71151 P1030346
272 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Czas transportu elektronów przez kanał jest zależny od długości kanału I i średniej prędkości unoszenia un ich przez pole elektryczne panujące w kanale.
I
'■KI 0M75)
Natężenie pola elektrycznego w ogólności może zmieniać się wzdłuż kanału. Dla prostoty przyjmijmy jednak, że pole jest jednorodne w całej objętości kanału, a jego natężenie ma wartość statyczną
E - UpS
K “ I (6.176)
Dlatego KI"Mn’EK *
l2
mam («'175>)
Ładunek Q może być podzielony na dwa składniki:
Q = Qgd+Qos (6-177)
gdzie; Qod - składowa ładunku 0 znajdująca się pomiędzy bramką a drenem, i dlatego kontrolowana przez napięcie uGD, tj. Qod(U[xj).
Ogj - część ładunku Q położona pomiędzy bramką a źródłem, i dlatego kontrolowana przez napięcie u^, tj. 0§|(|f<|9i
Pomijając bezwładność zbioru swobodnych elektronów w kanale, zmianom czasowym ładunków QGDi QGS można przypisać prądy przesunięcia elektrycznego (pojemnościowe) bramki iGD oraz iGS:
|
6Qgd |
dQGD |
duGD „ |
duGD | |
|
dt |
duGD |
a. n f O o |
dt |
(6.178) |
|
dQcs. |
dQcs |
duGS „ |
duGS | |
|
dt |
duGS |
dt "c°s' |
dt |
(6.179) |
Model z rys.6.45a jest modelem dynamicznym, przydatnym do analizy pracy tranzystora w warunkach dynamicznych, na przykład - impulsowych.
W warunkach stałoprądowych możemy pominąć prądy bramki, gdyż znikają wówczas prądy przesunięcia elektrycznego iGD i iGs, a ewentualny prąd upływu przez dielektryk izolujący bramkę jest do pominięcia, tj. IG=0. Prosty model statyczny może więc mieć postać przedstawioną na rys.6.45b.
W uproszczonej teorii tranzystora EMOS przyjmuje się, że ładunek Q jest proporcjonalny do nadwyżki wartości średniej napięcia bramka-kanał (UGKŚr) nad napięciem progowym UT, tzn. że kanał tworzy się, gdy UGKŚr > UT, a obszar bramka-kanał ma pewną pojemność elektryczną CGK.
Q = CGK(UGKir-Ux) (6.180)
gdzie:
Uo"-U“-!^>Ui (6.181)
Przy tym, uwzględniając zależność (6.175a), z definicji (6.174) otrzymamy
I UDS \
ID - BI UGS -~2~~UT IUDS (6.182)
gdzie:
(6.183)
Tranzystor EMOS z kanałem typu "n" zwykle wykorzystywany jest przy UDS > 0. Przy tym, jak widać z wzoru (6.181), wraz ze wzrostem wartości UDS maleje napięcie UGK, a więc maleje również Q i nachylenie charakterystyki IpC^Ds) przy UGS=consL Istotnie (rys.6.46):
Rys. 6.46. Charaklciysiyka Id(Uds) pray Ucs=const (a) i jej nachylenie (b)
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
P1030330 242 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE *** ^ES 8eb" nE*VT (6.8 la) J
P1030331 244 M.Polowczyk. E KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE W schematach zastępczych tranzysto
45131 P1030358 296 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE 6.18. Elementy macierzy [be]
18275 P1030340 262 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE IGSr- prąd rckombinacyjny br
P1030350 280 M.Polowczyk, E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE6.23. Tranzystory
więcej podobnych podstron