Elektronika W Zad cz 2 9

Elektronika W Zad cz 2 9



W Ciązynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH

Część 4 Charakterystyki częstotliwościowe ukiadów elektronicznych

Zadanie 4.16

Na wejście wzmacniacza z rysunku 4.16.1 podaje się przebieg sinusoidalny o częstotliwości zmienianej w zakresie 1 kHz do 10 MHz i stałej amplitudzie t/w„ = 5mV. Zachowanie tranzystora dla sygnałów o małej


częstotliwości małosygnałowe rzeczywistych: y,i = 1 mS; y>2i =100 mS; Przy wyższych


opisują typu y


yi2 = 0 mS; y22 = 0 mS. częstotliwościach


należy


parametry

wartościach


uwzględnić pojemności pomiędzy wyprowadzeniami tranzystora, które wynoszą


Cbc = 100 pF oraz Cbc = 1 nF.

Impedancje kondensatorów sprzęgających Cs można przyjąć jako równe zeru w całym zakresie częstotliwości sygnału wejściowego (tzn. każdy z tych kondensatorów można uważać za zwarcie).

Wzmacniacz pracuje w stanie biegu jałowego, bez zewnętrznego obciążenia (czyli traktujemy rezystor Rc jako jedyne obciążenie tranzystora).


Należy wyznaczyć 3 dB-ową częstotliwość graniczną transmitancji napięciowej wzmacniacza.

Rozwiązanie


Schemat zastępczy analizowanego układu dla sygnału uw ma postać jak na rysunku 4.16.2. Kondensator sprzęgający C, zgodnie z warunkami zadania jest na tyle duży, że nawet dla najniższych częstotliwości zwiera bazę tranzystora z wejściem. Pojemność Cbc i admitancja Yb rezystora obwodu polaryzacji bazy okazują się włączone równolegle do wejścia, a zatem należy    Rys. 4.16.2

oczekiwać, że nie będą wpływać na wartość

wzmocnienia (napięcie uwr pochodzące ze źródła o charakterze SEM od tych elementów nie zależy, pobierają one tylko ze źródła sygnału dodatkowy prąd). Drugi kondensator sprzęgający C, zapewnia zwarcie zacisku wyjściowego z kolektorem tranzystora.

Dla małych częstotliwości sygnału, przy których możemy zaniedbać pojemność Cbc wykorzystanie podanej w tabeli W3.3 zależności określającej wzmocnienie napięciowe dla konfiguracji WE daje wzmocnienie maksymalne:

-y* i

-lOOmS

y-n+Yc

(0 +1) mS

-100 - y2iRc


(4.16.1)

Przy takim wzmocnieniu i amplitudzie sygnału wejściowego 5 mV napięcie wyjściowe ma amplitudę 0,5 V. Wzmacniacz może być jeszcze uznany za układ

liniowy, czyli można mieć nadzieję, że - pod warunkiem właściwego pracy tranzystora - napięcie wyjściowe nie będzie zniekształcone.

powered by

.Mi siol


Przy wyższych częstotliwościach maleje impedancja związana z pojemnością Cbc, czyli pojawia się ujemne sprzężenie zwrotne pomiędzy kolektorem i bazą tranzystora. Sprzężenie jest ujemne (gdyż napięcie wyjściowe jest odwrócone w fazie względem wejściowego), ma charakter równoległy (gdyż na bazie następuje sumowanie prądu wejściowego i prądu sprzężenia zwrotnego) i napięciowy (gdyż prąd sprzężenia zwrotnego zależy od napięcia wyjściowego). Można byłoby oczekiwać, że pojawieniu się tego sprzężenia będzie towarzyszyć spadek wzmocnienia.

Analizę schematu zastępczego z rysunku 4.16.2 przeprowadzimy metodą macierzy admitancyjnej. Macierz otrzymaną dla przyjętej numeracji węzłów przedstawia rysunek 4.16.3, a jej postać liczbową (gdzie wszystkie admitancje wyrażono w mS) na rysunku 4.16.4.

® (B)

®(C)

®(B)

®(C)

jwCcs+jwCir+Yii+y 11

■jcoCt,

-jcoCc + y2i

JCoCbc +1c

Rys. 4.16.3 Macierz admitancyjna układu z rysunku 4.16.2


Wzmocnienie obliczamy ze znanej zależności:


a„ (-i)lłl(j(i)Ck+yc)


( jtoCjy + ,V;i) _ y2,Rc (1    / y2,)

1 + jiORęCfc


(4.16.2)


®(C)

®(B)

®(C)

+1,005

->io-'

-Jarl 0+100

ja> 10‘'+ 1

Rys. 4.16.4 Postać liczbowa macierzy admitancyjnej z rysunku 4.16.3

Dla niskich częstotliwości pomijając w liczniku i mianowniku składniki zawierające co otrzymujemy wartość wzmocnienia ku „m, która dokładnie pokrywa się z uzyskaną powyżej (wyrażenie 4.16.1). Zwróćmy też uwagę na fakt, że zgodnie z oczekiwaniami wzmocnienie napięciowe nie zależy ani od pojemności Cbc ani od admitancji polaryzacji bazy Yb-

Moduł transmitancji wynikający z wyrażenia (4.16.2) dla częstotliwości granicznej fo jest mniejszy od kumax o 3 dB, czyli wynosi:

Rc


i+e


>21


yll+(co0RcC^)1 2


^u max _ ,V;|/?C

fi


(4.16.3)


Otrzymujemy więc zależność:

I


l+(^o£bę_y

y2i    _ i

t/i+K-RcC*)2 ^2


-217-

1

(4.16.4)

która po kolejnych przekształceniach przybiera postać:

2

+ 2(^^)2=1 + ((00/?cC*)j    (4.16.5)

y*

(w0C^Ar2 --^j] = 1    (4.16.6)


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Elektronika W Zad cz 2 9 W Ciązyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 6 w Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 2 w Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 1 W Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 2 W. Ciążynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotli
Elektronika W Zad cz 2 6 W Ciązynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4: Charakterystykj częstotli
Elektronika W Zad cz 2 8 W Ciązyńskl - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 9 W Cięzynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 5 W Ciązyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 6 W Ciązyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część A Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 3 w Ciąiyńjki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4: Charakterystyki częstotli
Elektronika W Zad cz 2 7 W CiąĄróki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Częsc 4 Charakterystyki częstotliwo
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciąiyńskl-ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliwoś
Elektronika W Zad cz 2 3 w Ciąjyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4: Charakterystyki częstotli
Elektronika W Zad cz 2 5 w Ciąiyńikl - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 6 W Cinżyńslci - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotli
Elektronika W Zad cz 2 0 w CiążyAski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4: Charakterystyki częstotli
Elektronika W Zad cz 2 1 w Ciątyński- ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstoti iw
Elektronika W Zad cz 2 4 w CiążyAski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw

więcej podobnych podstron