CCF20110506012

p l%]

Straty przełączeniowe w tranzystorze zależą liniowo od całkowitego czasu przełączania t_p. Praktycznie jako czas przełączania można przyjąć t_f 4- t_r (rys. 3.10). Dla obecnie wytwarzanych tranzystorów można przyjąć t_p — 0,1 -r- 1 jus. Przy określonym czasie przełączania straty przełączania są zależne liniowo od częstotliwości pracy przetwornicy. Praktycznie przyjmuje się zalecenie, by straty przełączeniowe w tranzystorze nie przekraczały strat, jakie wystąpią w nim przy nasyceniu. Aby warunek ten był spełniony, między czasem przełączenia a okresem drgań powinna być spełniona zależność t_p < 0,05 T.

Uwzględniając wszystkie straty w tranzystorach, a także straty w prostowniku i sprawność transformatora, całkowitą sprawność przetwornicy można określić z wzoru:

Istotne znaczenie dla pracy przetwornic przeciwsobnych ma uniknięcie jednoczesnego wysterowania obu tranzystorów. Jeżeli sygnał sterujący jest w tym samym momencie podawany na bazę jednego tranzystora i odłączany od bazy drugiego, to opóźnienie wyłączenia drugiego tranzystora po zaniku jego sygnału sterującego powoduje, że będą nasycone obydwa tranzystory. Wystąpi więc chwilowe zwarcie źródła. Dla ograniczenia tego zjawiska istotne znaczenie ma skrócenie czasu magazynowania t_s (rys. 3.10). Czas ten można znacznie skrócić stosując rozwiązania układowe powodujące przepływ prądu wstecznego w bazie równego lub większego od prądu bazy w kierunku przewodzenia. Prąd I_Bl powinien być prądem przejściowym, występującym tylko w przeciągu czasu magazynowania.

Czas magazynowania może być również znacznie skrócony przez zastosowanie środków uniemożliwiających wejście tranzystora w głębokie

nasycenie. Prostym środkiem układowym uniemożliwiającym wejście w głębokie nasycenie przełączającego tranzystora mocy jest stosowanie jako przełącznika układu Darłingtona. Przetwornicę z takimi przełącznikami przedstawiono na rys. 7.19. Tranzystor T3 jest impulsowym tranzystorem małej mocy. W stanie nasycenia na kolektorze tranzystora T3 występuje napięcie rzędu 0,2 + 0,4 V w stosunku do emitera. Ponieważ napięcie kolektor-baza tranzystora wyjściowego mocy Tl jest takie samo jak napięcie kolektor-emiter tranzystora T3,

tranzystor Tl nie może wejść w głębokie nasycenie. Tranzystor T3 oczywiście wchodzi w nasycenie i ma w tych warunkach stosunkowo długi czas magazynowania. Jest to jednak tranzystor małej mocy wielkiej częstotliwości o czasie magazynowania znacznie krótszym od czasu magazynowania wyjściowego tranzystora mocy.

Jeżeli tranzystory przełączające przetwornicy przedstawione na rys. 7.16 są sterowane układem, który umożliwia zmianę szerokości impulsu sterującego, mogą one być wysterowane przez czas krótszy od T/2. Czas wysterowania tranzystorów przełączających może się wówczas zmieniać w granicach 0 -T- T/2. Przebiegi napięć w układzie dla takiego sposobu sterowania przedstawiono na rys. 7.20. Przy takim sposobie wysterowania stałe napięcie wyjściowe przetwornicy jest zależne nie tylko od napięcia wejściowego i przekładni transformatora, ale również od współczynnika wypełnienia impulsu:

2

gdzie t_z jest czasem wysterowania tranzystora.

Napięcie wyjściowe wyraża się wzorem:

253

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
- 11 - -    zależnie od wartości napięcia o częstotliwości mierzonej ustawić klawisz
662 I Rys. 8. Rozmieszczenie jąder 34C1 i 13N w zależności od głębokości w zatrzymujących foliach A
57692 IMG20 (10) A Parametr Hp Rys. 10.7. Stopień relaksacji naprężeń w zależności od parametru Hol
CCF20130426004 naczy. Zależnie od wartości pH środowiska, w cząsteczkach aminokwasów zaznaczony jes
18 tif KONFIGURACJE SIEDZEŃ (W zależności od wersji lub kraju) 3RZEWOŻENIE DŁUGICH PRZEDMIOTÓW ^rzed
IMG20 (10) A Parametr Hp Rys. 10.7. Stopień relaksacji naprężeń w zależności od parametru Hollomona
2011 11 14 26 41 Typy zapasowych ośrodków przetwarzania danych1. W zależności od sposobu zorganizow
2012 12 18 25 14 171 W zależności od tematu i zakresu opracowywania wytycsne mogą obejmować pełny p
MODELOWANIE MATEMATYCZNE KINETYKI SUSZENIA... 131 Rys. 1. Czas suszenia liści bazylii w zależności o
DSC65 Rys. VH. 10. Dobór mieszadła w zależności od lepkości cieczy Do mieszania cieczy o bardzo duż

więcej podobnych podstron