P1010016 (13)
poStdynczmgo ak fu gen O racji powstaje para nośników o lok tron -- dziura. Właściwość t* ea każdy czysty natarła! półprzewodm , Jcowy o n łoza burzonej ocrukcurza krystalicznej . Półprzewodniki takie nazywany saaoistnyml. W ćwiczeniu badamy właónlo alek -tryczne właściwości soaolscnego kryształu geroanu.
Rys .18.5. Dwuwymisrowy aodol alocl kryscalioznaJ eaaolacnego gorwenui
• ) elektrony walencyjne w paśmlo podstawowym; b) dziura w paśmie podstawowym; c) elektron w posolą przewodnictwa. Strzałka pokazuje Ceralezno generacje nośników ładunku
wielkości* fizyczne określając* ilość nośników ładunku jeet ich koncentracja. I tok koncentracje swobodnych elektro -nów (n) nazywany liczb* elektronów w peśnio przewodntetwa przy-padaj«c9 na Jednoeck* objętości ciała, a koncentraoje dziur (p) nazywamy liczb* dziur w paśale wolsncyjnym M Jednostce objgtości ciała. Szczegółowa teoria samoistnych Półprzewodników pokezuje Ze koncentracje nośników ładunku wykładniczo rosnę z tempera tur* (T)
gdzie: k - o cała Bcltzmsnna; h - otała Plancka;
- tzw. aasy efektywne dla elekt renu ł dziury - Ceny* półprzewodniku.
Pojecie apsy efektywnej wprowadza się - tecrit półprze -wodników do opisu ruchu elektronu be dl dziury ■ okręt 1=-nyn polu kryształu. Nośnik ładunku w tyw polu Jeet eieje-ca»l hamowany, alejscaal przyspieszany. .Ha* jednak pa — trzęeych na zjawisko z Zewnętrz interesuje jaki ;c-»- i'»1-ni efekt togo ruchu uwidaczniający ei; właśnie w ns:» ofoktywnoj. Takie podejście pozwala traktować nośnik ładunku Jako swobodny i stosować do niego reone gazu doskonałego. Ola przykładu w geraanle e* - 1.6 e#. a «* -• 0.3A sie. gdzie *# - jest sos* swobodnego elekrrp-w. Wyotgpujęcy we wzorze (18.1) ekspotencjeł decyduje s oa.-dsc szybki* wzrośolo koncentracji nośników ładunku s reapereturg. celów praktycznych wzór tan aoZna zapisać w postaci
p - n - nó «p [- ~f ]
gdzie nQ nołoay traktować jako stałe nlazaletne od taeparatury.
18.1.3. Przewodnictwo półprzewodników 33 bo istnych
Jeżeli do półprzawodnike przyłożymy pewno stałe napięcia, to w wyniku przysploezojecego działanie tego zewnętrznego pola elektrycznogo oraz hamującego oddziaływania ze strukturę aieei. kryształu, ustali si* pewna średnlo prędkość ruchu nośników ładunku w kierunku pola.
Gęstość prądu w półprzewodnikach. Jak wynika z definicji taj wielkości, wyniosła w ogólnya przypadku
3 - c(nvn • pvp)
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
15572 P1010032 (13) 60 60 Rys. 1.8. Schemat spawania metodą w prawo: 2 - palnik, 3 - otwór (oczko) -
13 12 2007b fu Jmlcie /normcJutjcU Js/iCjij jD/?nkr - Ipi -•
P1010013 (3) 13. Które z niżej wymienionych zmian skórnych są następstwem zakażeni
70880 P1010012 (13) Dziecko może przyjmować pozycję dowolną lub przymusową, która nie zawsze wynika&
77090 P1010069 (13) 1. FILTROWANIE Zasada metody - filtracja poprzez sterylne filtry o porach od 0.2
save0021 (13) 0 J n ff *rG-fu*rę^ j Qfv -"O f Cs . i ~cr 9
test2str1 Test Al 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13. 14.15. 16. Węgiel w gwiazdach powstaje
18951 P1010003 (13) ■ OPARZENIA *♦* w wieku 1-2 lata skłonności badawcze sprzyjają kontaktowi z gorą
str0001 Gen R warunkuje kształt różyczkowy grzebienia, a jego allel r — pojedynczy, natomiast gen P
więcej podobnych podstron