Laboratorium Elektroniki cz I 9

Laboratorium Elektroniki cz I 9



54

2.2.2. Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie OB Charakterystyki wejściowe (rys. 2.3)

Złącze baza emiter znajdujące się na wejściu tranzystora jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia. W związku z tym kształt charakterystyki wejściowej tranzystora (rys. 2.3) jest analogiczny do charakterystyki napięciowo-prądowej złącza p-n. Jest to zależność logarytmiczna, co wynika też wprost z postaci analitycznej równania (2.1). Po odpowiednim przekształceniu równania (2.1) otrzymamy wyrażenie na prąd Je płynący przez złącze p-n baza-emiter:

*e ” *es exP


U


EB


<Pt


-1


CXIICS


exp


U


CB


<pT J


-1


(2.3)


gdzie: Ies - prąd nasycenia złącza baza-emiter powiązany z prądem zerowym tego złącza,

Ieo = Ies (1 - oti ccn).

Z równania tego wynika istnienie pewnego rzeczywiście obserwowanego zjawiska polegającego na tym, że dla napięcia UEb = 0 prąd | lB I >0, gdy Ucb * 0. Istnienie tego prądu wymusza spadek napięcia na rezystancji rozproszonej bazy rbb wywołany przepływem prądu zerowego lCo złącza baza-kolektor.

Rys. 2.3. Charakterystyki wejściowe tranzystora w układzie OB


I powered by

| Mi siół

Zmiany położenia charakterystyki Ueb = f(le) dla różnych wartośYarpręcra™GB?-są spowodowane istnieniem zjawiska modulacji efektywnej szerokości bazy. Zjawisko to powoduje fakt wzrostu prądu emitera Ie pomimo zachowania stałej wartości napięcia Ueb przy wzroście napięcia Ucb. Jest to więc efekt oddziaływania zwrotnego w tranzystorze. Jest on związany z dyfuzyjnym mechanizmem transportu nośników prądu w bazie. W związku z tym efekty tego zjawiska są bardzo widoczne w tranzystorach dyfuzyjnych. W tranzystorach dryftowych oddziaływanie zwrotne jest mniejsze o około rząd wartości, a jego istnienie wynika z drugorzędnego zjawiska dyfuzji nośników zachodzącego równolegle z podstawowym mechanizmem transportu dryftowego.

Charakterystyki wyjściowe (rys. 2.4)

Złącze baza-kolektor znajdujące się na wyjściu tranzystora jest spolaryzowane w kierunku zaporowym (Ucb < 0). W tej sytuacji drugi człon równania (2.2) jest pomi-jalnie mały i prąd kolektora lc = ocnIe jest wprost proporcjonalny do prądu emitera i nie zależy od napięcia kolektor-baza Ucb- W przypadku gdy współczynnik ocn = const, to zależność jest liniowa! Gdy prąd emitera Ie = 0, złącze emiterowe nie wstrzykuje nośników ładunku do bazy, wówczas prąd kolektora jest równy prądowi zaporowemu złącza baza-kolektor. Po spolaryzowaniu złącza emiterowego w kierunku przewodzenia ( Ucb > 0) obydwa składniki równania (2.2) zaczynają być porównywalne.

Rys. 2.4. Charakterystyki wyjściowe tranzystora w układzie OB

20 (V)



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz I 9 74 3.2.3. Parametry małosygnałowe tranzystora w układzie OE Defini
Laboratorium Elektroniki cz I 9 74 3.2.3. Parametry małosygnałowe tranzystora w układzie OE 74 Def
Laboratorium Elektroniki cz I 9 54 2.2.2. Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie OB Char
Laboratorium Elektroniki cz I 9 174 Zająć i wykreślić charakterystykę tiG = fOcr) dla dwóch różnyc
Laboratorium Elektroniki cz I 9 154 Rys. 7.13. Dryft napięcia emiter - baza UEb w funkcji temperat
Laboratorium Elektroniki cz I 9 174 Zająć i wykreślić charakterystykę tiG = fOcr) dla dwóch różnyc
Laboratorium Elektroniki cz I 9 34 1.    parametry charakterystyczne - są to optyma
Laboratorium Elektroniki cz I 7 70 Charakterystki zwrotne tranzystora rzeczywistego wykazują istni
Laboratorium Elektroniki cz I 9 94 - kanał typu n - UDs > O, Ugs i 0, UBs ś 0, - kanał typu p -
Laboratorium Elektroniki cz I 9 134 Rys. 6.21. Układ pomiarowy do wyznaczania charakterystyk wyjśc
Laboratorium Elektroniki cz I 9 174 Zająć i wykreślić charakterystykę tiG = f(lGT) dla dwóch różny

więcej podobnych podstron