Laboratorium Elektroniki cz I 5

Laboratorium Elektroniki cz I 5



66

U BE — <Pt I11 _


Ib + lcs(l~oti) + 1Es(1~ctN)


(3.1)


•esO ~ aN ) + Ics(I

•c ~ ~•Ics(I-al) +


tB+JcsCI-a^ + lĘsO-aN)


1


Pn [h


,'VP|


-Ug

(Pr


w,Tj


exp


-Ug

<Pt


(3.2)


gdzie: Ics - prąd nasycenia złącza kolektorowego,

•es - prąd nasycenia złącza emiterowego,

•co = lcs(1 • ciąOh)    Ieo = IesO - Ot)On).

Poniżej przedstawiono i omówiono wszystkie cztery charakterystyki.

Charakterystyki wejściowe

Rys 3 1 Charakterystyki wejściowe tranzystora w układzie OB


Złącze emiterowe znajdujące się na wejściu tranzystora w stanie aktywnym jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia. W związku z tym charakterystyka tego złącza ma kształt logarytmiczny (równanie (3.1)), analogiczny do charakterystyki napię-

ciowo-prądowej złącza p-n. Odpowiednie przekształcenie równania ( d0 wyrażenia na prąd lB:

exp

1-

1

/"

UJ

CD

O

V--

+ Ics(l-a,)

exp

r~UcEl 1

l ‘Pt J J

‘Pt J J


W rzeczywistym tranzystorze charakterystyki wejściowe nie przechodzą przez początek układu współrzędnych. Dokładna analiza równań (3.1) i (3.3) prowadzi do tego samego wyniku, a mianowicie:

UBE = 0, Uce > 0; wówczas zeruje się pierwszy człon równania (3.3), a prąd bazy przyjmuje pewną wartość ujemną lB < 0 daną członem tego równania;

lB = 0, Uce > 0; wówczas analiza równania (3.1) prowadzi do wniosku, że napięcie UBe > 0.

Fizyczne wyjaśnienie tego zjawiska jest następujące: w bazie tranzystora generują się pary elektron-dziura; następnie elektrony są usuwane przez złącze kolektorowe, a pozostające dziury tworzą w bazie ładunek przestrzenny polaryzujący w nieznacznym stopniu złącze emiterowe w kierunku przewodzenia.

Badanie charakterystyki wejściowej (rys. 3.1) wykazuje istnienie zależności jej przebiegu od wartości napięcia Uce- Tak więc przy stałym prądzie bazy lB wzrost bezwzględnej wartości napięcia Uce powoduje wzrost napięcia UBe lub przy utrzymywaniu stałej wartości napięcia na bazie UBB obserwujemy zmniejszanie prądu bazy lB. Zjawisko to wywołane jest efektem modulacji szerokości bazy tranzystora. Przy wzroście napięcia Uce następuje spadek efektywnej szerokości bazy, a tym samym maleje ilość rekombinujących nośników prądu, co prowadzi do wspomnianego efektu.

Charakterystyki wyjściowe (rys. 3.2)

Tranzystor znajduje się w normalnym stanie aktywnym, gdy napięcie Uce S Ubb. W tej sytuacji równanie (3.2) upraszcza się do postaci:

lc = PnIb + lcs(1 * cciHPn + Pi * 1)    (3.4)

Zakres ten powinien więc charakteryzować się stałą wartością prądu kolektora dla danej wartości prądu bazy lB niezależnie od wartości napięcia Uce-


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
70100 Laboratorium Elektroniki cz I 5 66 U BE “ <Pt ln 1B + ^CS (1 ” al)f    aN)
Laboratorium Elektroniki cz I 5 246 Dla klucza K otwartego mamy: U 0 = KUU, £ Dla klucza K zwarteg
Laboratorium Elektroniki cz I 5 126 30°
Laboratorium Elektroniki cz I 5 461.4.    Aparatura pomiarowa Do pomiarów charakter
Laboratorium Elektroniki cz I 5 166 anodowy, a następnie po kilku ns załączymy go ponownie, to, je
Laboratorium Elektroniki cz I 5 186 Przebiegi te ustawiamy, wykorzystując niezależne od siebie reg

więcej podobnych podstron