DSC00961 Flat
Tabela 3.1. Zależność liczby przejść elektronów od szerokości pasma zabronionego i temperatury
|
w*, eV |
100K |
300K |
500K |
I000K |
|
6 |
10™°“ |
,0-so |
,0-JU |
10*“ |
|
3 |
10*u" |
io-JU |
IO*0 |
10“ |
|
1 |
IO'30 |
IO5 |
10,J |
io17 |
|
0.5 |
I0‘* |
10u |
10W |
To^ |
|
0.25 |
W~ |
10w |
10‘* |
io*1 |
Dla porównania rzędów ilość atomów w kuli ziemskiej jest na poziomie 10so
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
DSC00961 (6) Tabela 3.1. Zależność liczby przejść elektronów od szerokości pasma zabronionego i
DSC00961 (6) Tabela 3.1. Zależność liczby przejść elektronów od szerokości pasma zabronionego i
Img00247 251 Rys. 4.85-1. Zależność własności porcelany elektrotechnicznej od zawartości składników
slajd10 Zależność liczby poziomów kwantowania od liczbyKażdy kolejny bit sygnału cyfrowego powoduje
IMG59 (3) Rys Zależność liczby poziomów kwantowania od liczby bitów przetwornika w—1- Kod binarny n
IMAG0156 Widma fotoelektronów OWykres zależności natężenia strumienia elektronów od ich Ekjn (EB) —
BIOFIZ16 2 6. Wyniki pomiarów zależności liczby zliczanych impulsów od grubości warstwy absorbującej
rys2 5 NIE) Rys. 2.5. Zależność rozkładu stanów elektronowych od energii. Linią przerywaną zaznaczon
P1120604 [1024x768] 151 Rys 2. Zależność przewodnictwa równoważnikowego elektrolitów od ich stężenia
DSC00909 Flat Zerwanie wiązania kowalentncgo -uwolnienie elektronu z wiązania eh odpowiada w modelu
Slajd37 Zależność gęstości prądu elektrycznego od natężenia pola elektrycznego eE m ez ^ v, = z
Slajd38 Zależność gęstości prądu elektrycznego od natężenia pola elektrycznego J =ne2z ^
DSC00935(1) III AON Zależność przebiegu linii Intetaekcyjnych od ukształtowania terenu Unia intersek
więcej podobnych podstron