Metoda spiekania impulaowo-plazmowego (PPS — Pulse
Sintcring).
— » uise Plasma
i Warunki procesu następujące: nacisk stempla — 60MPa,
temperatura - S800°C do 1000 °C I czas — 3 min.
Tcclutika ta została opracowana przez Zespól Przemian fazowych w Plazmie (pod kierownictwem prof. dr hab. inż. Andrzeja Michalskiego) w Zakładzie Inżyniera l Powierzchni Wydziału Inżynierii Materiałowej Politechniki Warszawskiej. Istotą
metody jest wykorzystanie w procesie spiekania silnoprądowych wyładowań
I impuls owych. W aparaturze PPS spiekany materiał umieszczony jest w grafitowej I matrycy pomiędzy dwoma stemplami z grafitu.
I Źródłem energii jest bateria kondensatorów, która umożliwia otrzymywanie I periodycznie powtarzalnych impulsów prądu o czasie około kilkuset mikrosekund i natężeniu prądu rzędu setek kiloamperów.. Wytworzone silnoprądowe impulsy I elektryczne nagrzewają, spiekany proszek. Bardzo krótki czas impulsu prądowego w l stosunku do przerw między kolejnymi impulsami stwarza specyficzne warunki I nagrzewania i chłodzenia. Spiekany proszek w okresie przepływu prądu jest
nagrzewany do wysokiej temperatury, 1 po jej zaniku ulega szybkiemu chłodzeniu do ustalonej temperatury spiekania.
r