375 (19)

375 (19)



- 375


Tranzystory połowę ze złączeni p-n

przy czym


Oprócz tych dwóch parametrów w katalogach zwykle podaje się jeszcze następujące parametry statyczne:

rDS(.os)—rezystancja dren-źródlo przy UGS = 0, UDSxO, jest to inaczej

1 l@DS0 >

(U ds — 0);


•— IGSS — prąd bramki przy dużym napięciu UGS i zwarciu drenu ze źródłem

BUgss — napięcie przebicia bramka-źródło przy UDS = 0; przebicie określa się jako taki stan, w którym prąd bramki osiąga pewną dość dużą wartość (np. Ig = 1 |zA).

6.2.2.4


Model statyczny tranzystora PNFET

Najprostszy model statyczny tranzystora PNFET przedstawiono na rys. 6.17a, na którym Rwe jest rezystancją złącza bramka-kanał spolaryzowanego w kierunku zaporowym (kilka megaomów do kilku gigaoinów), a zależne źródło prądowe

Rys. 6.17

Dwa modele statyczne tranzystora PNFET

1 — symbol sterowanego źródła prądowego opisanego równaniami charakterystyk tranzystora PNFET


ma postać odpowiedniego równania charakterystyki prądowo-napięciowej (równania (6.18) lub (6.28) dla zakresu nienasycenia oraz (6.31) lub (6.33) dla zakresu nasycenia).

W dokładniejszym modelu należy uwzględnić rezystancje szeregowe źródła i drenu (rys. 6.17b), których wartości są zwykle mniejsze niż kilkadziesiąt omów.

Praca dynamiczna nieliniowa    6.2.3

Reakcja tranzystora PNFET na szybką zmianę warunków polaryzacji nie jest natychmiastowa w-skutek dwu zjawisk:

—    ładowanie warstwy zaporowej złącza bramka-kanał,

—    skończony czas przelotu nośników przez kanał.

zważania przeprowadzimy dwustopniowo. Najpierw rozpatrzymy część -wewnętrzną tranzystora (tzw. tranzystor idealny), zgodnie z podziałem struktury tranzystora, przedstawionym na rys. 6.18. Następnie uwzględnimy elementy reprezentujące


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
369 (16) - 369Tranzystory połowę ze złączem p-n przy czym: (*DS ~ °Cxcz L konduktancja kanału (6.7)
371 (19) — 371Tranzystory połowę ze złączem p-n (Aj, -N0) Kanał metalurgiczny Kanał przewodzący Rys.
361 (23) - 361Tranzystory połowę ze złączem p-n Rys. 6.7 Układy włączenia tranzystora przy pomiarze
IMG19 (19) 42 3. WSTĘPNE PRZETWARZANIE CYFROWE przy czym przy parzystej liczbie próbek w oknie: — d
Polecenie 6Opis użytych predykatów W Prologu można korzystać ze zmiennych, przy czym ich nazwy pisze
IMGP1167 Systemy baz danych [ Powiązanie - Jest tym za pomocą czego kilka obiektów Jest wiązanych ze
Untitled Scanned 22 (2) . dq - średnica miarodajna, w mm, obliczana na podstawie krzywej uziamienia
86091 Scan0021 (19) 40 clzaj trójwymiarowej sieci, przy czym dwie sąsiednie cząsteczki w takich komp
358 (20) - 358 Tranzystory potoweTranzystory połowę ze złączem p-n (PNFET)    6.2 Pod
359 (17) - 359Ttanzystory połowę ze złączem p-n Sposób wykonania tego tranzystora jest następujący.
363 (18) - 363 (6.1)Tranzystory połowę, ze złączem p-n a więc Id(Ugs) ^2 (a-d) = IUGS112 Id(Ugs = 0)
367 (18) 3C7Tranzystory połowę ze złączem p-n Jeżeli uwzględni się spadek napięcia na odcinku od pun

więcej podobnych podstron