Elektronika W Zad cz 2 0

Elektronika W Zad cz 2 0



W CiąiyńjŁ, _ ELEKTRONIKA W ZADANIACH Cj*44 3 . An»lia malo»ygnolo»u uktadow pólptzewodnikmych


Powiedzmy jeszcze w tym miejscu wyraźnie, że oczywiście możemy potraktować rezystor Rc jako obciążenie naszego wzmacniacza i do obliczenia wzmocnienia wykorzystać ogólniejszy wzór Nr I z tabeli W3.7, ale wtedy należy usunąć admitancję Yc z macierzy układu. Wyniki uzyskiwane przy obydwu podejściach są identyczne.

Ad 2. Rezystancję wejściową obliczamy ze wzoru Nr 6 w tabeli W3.7:

(3.11.12) A

gdzie: A to wyznacznik pełnej macierzy układu:

A -(Ye + yiibHyc + V22b)~ Ym,' Yitb

= (2 mS + 83,7 mS) ■ (2 mS + 0.201 mS) - (-0,201 mS) (-83,0 mS) (3.11.13) = (188,6-16.7)(m5)2 =17l,9(mS)J


Otrzymujemy zatem:

(-1 )'" (YC +Y2u) _ Yę+y™ _ 2,201 mS _ ^ £ ^ A    A 171,9 (mS)2


Ru* -■


(3.11.14)


Ad 3. Wzmocnienie prądowe liczone wg wzoru Nr 3 z tabeli W3.7:

K-, 4"


(3.11.15)


ZŁA +A3j

musiałoby być równe zeru wobec Ze= Rl = a>. Jest to oczywiste, gdyż prąd wyjściowy układu nie płynie. Powyżej w rozwiązaniu 1 obliczyliśmy wzmocnienie prądowe dla sytuacji, gdy to rezystor Rc stanowi obciążenie tranzystora. Aby powtórzyć obecnie to obliczenie metodą macierzy admitancyjnej musimy spowodować, aby rezystor Rc był elementem zewnętrznym układu. Musimy usunąć jego admitancję z macierzy układu, która wtedy przybiera postać:


© (E)

© (C)


© (E)    © (C)

YE + Vm,

V I2h

V2lb

V22h

Rys. 3.11.8 Macierz admitancyjna układu po wyprowadzeniu na zewnątrz rezystora Rc


Wtedy prąd i2 staje się prądem obciążenia, a wzmocnienie prądowe wynosi:

k _ A,3    _

ZłA + A22        0    ■*"3'ti»)

__- (-83,0) mS__

~ 0.5 H2[(2 + 83,7) mS-0,201 ;«5-(-0,201 mS) •(-83,0mS)]+(2+ 83.7) mS


_8^0_

0.5(85.7 • 0,201 - 0,201 ■ 83,0] + 85,7


83,0

0,27 + 85,7


= 0,965


(3.11.16)


Ad 4. Rezystancję wyjściową obliczamy już „patrząc” z zacisku wyjściowego wzmacniacza (a więc powracamy do macierzy z rysunku 3.11.7 obejmującej rezystor

W Ciąźyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza małosygnałowa układów półprzewodnikowych

(3.1 U 7)


Rc) wykorzystaniu wzoru Nr 8 z tabeli W3.7, uwzględniając wewnętrzną źródła napięcia wejściowego R, = 0:

^    ^.^22 +A|I.H _ ^11,21

T_ /?.A + A„ ~ A„

gdzie: Au. 22= 1. gdyż jest to (zawsze dodatni) podwyznacznik powstały przez skreślenie pierwszego wiersza i pierwszej kolumny, a następnie drugiego wiersza i drugiej kolumny macierzy (a więc w naszym przypadku wszystkich elementów macierzy).

Mamy więc:

R'" =A^= (-l)w(Yc + ynlt) ~ 2 mS + 201pó = 454 Q    (3.11.18)

Ad 5. W tabeli W3.7 nie podano oddzielnego wzoru określającego wzmocnienie mocy, ale stosując metodę macierzy admitancyjnej zawsze możemy je obliczyć jako iloczyn w'artości wzmocnienia napięciowego i wzmocnienia prądowego. Ponieważ w naszym przypadku wszystkie parametry obliczone w rozwiązaniu 2 są bardzo zbliżone do odpowiednich wartości uzyskanych w rozwiązaniu I, uzyskana wartość wzmocnienia mocy jest także podobna.

Wzmacniacz napiecioww

Na rysunku pokazano schemat zastępczy wzmacniacza napięciowego, pozwalający na zdefiniowanie jego podstawowych parametrów. Dla SEM źródła napięcia wejściowego em wzmacniacz przedstawia sobą pewną rezystancję, którą można określić jako rezystancję wejściową Rwe.


Napięcie uwe panujące na wejściu wzmacniacza jest dostępne na jego zaciskach wyjściowych pomnożone przez współczynnik wzmocnienia napięciowego kuczyli jako SEM o wartości ku u„, ale poprzez pewną rezystancję wewnętrzną, która ma sens fizykalny rezystancji wyjściowej wzmacniacza Rw).

Idealny wzmacniacz napięciowy to taki, którego rezystancja wejściowa jest bardzo duża (najlepiej /?„, = <»), a rezystancja wyjściowa jest bardzo mała (najlepiej /?,,v = 0). Taki wzmacniacz nie obciąża źródła napięcia wejściowego (prąd wejściowy nie płynie, napięcie wejściowe jest równe SEM źródła eKr), a napięcie wyjściowe nie zależy od rezystancji obciążenia Rl-

Każdy wzmacniacz rzeczywisty może być prądowy lub napięciowy.

-59-


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciąiyńskl-ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliwoś
Elektronika W Zad cz 2 4 w Ciąiyński - F.LEKTRONIKA W ZADANIACH Clfii 3 Anuli/,i m.lojyiiniilowu
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciąłyśaki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza maloiygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 4 W. Ciąiyńiki _ ELEKTRONIKA W ZADANIACH Cme 3 Aniliz, malosygiulowa ukWów
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Cżętż 1 Analiżu malosygnąłuwa ukła
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciązynskt ELEKTRONIKA W ZADANIACH Ceęic 3 Analiza malosygnnlowa układó
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciązynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3; Analiza malosyynałowa ukł
Elektronika W Zad cz 2 0 w Cią?yAski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza mnlojygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 3 w Ciąiyńjki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4: Charakterystyki częstotli
Elektronika W Zad cz 2 5 w Ciąiyńikl - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 0 w CiążyAski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4: Charakterystyki częstotli
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciązyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki crtstotlrw
Elektronika W Zad cz 2 0 W. Ciązyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charaktery styk i częstot
Elektronika W Zad cz 2 4 W Ciąiyński-ELEKTRONIKA W ZADANIACH Cjtęić 4 Charakterystyki częstotliwo
Elektronika W Zad cz 2 0 Rys. 3.22.8 © (B) Rys. 3.22.10 Postać liczbowa macierzy admitancyjncj z
Elektronika W Zad cz 2 4 W C.ążyńsk. ■ ELEKTKONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza malosygnalown ukła
Elektronika W Zad cz 2 9 W Ctązyfokt ELEKTKONIKA W ZADANIACH Czcić 3 Analiza mnlosygnalowa układó
Elektronika W Zad cz 3 4 w Ciązyński - Ei-EKTRONIKA W ZADANIACH Część 5 Idealne wzmacniacze opera
Elektronika W Zad cz 3 0 W Ciąiyńjki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH C /ęść 5 Idealne wzmacniacze opera

więcej podobnych podstron