DSCF2081

DSCF2081



J Typ

• fcl-X W #

F

t. KiiT typ U

U7 n

WCP

27 P

KSF

1 n

TCPpa-f Od-N^y

3-lOp


Tol. Frod >


*6.

y*

«o.

CS 11

tryiaer

rsiic

C5łJ

■***rę s~ika

C51V

poił-2 sir.

H.

istf

w*

ciel :roif


U5i*rr



1.


Rodzaj

c50i C5oc50 C50ij

C50j poliestr. KKSE-018-02

1 ,C? ferr-alekt. KFPf typ Jx el«ktro|.    £%/B>

'^3 alei: troi.

WRT typ II TCPps - i Cd—;»750

Ker

04Af

■rcr*p^- :.jc.-;:750 KTO* typ II tl^Łrol.    0k/V

elc^trcl.    0 4/0

trya«r TCPp»-1(Kl-K750

KSO-1 KS0-!

XS0-1

•a 5CSa typ Isostat produkcja ŁLTRA pojedyr*ozy 1. Tr 501 rdzeń typ RKe 12x12x6/F-3G01 lub P2001

ELTRA wtyk typ $71-009-0121-1001 , gnie 2. ZL2 prod. ELTRA wtyk typ S71-009-0121- 001,

7,-6


1*P


i/r -


*4% I *- *’


\


Spis    .&■*

Prxslr\oxnik. xr6dln vyz,vł ala.iilt\, seleltor uprT.ęinniŁ 1 wTnRcniaci el^Moy \ryzvalAnia.


Rodxni


13 v 0.^1


Obudowa

Typ

Vrod

a ohcra

1.

T601

SI w—■p—n

TO-18

BSYP07

CEHX

2.

T602

si vnvu

TO-72

eew\o

Philips

3.

T603

Si. tv-p—n

TO-\S

BSy.P93

CEVOi

U.

T60U

SI n-p-u

TO-18

BSXV93

CEKL

5*

T605

Si n—pwr\

T0-1S

RSXV93

CEHX

SI n-p-n SI n-p-n SI n-p-n SI n-p-n Si n-p-n


lsSXP93

ESYV07

USYP07

BSY.P93

qsxv93


CEKL

CEFO.

CEitL

CEltt

CEMT


\:~z\.


Diody


l . Oznac?.. j Lp‘ nst

Rodzaj

5 sobora.

1 1. D601

Si Zouer

i 2. D602

Si

| 3. D603

Si

i h. nSok

Si Zoner

| 5. D607

Si

6. d608

Si


Obudova.


Typ


Prod.


TJwaGi


13ZP6l1Ct2

B&CY95

9A.CY95

BZP611C10

BAYP95

3A.YP95


CEMI lub inna o nv, 127


CEKI

CEMX lub inna o na. 10V

CEKI

CEMI




Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
32576 Zdjęcie0560 (3) Ry. 28. Rozwój pagórka kemowcgo . wycUnlętym jgdram - typ Oatrowa Uyg 27 Rozwó
42 1.    Typ górny (dotyczył zmian występujących w kręgach od LI do HI i obejmował&nb
P1000047 TABLICA XVII Litery minuskuły i majuskuły z XIX w. Typ północno-niemiecki. Średnik oddziela
P3190446 34 34 Drugi typ miast greckich — o zabudowie regularnej — Jest od dawna nazywany mHezyjskim
44028 P1100526 (2) Typ III reakcji nadwrażliwości: reakcja zależna od tworzenia kompleksów
42 1.    Typ górny (dotyczył zmian występujących w kręgach od LI do EU i obejmował&nb
DSC01071 ZAGROŻENIA: MESZAROS (Chest U7(5);2000): (27 lat obserwacji) •- 85% przypadków początkowo n
P1100518 (2) Typ III reakcji nadwrażliwości: reakcja zależna od tworzenia kompleksów antygen-przeciw
P1100525 Typ IN reakcji nadwrażliwości: reakcja zależna od tworzenia kompleksów
14661 scan0001 (27) chylanie przenośnika od osi w płaszczyźnie poziomej, tj. na łatwe przesuwanie go
DSC00116 (27) Billmmm jarych od 200 mm wymagają oddzielnego .Hofcio średnicach {LrlHiUJ
Kodeks postępowania administracyjnego. 0^^01^257t j : dni* 2017 06 27 v Status:    We

więcej podobnych podstron