Slajd14 (121)
Charakterystyki tranzystora potowego
Na rysunku a) przedstawiona jest c h arak te ry styka wyjściowa Id(1'ds) tranzystora MOSFET z kanałem typu n. którego struktura przedstawiona jest na tys. na poprzednim slajdzie.
Cały obszar charakterystyki wyjściowej można podzielić na dwie części: obszar nasycenia i obszar nienasycenia (liniowy). Na rys. a) obszary te są rozdzielone niebieską linią, której kształt przypomina parabolę.
W obszarze nasycenia tranzystor połowy zachowuje się jak bardzo dobry element transkonduktancyjny. tzn. taki dla którego prąd ID jest praktycznie stały dla różnych napięć lD5. Natomiast dla małych wartości UD£, czyli w obszarze nienasycenia, zachowuje się on jak rezystor, tzn. ID jest proporcjonalny do Ure.
Oczywiście dla obu obszarów prąd drenu ID jest funkcją napięcia bramka-źródło l'cs. a ściślej rzecz biorąc jest funkcją różnicy (l’GS- t'p). gdzie l'p jest napięciem progowym. Obszar liniowy, w którym prąd drenu jest prawie proporcjonalny do UD£, rozciąga się od UDS=0V do UD£= UD£ ..t,. Na prawo od UD£v.2 charakterystyki prądu drenu ID biegną prawie poziomo.
Charakterystyki przejściowe dla różnych typów tranzystorów
przedstawione są na rys. b).
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
64601 Image7 (18) KonkursJak to działa? ł:i 566 96 50 Na rysunku przedstawiony jest układ z czterema
71386 Image185 (2) KonkursJak to działa? tZAS Na rysunku przedstawiony jest układ z jednym tranzysto
Image7 (19) ■ Konkurs + 12VJak to działa? Na rysunku przedstawiony jest prosty układ z jednym tranzy
Image125 ■ KonkursJak to działa? LI 100pH Na rysunku przedstawiony jest układ z dwoma tranzystorami&
Image128 (3) ■ KonkursJak to działa? Na rysunku przedstawiony jest układ z trzema tranzystorami. Jak
Image125 (2) KonkursJak to działa? Na rysunku przedstawiony jest układ z tranzystorem MOSFET. Jak zw
247 (48) 247Konstrukcja i technologia tranzystora bipolarnego Na rysunku 5.7 przedstawiono rozkłady
więcej podobnych podstron