i wyjątkowo jasno uwidoczniają
wpływ wartości na uzyskiwane parametry stabilizatora. Dla r0z = 0 mamy na podstawie zależności (1.4.10) i (1.4.11):
K=0 i Rwy = 0,
czyli układ jest idealnym stabilizatorem napięcia, w pewnym zakresie całkowicie niezależnym od wahań napięcia wejściowego i zmian rezystancji obciążenia.
Zadanie 1.15
Rys. 1.15.1
W układzie tranzystorowego stabilizatora
napięcia jak na rysunku 1.15.1 należy:
1. narysować charakterystykę obciążenia stabilizatora Uwr = f (li.) dla rezystancji obciążenia RL zmieniającej się od co do 0;
2. dobrać elementy układu pod względem maksymalnej wartości rozpraszanej mocy;
3. przeanalizować wpływ zmian napięcia zasilającego na obciążalność stabilizatora.
Rys. 1.15.2
Zakładamy, że:
- prąd kolektora tranzystora łc w stanic aktywnym nie zależy od
wartości napięcia Ucz, a granica stanu nasycenia tranzystora odpowiada napięciu Ucz, = 2,0 V; _
- złącze baza-cmitcr tranzystora znajdującego się w stanie aktywnym można zastąpić spadkiem napięcia Ubf.= 0.6 V niezależnym od wartości prądu bazy;
Rys. 1.15.3
- prądy zerowy Iceo tranzystora jest bardzo mały, możliwy do pominięcia;
- stałoprądowy współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora fi = 49;
- rezystancja dynamiczna diody Zenera rDz w obszarze przebicia może być uważana za równą zeru dla prądu diody przekraczającego wartość 2 mA. Spadek napięcia na diodzie wynosi wtedy 5,6 V i nie zależy od prądu diody. W zakresie prądów mniejszych od 2 mA napięcie na diodzie spada i przy prądzie równym zeru osiąga 5,4 V.
Rozwiązanie
Ad 1. Przy braku obciążenia, tzn. dla Ri. = <a prąd bazy
tranzystora nie płynie, a więc cały prąd lR płynący przez rezystor R przepływa także przez diodę Zenera. Przy oznaczeniach jak na rysunku mamy:
_ 10-5,6 V
200 n
= 22 mA
R
Prąd ten jest większy od 2 mA, a zatem powyżej słusznie przyjęto r0z = 0. Potencjał bazy tranzystora wynosi 5,6 V, a „wiszący w powietrzu” emiter tranzystora ma potencjał nieokreślony. Tranzystor jest podłączony do układu tylko jako spolaryzowane zaporowo złącze kolektor - baza, którego prąd wsteczny jest możliwy do pominięcia.
Jeśli teraz podłączymy jakiekolwiek obciążenie Rl, popłynie prąd emitera tranzystora If. i odpowiadający mu prąd bazy Ib, na spolaryzowanym w kierunku przewodzenia złączu baza-emiter pojawi się napięcie U be = 0,6 V i napięcie na wyjściu układu
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Elektronikawzad02 W CiąftyfoM TA EKTRONTKA W ZADANIACH Czcić I Obliczanie punktów pracy przyrządów
Elektronikawzad47 w. Cioski ni.EKTRONIKA W ZADANIACH Oęść 2: AiiaJisi wpływu rminn ICTtpCfHuy aa pra
Elektronikawzad65 w. Ci^zymki r.l.EKTRONIKA W ZADANIACH Czfić 2. Aiuliza wpływu Troinn temperatury d
Elektronika W Zad cz 2 6 w Ciązynski FJ-EKTRONIKA W ZADANIACH Część 3- Analiza malosygnałuwa ukła
Elektronika W Zad cz 3 4 w Ciązyński - Ei-EKTRONIKA W ZADANIACH Część 5 Idealne wzmacniacze opera
skrypt009 (2) Laboratorium Podstaw Elektrotechniki 1LA m«Jn zu zadanie wytworzenie tzw. momentu zwro
Image8 Elektrotechnika Ib Egzamin z Matematyki — Zadania 3 lutego 1999 1. (a)
ściowo elektroniczny (sumowanie pobudzeń), a jego zadaniem było rozpoznawanie znaków alfanumerycznyc
egzamin 2 Grupa B Nazwa Windows oznacza 32-bitowy system oparty na architekturze NT Jeteh w zadaniu
Elektronikawzad26 W. Cię»yń»lri El.F.KTR0N1KA W ZADANIACH Część 1: Obliczanie punktów pracy prryr7H(
Elektronikawzad56 W. Ctązyfelci FI.PKTRONIKA W ZADANIACH C«!>C 2: Analiza wpływu zmian trmpcratii
Elektronikawzad57 W. ciąjyński - ŁJ-fcKTRONfKA W ZADANIACH C»(li 2: Analiza wpływu zmian temperatury
Elektronikawzad58 W CUtymki FT.FKTRONIK A W ZADANIACH Częić 2: Aralia wpływu zmian fcmpemury im p<
Elektronikawzad67 W. Ciążyńnki PT.EX7K0NIKA W ZADANIACH CTętó 2: Aiulua wpływu nriian tcmpctiluiy na
Elektronikawzad70 W. Ciąiyński Pl.F.KTRONlKA W ZADANIACH Czętć 2 AiuJui wpływu rmian temperatury na
Elektronikawzad77 w C Iłży teki - fcLKKTRONIKA W ZADANIACH Część 2: Analiza wptywi zmian temperami)
IILesniewskiA2 PODSTAWY ELEKTRONIKI — KOLOKWIUM II Tema! A Zadanie I. Wyznaczyć wartości prądów we w
więcej podobnych podstron