Elektronika W Zad cz 2 1

Elektronika W Zad cz 2 1



W Ciązyiiskł - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część A Charakterystyki częstotliwościowe układów elektronicznych

, - 1 0    271    271VZc '


27tVlF


1

10~3H1010_,C


106

= — Hz = 15,9 kHz 2071


(4.17.2)


Ad 2. Na podstawie powyższych uwag i schematu zastępczego możemy napisać wyrażenie na amplitudę prądu obciążenia w warunkach zwarcia wyjścia wzmacniacza:

(4.17.3)


!mma = 8m^m = 5 mS-0,1 V =0,5 mA

Ad 3. Zmiana wartości rezystancji Rs oznacza zmianę punktu pracy tranzystora na jego charakterystyce przejściowej i wyjściowej. W tranzystorach polowych wartość transkonduktancji gm zależy od prądu drenu. Często przyjmujemy, że charakterystyka przejściowa lp = f(UGs) (dla stałego napięcia UDS jako parametru) może być aproksymowana parabolą. Wtedy transkonduktancja gm jako nachylenie tej charakterystyki (pochodna funkcji aproksymującej) w punkcie pracy będzie funkcją liniową prądu drenu. A więc właściwie założenie stałości parametrów gm i gds oznacza, że w nowym punkcie pracy prąd drenu jest taki sam, lub różni się tylko nieznacznie. Zmiana wartości rezystancji Rs, o której mowa w temacie zadania wymagałaby dla zachowania stałego prądu drenu korekty wartości napięcia zasilającego tranzystor. W każdym razie, gdyby udało się zachować nie zmienioną wartość gm prąd lmmax wystąpiłby przy takiej samej częstotliwości sygnału równej 15,9 kHz i miałby, jak wynika z równania (4.17.3), taką samą wartość 0,5 mA.

Zmiana wartości rezystancji RD nie powoduje zmiany prądu drenu, a tylko przy stałym prądzie zmianę spadku napięcia 1dRd a zatem napięcia U os- Nawet znaczne zmniejszenie (jak w temacie o połowę) lub niewielki wzrost wartości Rp nie ma wpływoi na prąd lmmax, który wystąpiłby przy takiej samej częstotliwości sygnału równej 15,9 kHz i miałby taką samą wartość 0,5 mA, jeśli tylko tranzystor pozostałby w pentodowym obszarze charakterystyk wyjściowych (tzn. w' obszarze, w którym prąd drenu nie zależy od napięcia Udś).

Jakościową zmianę powoduje dopiero Rp = 0, gdyż wtedy podział prądu o wartości g,„Um =0,5 mA pomiędzy dwie zwarte gałęzie (jedna do obwodu zasilacza, a druga przez obwód rezonansu szeregowego) byłby niemożliwy do określenia.

Postać trygonometryczna liczby zespolonej

Jest to przedstawienie punktu płaszczyzny odpowiadającego liczbie zespolonej we współrzędnych biegunowych.

Każdą liczbę zespoloną można przedstawić w postaci: z =|z| [cos<p + ysintp]

gdzie liczba rzeczywista |z| jest modułem (wartością bezwzględną) liczby zespolonej, a liczba <p jest jednym z jej argumentów.


Przykład: Liczbę zespoloną z = 3-y3>/3 można przedstawić w postaci

trygonometrycznej jako z = 6(^-j^) = 6[cos(-^) + ;sin(-y)], z której wynika

że moduł liczby (długość odpowiadającego jej wektora na płaszczyźnie zespolonej) wynosi 6, a jej argument główny to —tc/3 radianów, czyli -60°.


W Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliwościowe układów elektronicznych

powered by

Mi sio!


Zadanie 4.18


Na rysunku 4.18.1 pokazano układ z tranzystorem bipolarnym npn obciążonym obwodem równoległym LC, znany w literaturze jako „generator z dzieloną pojemnością” (generator Colpittsa). Pojemność tworząca obwód to szeregowe połączenie dwu kondensatorów C/ i C2. Z punktu wspólnego tych kondensatorów poprowadzono sprzężenie zwrotne na emiter tranzystora. Zachowanie tranzystora w punkcie pracy opisują parametry małosygnałowe typu y o wartościach rzeczywistych: yn = 1 mS; yn = 0 mS; y2i = 100 mS; yn = 0 mS.

Dla pokazanego układu należy:

1.    obliczyć częstotliwość fo drgań sinusoidalnych, które mogą samorzutnie powstać w tym układzie;

tranzystorem o podanych


2.    obliczyć minimalną wartość rezystancji R, przy której z parametrach drgania powstaną.

Rozwiązanie

dla


Ad 1. Schemat zastępczy analizowanego układu dla składowej zmiennej ma postać jak na rysunku 4.18.2. Tranzystor pracuje w konfiguracji WB, a schemat ma tylko dwa węzły. Układ może być generatorem, pod warunkiem że wyznacznik jego macierzy admitancyjnej przyjmuje wartość zerową.

Macierz admitancyjną uzyskaną przy oznaczeniach admitancji podanych na schemacie zastępczym w nawiasach i przyjętej tam numeracji węzłów pokazano na rysunku 4.18.3.

©(C)__® (E)

Y2+ yl

-Y2 - yn

-Y2

Y+Yi + Y2 + yu + y2i

Rys. 4.18.3 Macierz admitancyjna układu generatora z rysunku 4.18.2

Warunek, aby wyznacznik macierzy admitancyjnej był równy zeru przyjmuje po uproszczeniu postać:

Y,.(Y + Y,+Yi + y„ + y21) + Tj(T + K, + y„) = 0    (4.18.1)

Po podstawieniu wartości admitancji otrzymujemy wyrażenie zespolone o postaci:

——r(Y + ytoC, + ycoC, + y„ + y2,) + j<oC2 (Y + ycoC, + yM) = 0    (4.18.2)

jaL

Wyrażenie zespolone przyjmuje wartość zerową wtedy, gdy zarówno jego część rzeczywista jak i część urojona przyjmują oddzielnie wartości zerowe. Tak więc spełnienie warunku (4.18.2) jest równoważne jednoczesnemu spełnieniu dwu warunków. Pierwszy z nich odpowiadający zerowej wartości części urojonej wyznacznika macierzy admitancyjnej, nazywany “warunkiem amplitudy” ma postać:

-221-


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Elektronika W Zad cz 2 1 W Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 6 w Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 2 w Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 3 w Ciąiyńjki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4: Charakterystyki częstotli
Elektronika W Zad cz 2 7 W CiąĄróki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Częsc 4 Charakterystyki częstotliwo
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciąiyńskl-ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliwoś
Elektronika W Zad cz 2 2 W. Ciążynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotli
Elektronika W Zad cz 2 3 w Ciąjyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4: Charakterystyki częstotli
Elektronika W Zad cz 2 5 w Ciąiyńikl - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 6 W Cinżyńslci - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotli
Elektronika W Zad cz 2 9 W Ciązyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 0 w CiążyAski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4: Charakterystyki częstotli
Elektronika W Zad cz 2 4 w CiążyAski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 6 W Ciązynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4: Charakterystykj częstotli
Elektronika W Zad cz 2 7 W Cią/ynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 9 W Cięzynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 2 w Ciątyński-ELEKTRONIKA w ZADANIACH Część 4: Charakterystyki częstotliwo
Elektronika W Zad cz 2 5 W Ciązyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 3 W. CiAżyhski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotli

więcej podobnych podstron