ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 112 113

ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 112 113



112 EUktromka.Zbi6r nadań

ur    _4 j _ Ri(UpD~Uss)


Rsloss ksjdss    (ri *rt)rs^dss


UP - -0,24 V .


(drugi pierwiastek -4,16V). Prąd ID obliczamy z równania

- 7,74 mA .


Z obwodu drenu i źródła obliczamy

uds= UDD-W*S +*o)-Uss^W V-

c. Sprawdzamy zakres pracy tranzystora

UcD^os-^DS=-^^<Up-

Zatem tranzystor pracuje w zakresie nasycenia—użycie równania (5.1) jest uzasadnione,

d. Obliczamy moc

P - IDUDS = 35 mW.

e. Transkonduktancję gm obliczamy z definicji, wzór (5.2):

gm = 8,8mS .

f. Szkic schematu zastępczego malosygnałowego jest przedstawiony na Rys. 5.19.

5.1 Dla układu z Rys. 5.6.

a.    Napięcie odcięcia jest ujemne dla tranzystora z kanałem typu n Up--2 V.

b.    Zakładamy iż prąd bramki jest pomijalnie mały, zaś tranzystor znajduje się w stanic nasycenia. Zatem prąd drenu i źródła mają praktycznie takie same wartości, oraz na podstawie schematu można zapisać


2

Z tego równania obliczamy Uas

rS\!dss rs\1dss


UF Up


2


Up - -0,593 V .


Zatem

/D= —(/oj/R^-4,94 mA.

Na podstawie obwodu drenu i źródła

"os- Udd- Wi+%+^d)=4,23 v.

C. Sprawdzamy zakres pracy tranzystora

Ugd~Vgs~Vds~ 6,2 < Up.

Zatem tranzystor pracuje w zakresie nasycenia—użycie równania (5.1) jest uzasadnione.

d.    Moc obliczamy ze wzoru

P - Wm - 21 mW.

e.    Transkonduktancję gm obliczamy z definicji, wzór (5.2):

im * 7mS

f.    Szkic schematu zastępczego małosygnalowego jest przedstawiony na Rys. 5.20.

G    D

Ry». 5.20. Małosygnałowy schemat zastępczy układów z Rys. 5.6, Rys. 5.7, Rys. 5.12


5.1


Dla układu z Rys. 5.7.

a.    Napięcie odcięcia jest ujemne dla tranzystora z kanałem typu n UP= —5 V.

b.    Zakładamy iż prąd bramki jest pomijalnie mały, zaś tranzystor znajduje się w stanie nasycenia. Zatem prąd drenu i źródła maja praktycznie takie same wartości. Na podstawie schematu można zapisać

ugs~ksi!d “ ~ks\1dss Z tego równania obliczamy


1--


U,


GS


U,

GS

7. vr _

UP

^ -4l

11- =

_ Rs^dss

RSllDSS

rs\!dss

2 r

tp— Ugs^si 6,94 mA.

Zatem

Na podstawie obwodu drenu i źródła

Uds= Udd-'d(*si +*S2+*D)-<^=7.93 V.

c. Sprawdzamy zakres pracy tranzystora


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 100 101 100 EUktromka. Zbiór zadań moż
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 34 35 34 EUktronik*. 124** ***** rz -
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 104 105 104 EUktronika. Z2kór zadań Da
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 118 119 118 EUktropika.Zbiór zadań P *
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 110 111 110 EUktronika. Zbiór zadań UW
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 38 39 r 38 EU*trvmkm.ZMr o*Łw »« U -4-
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 58 59 58 ElctotnaJk*. 2Mir imiaA fn--!
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 60 61 D J»4f ud«4a/c d tiamkooduktancj
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 62 63 62 62 rwrottya totafclarwyiii t-
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 102 103 102 Elektronika. Złń ór zadań
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 106 107 106 Elektronika. Zbiór zadań 1
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 108 109 108 EUJaromka. Zbiór zadań5.4.
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 110 111 110 Elektronika. Zbiór zadań U
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 114 115 114 Elthronika-Zbiór zadań Uqq
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 116 117 116 Elektronika. Zbiór zadań 2

więcej podobnych podstron