spektroskopia044
88
Jeżeli znana jest funkcja dielektryczna warstwy et oraz podłoża, to możemy wyznaczyć grubość warstwy dv Dokonujemy tego w następujący sposób. Obliczamy funkcję efektywną <8>obI stosując metodę trzech ośrodków (próżnia —warstwa —podłoże), uznając grubość warstwy dt za parametr i korzystając z zależności (9.1) i (9.2). Następnie szukamy minimum funkcji | <s) — <«)0bi I (gdzie (s) — wyznaczona z pomiarów funkcja dielektryczna układu) ze względu na parametr dt dla całego zakresu pomiarowego. Jeżeli znamy grubość warstwy i funkcję dielektryczną podłoża, to do obliczenia funkcji dielektrycznej warstwy a, stosujemy analogiczną procedurę. W ogólnym przypadku, gdy nie znamy wartości e, i dt zagadnienie staje się znacznie trudniejsze, ponieważ mierząc dwa parametry do wyznaczenia mamy trzy. W takiej sytuacji możemy uzyskać jedynie orientacyjne, przybliżone rezultaty, opierając się na założeniach, że wartość £, dla warstw o tej samej grubości powinna być podobna; część rzeczywista Ims, dla energii mniejszych od przerwy energetycznej EG powinna być mała; przejścia optyczne charakterystyczne dla podłoża nie powinny być widoczne w £[(&>). Sprawa komplikuje się jeszcze bardziej, kiedy między warstwą a podłożem tworzy się warstwa przejściowa.
Jeżeli warstwa jest bardzo cienka, to stosuje się przybliżony wzór
[27]
(9.6)
gdzie F.p — funkcja dielektryczna podłoża.
Wyrażenie to może być wykorzystane do wyznaczenia £,. Wzór ten jest słuszny dla warstw o grubościach rzędu 1 nm i cieńszych.
Opisaną procedurę zastosowano do wyznaczania parametrów bardzo cienkiej warstwy InP. Rysunek 50 przedstawia zależność części urojonej Im<8> dla InP o grubości 2 nm naniesionej na warstwę InGaAs o grubości 1,5 pm. Przebieg spektralny Im<s) powyżej energii 2,5 eV dla warstwy jest bardzo zbliżony do przebiegu dla litego InP. Nieznaczne przesunięcie w kierunku niższych energii wskazuje na niewielką zawartość arsenu w warstwie.
Kolejnym przykładem jest warstwa CdS naniesiona na podłoże z InP. Tego typu struktury (dopasowane sieciowo) mają zastosowanie do wytwarzania niebiesko świecących diod. Mimo że lity CdS ma
Rys. 50. Część urojona funkq'i dielektrycznej bardzo cienkiej warstwy InP naniesionej na warstwę InGaAs o grubości 1,5 nm — linia ciągła. Linią przerywaną zaznaczono funkcję dielektryczną litego InP [28]
Rys. 51. Porównanie spektralnych zależności części urojonej e, warstwy CdS naniesionej na InP. Wynik obliczeń dla warstwy o grubości d, — 23 nm pokrywa się z danymi
eksperymentalnymi [29]
ma strukturę heksagonalną, cienka warstwa tego związku naniesiona epitaksjalnie na kubiczny InP ma strukturę kubiczną blendy cynkowej. Funkcja dielektryczna kubicznego CdS różni się od wyznaczonej dla zwykłego heksagonalnego materiału. Dlatego w pierwszym etapie należy wyznaczyć zależność £, dla warstwy o znanej grubości. Dys-
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
W przypadku jeżeli znana jest historia stosowania głowicy, uprzednio wyznaczone kąty głowicy nie pow
Klasyczne profilowanie oporności Pole elektryczne jest określone, jeżeli znana jest wartość potencja
2 (1916) Na podstawie wzoru (1) , po jego przekształceniu, można obliczyć moduł sprężystości E, jeże
10 (27) 178 9. Funkcje wielu zmiennych Jeżeli/jest funkcją rzeczywistą o dziedzinie (a, b) <= Rl
IMG27 Jeżeli tp« jest funkcją własną, a liczba a„ wartością własną operatora A, przyporządkowanego
IMAG0127 88 V Jeżeli wojno jest hańbą - j out hańbą cywil i/jmji p> tdt iu , kim. Zwolennicy cywi
35 (88) Jeżeli obszar D jest kołem o promieniu b i o środku (0,0), to wprowadzając współrzędne biegu
44ĆWICZENIE NR 155 Ćwiczenie należy wykonać tak jak poprzednio. Jeżeli znana jest mnemo-technika, pr
Obraz6 (4) 138 a następnie wartość M,. Jeżeli zarejestrowana jest funkcja ciągła n(t), to po oblicz
Wyznaczanie stałej równowagi teakcp *- + * 3 metodą podziału Jeżeli znana jest war
39233 skan069 (2) Str. 5 r Ćwiczenie nr 6 Jeżeli znana jest powierzchnia S zajmowana przez zaadsorbo
IMGA64 (2) wodów do obaw, jeżeli rodzic jest zazdrosny, bo mimo 1 wszelkich wywoływanych przez to, p
więcej podobnych podstron