Laboratorium Elektroniki cz I 3
202
Rys. 11.5. Wzmacniacz rezystancyjny OE ze sprzężeniem emiterowym
Poniżej zestawiono podstawowe parametry takiego wzmacniacza wyposażonego w sprzężenie emiterowe.
Wzmocnienie napięciowe kuf
Sprzężenie emiterowe powoduje zmniejszanie wzmocnienia napięciowego do wartości danej wzorem:
kuf =
-1
1 + k
R
R
Ile
1
RclIRo RcllR0 ^21e RcllR0 h
+ n22e
(11.9)
2 lc
W przypadku silnego sprzężenia zwrotnego, tzn. gdy spełniony jest warunek:
RE»^[(Rc||Ro)h22e+l] = -^
“2Ie "21e
otrzymujemy w przybliżeniu zależność:
kuf =
~ RpRę ___.
RE(R0 + Rc) R
Rq=
:oo
Dla wzmacniacza nieobciążonego (R0 = wzmocnienie napięciowe zależy tylko od stosunku rezystorów kolektorowego i emiterowego. Jak widać, uzyskano w tym przypadku zupełne uniezależnienie się od parametrów tranzystora, a więc też od ich zmian!
Warunek silnego sprzężenia zwrotnego dla typowego tranzystora (patrz p. 11.2.1) oznacza, że rezystor Re » 10 £2, np. 100 £2, co jest łatwe do spełnienia.
Wzmocnienie prądowe Ku
Wzmocnienie prądowe Ku wzmacniacza po zamknięciu pętli sprzężenia zwrotnego nie ulega zmianie: Kjf = k*.
Rezystancja wejściowa Rwef
Oddziaływanie sprzężenia emiterowego objawia się poprzez wzrost wartości rezystancji wejściowej wzmacniacza tyle razy, ile razy obniżyło się wzmocnienie napięciowe:
/
\
-hlle + h21eRE
Rwef Rwe
W przypadku silnego sprzężenia zwrotnego drugi człon wyrażenia (11.11) ma decydującą wartość i Rwei = h2ieRE-
Rezystancja wyjściowa Rwyt
Sprzężenie emiterowe powoduje wzrost rezystancji wyjściowej wzmacniacza:
= R
j + _ h2teRE
\
** ' hne + RG;
dany w przypadku silnego sprzężenia za pomocą wyrażenia:
(11.13)
W sytuacji gdy rezystor kolektorowy Rc » 0, to faktyczna rezystancja wyjściowa powstaje z równoległego połączenia Rwyt II Rc- W sytuacji silnego sprzężenia zwrotnego Rwyt» Rc i wówczas rezystancja wyjściowa dąży do wartości Rc.
fys. 11.6. Tranzystor w układzie OE z impedancją ZE w obwodzie emitera można zastąpić tranzystorem z rezystancją wejściową powiększoną o impedancję poZE(hnl = h, ,e + h21.ZE)
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz I 3 202 b) Rys. 11.5 Wzmacniacz rezystancyjny OE ze sprzężeniem emiter
Laboratorium Elektroniki cz I 5 206 O Rys. 11.8. Tranzystor w układzie OE ze sprzężeniem kolektoro
Laboratorium Elektroniki cz I 4 204 204 rr,a
Laboratorium Elektroniki cz I 1 198 Rys. 11.4. Analiza pracy tranzystorowego wzmacniacza rezystanc
Laboratorium Elektroniki cz I 5 206 w PMany na Rys. 11.8. Tranzystor w układzie OE ze sprzężeniem
Laboratorium Elektroniki cz I 2 120 Rys. 6.7. Zależność prądu fotoelektrycznego fotodiody lF od na
Laboratorium Elektroniki cz I 3 122 • sprawność ą zawierająca się w granicach od 3 do 15% (6.21) g
więcej podobnych podstron