Laboratorium Elektroniki cz I 8
19 Z
10.5.3. Badanie tranzystora BDP 620 (tranzystor krzemowy epilanarny, dużej mocy, małej częstotliwości), dla którego Uceoit»x = 60 V, lCmax = 15 A (pa. rametry graniczne)
Pomiary parametrów hnei hi2e, h2te, h^e dla dwóch punktów pracy:
Pi[Ucei=25V, lCi=25mA] (P = 625 mW)
P2[UCE2 = 5 V, lC2 = 10 mA] (P = 50 mW)
10.6. Tematy do opracowania
1. Na podstawie zmierzonych wartości w punktach 10.5.2a i 10.5.3 obliczyć parametry r schematu zastępczego tranzystora.
2. Sporządzić wykresy na podstawie pomiarów wykonanych w punkcie 10.5.2b.
3. Sformułować uwagi na temat pomiarów i zaobserwowanych ograniczeń oraz na temat uzyskanych wyników i ich dokładności.
4. Uzasadnić analitycznie uzyskaną odwrotnie proporcjonalną zależność parametru hne od prądu kolektora lc (a zatem i prądu bazy lB).
5. Porównać zmierzone wartości parametrów z wartościami wyznaczonymi w innym ćwiczeniu z charakterystyk statycznych (jeśli mierzono ten sam tranzystor).
10.7. Literatura
1. Instrukcja obsługi miernika parametrów h tranzystorów typu P-561.
2. S. Malzacher, A. Błaszkowski: Elektronika. Cz. I. Elementy układów elektronicznych. Skrypt Pol. Sl. nr 951, Gliwice 1981.
3. K. Badźmirowski, J. Kołodziejski, L. Spiralski, E. Stolarski: Miernictwo elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. WKŁ, Warszawa 1984, s. 177-187.
4. R. Paul: Technika pomiarów tranzystorów. WKŁ, Warszawa 1973, s. 122-125.
5. E. Stolarski: Miernictwo tranzystorowe. WNT, Warszawa 1972, s. 103-112.
powered by
Mi siol
Ćwiczenie 11
tranzystorowy wzmacniacz rezystancyjny małej
CZĘSTOTLIWOŚCI
11.1. Cel ćwiczenia
Celem ćwiczenia jest praktyczna ilustracja podstawowych własności typowego wzmacniacza zbudowanego przy użyciu tranzystora bipolarnego: wpływu punktu pracy tranzystora i doboru elementów na parametry i charakterystyki wzmacniacza oraz roli ujemnego sprzężenia zwrotnego.
11.2. Wprowadzenie
Wzmacniaczem rezystancyjnym (oporowym) nazywamy wzmacniacz z rezystorem włączonym pomiędzy źródło zasilania a elektrodę wyjściową, którą w przypadku tranzystora bipolarnego jest kolektor. Spoczynkowy punkt pracy tranzystora jest wyznaczony i utrzymywany za pomocą odpowiednich obwodów zasilania i stabilizacji.
11.2.1. Wiadomości podstawowe o wzmacniaczu rezystancyjnym
W układzie wzmacniacza rezystancyjnego tranzystor bipolarny może pracować w trzech podstawowych konfiguracjach: ze wspólną bazą (OB), ze wspólnym emiterem (OE) oraz wspólnym kolektorem (OC). Podstawowe parametry wzmacniacza dla tych konfiguracji tranzystora zamieszczono w tablicy 11.1 (patrz także rys. 11.1). Dla ułatwienia analizy zależności przedstawionych w tablicy 11.1 zamieszczono ich graficzną interpretację na rys. 11.2 dla typowego tranzystora bipolarnego (hne = 2 k£i, fhze = 8 10'4, h2ie» 200, h22e «* 35 pS). Na tej podstawie dokonano jakościowej oceny Właściwości poszczególnych układów, uzyskując następujące wnioski:
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz I 8 19Z 10.5.3. Badanie tranzystora BDP 620 (tranzystor krzemowy epila
Laboratorium Elektroniki cz I 4 44 1.2.10. Tranzystor w połączeniach diodowych W bipolarnych układ
Laboratorium Elektroniki cz I 8 172 leży doprowadzić do bramki prąd Igt i zwiększyć prąd tyrystora
więcej podobnych podstron