DSC00213 (13)

TRANZYSTOR UNIPOLARNY IGFE1

Z izolow.inq bramką (IGFET. Insulated Gale FET) - bramka jest odizokwana od kanału; ZC względu na technologię wykonania rozróżnia się tranzystory:

MtSFEl (Melal-lnsulotor-ScmiconductarFET) wykonane z półprzewodnika monokrystalicznego. ponieważ lulaj najczęściej rolę izolatora pełni Uenek Krzemu SKJ_?(ang. oxide). toteż Iranzyslory lo częściej nazywa się MOSFET (Metol-Ox>de-Semiconductor FET. MOSFET) lub krócej MOS.

Oodalkowo Iranzyslory MOS dzieli się na:

tranzystory z kanałem zubożanym, w których przy braku napięcia btamka-iródto kanał Jest otwarty:

tranzystory z kanałem wzbogacanym, w których przy braku napięcia bramka-źródło kanał jest całkowicie zatkany.

TFT (ThinFHm Transistor) wykonane z półprzewodnika po&krystabcznego Ponieważ tranzystory tego typu są wytwarzane w taki sam sposób, jak układy scalone cienkowarstwowe.toteż-y---|t-----ya.....nicieni Tri myl

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
DSC00220 (13) TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET sieoowy
DSC00211 (11) TRANZYSTOR UNIPOLARNY JFET Przebieg charaktery*tki przejściowej zależy od temperatury
DSC00215 (13) TRAMZY8TOR UNIPOLARNY MOSFETEJ. n W podłożu - płytce słabo domseszkowanego półprzewodn
DSC00217 (14) TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET 20 względu na niewielką grubość warstwy izolacypiej istni
DSC00219 (15) TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET Zb względu na niewielką grubość warstwy izolacyjnej j&
DSC00221 (11) TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET z kanałem zubożanym z kanałem typu P z kanałem typu N z k
DSC00227 (8) PARAMETRY TRANZYSTORÓW UNIPOLARNYCH Podstawowymi parametrami tranzystorów są: •nachylen
DSC00228 (9) PARAMETRY TRANZYSTORÓW UNIPOLARNYCH Podstawowymi parametrami tranzystorów są: •nachylen
JFET wspolna bramka 20. Narysuj tranzystor unipolarny JFET w układzie wspólr bramka (0.5 p)
396 (17) - 396Tranzystory połowę — bramka tranzystora jest odizolowana od kanału,
1. Wstęp teoretyczny Do grupy tranzystorów unipolarnych należą tranzystory z izolowaną bramką (IGFET
unipol zrodlo prad 13. Narysuj układ źródła prądowego na tranzystorze unipolarnym (łp)
DSC00207 (8) TRANZYSTOR UNIPOLARNY JFET Gdy t/(i:rO, wńwc/as nośniki większoftoowe płynn bez przeszk
DSC00212 (13) immstnrtm umfolaiwi wet l kttommną brwią flBFET, ŁwtialpJGW FET) bramka psi odgotawana
DSC00223 (12) OZNACZENIA TRANZYSTORÓW UNIPOLARNYCH FET •. jFir^riz] rA)f. : UWj dren W?
DSC00224 (10) OZNACZENIA TRANZYSTORÓW UNIPOLARNYCH FET źródło
DSC00225 (11) CHARAKTERYSTYKI PRACY TRANZYSTORÓW UNIPOLARNYCH prąd drenu /D
JFET wspolna bramka2 Narysuj tranzystor unipolarny JFET w układzie wspdtnabrania <0.5 p>

więcej podobnych podstron