Laboratorium Elektroniki cz I 4

Laboratorium Elektroniki cz I 4



44

1.2.10. Tranzystor w połączeniach diodowych

W bipolarnych układach scalonych ze względów technologicznych nie wykonuje się diod p-n w tradycyjnej postaci. Najczęściej wykorzystuje się gotowe struktury tranzystorów bipolarnych, odpowiednio zwierając ich elektrody. Istnieje pięć możli-

Rys. 1.9. Tranzystor w połączeniach diodowych (1) - lE = o, (2) • lc = 0, (3) • Uce =    (4) ■ Ucc = 0,

(5) - UBE = O

Ipowered by

Misiol

wości zrealizowania w ren sposoo aiody (rys. 1.9). Każda z taK uzysKanyćlHJJoćH^^^™ siada nieco inne właściwości, zebrane w tablicy 1.1.

Tablica 1.1

Diodowe połączenia tranzystora bipolarnego

WIELKOŚĆ

Ie = o

lc = 0

U CE = 0

o

ii

£

3

Ube = 0

UF [V]

0,60

0,68

0,60

0,67

0,60

Ubr [V]

20-60

6-7

6-7

6-7

20-60

Ir [fiA]

0,1

5

5

5

0,1

Trr [ns]

100

50-70

50-70

5-15

50-70

1.3. Tematy sprawdzające

1.    Przedstawić model pasmowy złącza p-n i omówić proces polaryzacji tego złącza.

2.    Przedstawić model pasmowy złącza p+-n+ i omówić proces polaryzacji tego złącza.

3.    Przedstawić i omówić małosygnałowy model diody ze złączem p-n.

4.    Wyjaśnić mechanizmy przebicia złącza p-n.

5.    Przedstawić i wyjaśnić zasadę działania diody Schottky’ego.

6.    Porównać właściwości diod wykonanych z krzemu, germanu i arsenku galu.

7.    Wymienić, zdefiniować i omówić najważniejsze parametry techniczne służące do opisu właściwości diod półprzewodnikowych.

8 Wymienić, zdefiniować i omówić najważniejsze parametry techniczne służące do opisu właściwości diod uniwersalnych.

9.    Przedstawić problemy związane z charakterystyką prądowo-napięciową diody półprzewodnikowej.

10.    Jakie właściwości posiada tranzystor wykorzystywany jako dioda?


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz I 4 104 7.    Dla tranzystora z wyprowadzonym podłożem
85932 Laboratorium Elektroniki cz I 4 104 7.    Dla tranzystora z wyprowadzonym pod
Laboratorium Elektroniki cz II 1 120 • Ismin — minimalny prąd diody stabilizacyjnej, wynikający z
74410 Laboratorium Elektroniki cz I 4 184 6.    Czy wartości czasów przełączeń diod
Laboratorium Elektroniki cz I 4 64 4.    W. Golde: Wzmacniacze tranzystorowe. WNT,
Laboratorium Elektroniki cz I 8 19 Z 10.5.3. Badanie tranzystora BDP 620 (tranzystor krzemowy epil
Laboratorium Elektroniki cz I 8 19Z 10.5.3. Badanie tranzystora BDP 620 (tranzystor krzemowy epila

więcej podobnych podstron