78861 skrypt145
gdzie:
g - ilość uwalnianych nośników ładunku, i „ - czas życia elektronów, un - ruchliwość elektronów, ip - czas życia dziur,
Hp - ruchliwość dziur.
Wielkość zmian konduktywności zależy od rodzaju półprzewodnika i natężenia światła (rys. 8.15).
a = (8.20)
gdzie:
B - stała zależna od rodzaju półprzewodnika,
- natężenie światła, a - stała (1 > a > 0).
Rys. 8.15. Zależność konduktywności półprzewodnika od natężenia oświetlenia
Rys. 8.16. Zależność konduktywności półprzewodnika od natężenia pola elektryczne]
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Nośnikami ładunków w przewodnikach są swobodne elektrony. Jeżeli na swobodne ładunki działa siła, to
skrypt110 nośników ładunku (elektronów i jonów) zaczyna rosnąć lawinowo, powodując gwałtowny wzrost
• gdzie: KC - koszt całkowity o 0 x„, - ilość wyprodukowanych
skrypt133 gdzie: A - droga swobodna elektronu, m - masa elektronu, v - średnia prędkość. Klasyc
IMG00125 20110304 1229 ■Ute OBLICZENIE KOLEJOWEGO PUNKT! ŁADUNKOWEGO „ ,,..v 5ćrinwe: SYSTEMY TRANSP
img198 198 D4. Wybrane pojęcia teorii języków drzewowych i grafowych gdzie j4,i4i,j42ł...,j4r(a) € E
img216 216 gdzie: Q - ilość ciepłe wymienionego w rekupsraiorze, k - współczynnik przenikanie ciepła
gdzie (x0)2 =-^x(2,(t0) = -ito2x0, (x„), =^x(3)(t0) =-^co2v„, itp. Pochodne możemy obliczyć stosując
skrypt007 gdzie: cov (x,y) - kowariancja zmiennych x, y, s - odchylenie stand
więcej podobnych podstron