_(6U Tranzystory bipolarne

(6.69)

\

dOjE _c ^dUBE iQE* dt ” ^{jE dt}

.prąd związany z pojemnością barierową Cjg

dQjc    ^duBC

«eje“ dt " p dt

gdzie:

O . ładunek warstwy dipolowej złącza ^ emiterowego.

q . ładunek warsiwy dipolowej złącza kofektorowego.

Przykładowo, na rys.6.23 został przedstawiony ładunkowy schemat zastępczy typu hybryd*ji tranzystora bipolarnego.

Modele dynamiczne wielkosygnałowe są szczególnie przydatne do analizy pracy impulsowej tranzystora. Analiza taka jest zwykle pracochłonna, wymaga bowiem rozwiązania układu równań różniczkowych drugiego rzędu. Dlatego tranzystory bipolarne charakteryzuje się zbiorem parametrów wywodzących się z charakterystyki przełączania tranzystora, które pozwalają na jakościową ocenę szybkości przełączania tranzystora od stanu odcięcia do stanu nasycenia i przełączania przeciwnego. Charakterystykę przełączania zdejmuje się w układzie prostego klucza tranzystorowego, którego schemat przedstawia rys.6.24.

Rys.6.25 przedstawia przebiegi prądu bazy i kolektora tranzystora oraz napięcia baza-emiter w układzie klucza na tle napięcia źródła sterującego e(t).

Gdy e(t)= -E_R , tranzystor pracuje w zakresie odcięcia. Jego prądy są pomijalnie małe, a napięcie baza-emiter równa się napięciu źródła sterującego. Przełączenie źródła ste-^rajvego do stanu e(t)=Ep powoduje:

0 w czasie opóźnienia t_d:

(6.70)

)

b)

Mft

O

10%

Rys. 635 Przebiegi niptf i R^dfiw w układzie* •y*-⁶-²⁴

pojawienie się prądu kolektora ię(t),

ustalenie się prądu i napięcia bazy o wartościach I_BF i U_BEF, które można