Teoria 3
ROZKURWAM
FOREVER NA ZAMSZE
6, TREŚCI PROGRAMOWE
|
lp. |
Semestr I |
liczba godzin | ||||
|
temat/tematyka zająć |
wkł. |
ćw. |
lab. |
prj. |
sem. | |
|
1 |
Podstawowe elementy elektroniczne. Diody, tranzystory bipolarne i unipolarne |
6 |
4 | |||
|
2 |
Bramki logiczne diodowe, DTL i inwertor CMOS |
2 |
4 | |||
|
3 |
Bramki logiczne TTL. Skale scalenia układów elektronicznych (SSI, MSI, LSI, VLSI, GLSI) |
2 |
4 | |||
|
4 |
Układy logiczne CMOS (bramki logiczne, koder/dekoder, multiplekser, sumator 1-bitowy) |
2 | ||||
|
5 |
Przerzutniki (rodzaje) i ich zastosowania (rejestry, liczniki, pamięci statyczne). |
2 |
4 | |||
|
Razem |
14 |
16 | ||||
Tranzystor - półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału. Dzielimy je na bipolarne i unipolarne.
Tranzystory bipolarne - najczęściej wykonane z krzemu, rzadziej z germanu. Rozróżniamy:
* Tranzystor NPN
* Tranzystor PNP
Tranzystory unipolarne (FET) dzielimy na:
* Złączowe JFET
* Z Izolowana bramka (MOSFET)
Ze względu na rodzaj charakterystyki prądowo napięciowej rozróżniamy tranzystory:
* z kanałem wzbogacanym - normalnie wyłączone, kanał otworzy sie dopiero, gdy napięcie progowe przekroczy charakterystyczna wartość Ut (Napięcie progowe)
* z kanałem zubożanym - normalnie włączone, tzn. istnieje kanał przy zerowym napięciu.
Tranzystor Bipolarny - składa sie z trzech Obszarów półprzewodnika o przeciwnym typie przewodnictwa, co powoduje powstanie dwóch złączy: PN i NP. Każdy z trzech obszarów ma swoja nazwę - baza, emiter, kolektor.
Tranzystor bipolarny PNP Emiter
Baza o-^
Kolektor
Tranzystor bipolarny NPN Emiter
Baza o-^
Kolektor
Tranzystor unipolarny (MOSFET) ■ tranzystor o strukturze: metal, tlenek, półprzewodnik. Przepływ prądu następuję pomiędzy zrodlem i drenem przez tzw. kanał. Sterowanie prądem następuję poprzez zmianę napięcia bramka-zrodlo. Rozróżniamy dwa typy tranzystorów MOS: *Z kanałem zubożanym (z kanałem wbudowanym) - normalnie włączone, tj. takie, w których istnieje kanał przy zerowym napięciu bramka-zrodlo *Z kanałem wzbogacanym (z kanałem indukowanym) - normalnie wyłączone - kanał tworzy sie dopiero, gdy napięcie bramka-zrodlo przekroczy charakterystyczna wartość Ut (napięcie progowe).
Symbol graficzny tranzystora unipolarnego MOSFET:
z kanałem zubożanym
|
: |
)ren ) |
I |
)ren | ||
|
B |
p |
B |
p | ||
|
r a |
u , d - 1 o |
r a |
o =-; d ] | ||
|
m |
z |
m |
o z | ||
|
k |
e |
k |
e | ||
|
a |
Zrodlo |
a |
Zrodlo | ||
|
z kanałem typu P |
z kanałem typu N | ||||
z kanałem wzbogacanym Dren
a
Dren
Zrodlo
z kanałem typu P
z kanałem typu N
CMOS - technologia wytwarzania układów cyfrowych, składających sie z tranzystorów MOS o przeciwnym typie przewodnictwa (PMOSI NMOS) połączonych w takich sposob, ze w ustalonym stanie logicznym przewodzi tylko jeden z nich.
Inwerter CMOS zbudowany jest z dwóch tranzystorów. Jeden z kanałem typu N (NMOS) drugi z kanałem typu P (PMOS).
Przy zerowym napięciu Ugs= 0 żaden tranzystor nie przewodzi (U® - naplecie bramka-zrodlo)
Charakterystyki inwertera CMOS
cc
Pi
u.
h
h
u
O
Uh
N
ss
Charakterystyka przejściowa i poboru prądu
34
zab. - zablokowany; n.n. - nienasycony; nas. - nasycony Tabelka prawdy inwerbera CMOS
|
A |
U i \V] |
U„ \V] |
F = A |
|
0 |
0 V |
5 v |
1 |
|
1 |
5 v |
0,01 V |
0 |
Gdy napięcie wejściowe Ui = Ugs jest równe 0. tranzystor Tn (NMOS) jest wyłączony.
Dla tranzystora Tp (PMOS) napięcie Ugs = -Udd. zatem Tp (PMOS) jest włączony.
Napięcie wyjściowe jest rowrne napięciu Udd. co oznacza stan 1.
Gdy napięcie wejściowe jest dodatnie, tranzystor Tn (NMOS) jest wdaczony. a Tp (PMOS) wyłączony. Napięcie wyjsciowre jest rowrne 0V, co oznacza stan 0.
Charakterystyka tranzystorów MOSFET z kanałem wbudowanym (zubożanym):
typu N
zamknięcie
kanału
typuP
Charakterystyka tranzystorów MOSFET z kanałem indukowanym (wzbogacanym):
typu N
typuP
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Teoria 2 ROZKURWAMFOREVER NA ZAWSZE 6. TREŚCI PROGRAMOWE lp. Semestr I liczba godzin temat/tematy
Teoria 1 1.ROZKURWAMFOREVER NA ZAMSZE 6. TREŚCI PROGRAMOWE Ip. Semestr I liczba godzin temat/tema
Treści programowe: Semestr II Lp. Zagadnienia Liczba godzin Odniesienie do EKP
Treści programowe: Semestr IV_ Lp. Zagadnienia Liczba godzin Odniesienie do EKP
Treści programowe: Semestr IV_ Lp. Zagadnienia Liczba godzin Odniesienie do
Treści programowe: Semestr I_ Lp. Zagadnienia Liczba godzin Odniesienie do EKP
Treści programowe: Semestr I_ Lp. Zagadnienia Liczba godzin Odniesienie do EKP
Treści programowe: Semestr II_ Lp. Zagadnienia Liczba godzin Odniesienie do EKP
Semestr III Lp. Zagadnienia Liczba godzin W C L 1. Zajęcia na statku podczas praktyki
TREŚCI PROGRAMOWE Lp. Treści
Tik sylabus 6. TREŚCI PROGRAMOWE Ip. Semestr II licz ba god zin temat/tematyka
wprowadzenie Konkurencyjność przedsiębiorstw Treści programowe: Lp. Tematy zajęć 1 Konkurencja i
Sylabus: Medyczne czynności ratunkowe III rok Treści programowe Lp. Treść wykładu V
Wykład - 30 godzin (13) Treści programowe LP. Treści merytoryczne Liczba godzin 1. Wstępny
Treści programowe Lp. Treści merytoryczne przedmiotu -
SAM93 1. Treści programowe Lp. Tematyka zajęć Opis szczegółowych bloków tematycznych V
więcej podobnych podstron