Laboratorium Elektroniki cz I 9

3.2.3. Parametry małosygnałowe tranzystora w układzie OE

Definicje mieszanych parametrów czwórnikowych tranzystora pracującego w układzie OE podano niżej:

- impedancja wejściowa przy zwartym wyjściu

AU,

hlle ”

— dlaAU_CE = 0 i =const

- admitancja wyjściowa przy rozwartym wejściu

^h22e AU

— dla AI_b = 0 i I_B = const CE

- współczynnik oddziaływania wstecznego przy rozwartym wejściu

AU,

^h,2e AU

— dla AI₀ = 0 i I_B = const CE

- współczynnik wzmocnienia prądowego przy zwartym wyjściu

^h21e = P = TT ^dlaAUCE ^{= 0} ‘ ^UCE = ^{C0nst m}B

Na rys. 3.7 przedstawiono elektryczny schemat zastępczy dla parametrów h^ oraz fizyczny schemat zastępczy typu „hybryd-n”. Zależności umożliwiające wzajemne obliczanie elementów obu modeli są następujące:

g = - transkonduktancja

<P_T

. _ P _ ^12e^21e

^rb’e - ^— r- ‘

g- h

22e

rezystancja złącza B' - E

r_b-_c = ^h21<! - rezystancja złącza B' - C

h,2_e 8

g_Ce = h22e - konduktancja wyjściowa

hl1e = Ibb* + ^be

(3.5)

^12e “

^rbc

^rbe + ^rbc

h - -

ⁿ 2lb -

= P

hii_e

Mi sio!

Rys. 3.7. Elektryczne schematy zastępcze tranzystora w układzie OE: a) model czwórnikowy dla parametrów mieszanych, b) model typu „hybryd-fl"

b)

Pomiędzy modelami dla układu OB przedstawionymi w ćwiczeniu nr. 2 a zaprezentowanymi powyżej modelami dla układu OE istnieją ścisłe zależności. Zależności te dla modelu mieszanego mają następującą postać:

I lb

_ ¹¹ ile

^ ⁺ ^2lc hlie^22e

I2b

21b

22b

1 + h

21c

2lc

1 + h

2 lc

(3-6)

_ »22c

1 + h

2 le

3.3. Tematy sprawdzające

1. Wyjaśnić zasadę działania tranzystora bipolarnego w połączeniu dla wspólnego emitera w zakresie aktywnym normalnym i inwersyjnym.

2. Przedstawić i omówić związki pomiędzy modelami tranzystora bipolarnego dla układu OB i OE.