img057 (39)

nazwa

parametr

jednostka wartość przyjmowana

IS

prąd nasycenia

A

O \—1

BF

współczynnik wzmocnienia prądowego P

_

100

NF

prądowy współczynnik emisji

-

1

VAF

napięcie Early'ego

V

OO

ISE

prąd upływu złącza B-E

A

0

BR

rewersyjny współczynnik wzmocnienia prądowego P

—

1

NR

rewersyjny prądowy współczynnik emisji

—

1

VAR

rewersyj ne napięcie Early'ego

V

OO

ISC

prąd upływu złącza B-C

A

0

RB

rezystancja bazy

Q

0

RE

rezystancja emitera

Q

0

RC

rezystancja kolektora

Q

0

TF

czas przełączania, przy pracy normalnej

s

0

PFT

nadmiar fazy , przy częstotliwości 1/2teTF

deg

0

TR

czas przełączania , przy pracy rewersyj nej

s

0

EG

szerokość przerwy energetycznej półprzewodnika

eV

1.11

TRANZYSTOR UNIPOLARNY JFET

Model ten jest wzorowany na modelu Shichmana-Hodgesa i może być określony przez 12

parametrów. Najważniejsze z nich to: nazwa parametr

jednostka

wartość przyjmowana

VTO

napięcie progowe

V

-2

BETA

parametr transkonduktancji

A/V

l₀-4

LAMBDA parametr modulacji długości kanału

1/V

0

VRD

rezystancja drenu

Q

0

RS

rezystancja źródła

Q

0

CGS

pojemność złącza G-S

F

0

CGD

pojemność złącza G-B

F

0

PB

potencja! złącza bramki

V

1

IS

prąd nasycenia złącza bramki

A

10-14