DSCF0779

DSCF0779



154


4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne

Charakterystyka wejściowa tranzystora

Możliwe jest przedstawienie tranzystora w postaci czwórnika, w którym obwód baza-emiter będzie obwodem wejściowym (sterującym), a obwód kolektor-emiter będzie obwodem wyjściowym (sterowanym). Charakterystyką wejściową tranzystora będzie zależność prądu sterującego (prądu bazy) od napięcia wejściowego (napięcia baza-emiter). Typową charakterystykę wejściową tranzystora bipolarnego typu NPN przedstawiono na rys. 3 na poprzedniej stronie.

Charakterystyka wejściowa tranzystora przedstawia zależność prądu wejściowego od napięcia wejściowego, a więc jest to charakterystyka /B (L/BE).

Miarą dynamicznej rezystancji wejściowej tranzystora jest nachylenie charakterystyki wejściowej. Rezystancję dynamiczną wyznacza się ze stosunku przyrostu napięcia AL/Be do przyrostu prądu bazy A/B. Im bardziej stroma jest charakterystyka wejściowa, tym mniejsza jest dynamiczna rezystancja wejściowa.

Punkt pracy tranzystora

Punkt pracy tranzystora definiowany jest przez wybór określonej wartości napięcia wejściowego Ux. Zgodnie z charakterystyką wejściową, wybranej wartości napięcia (JBE odpowiada określona wartość prądu bazy /B. Wystawiając w punkcie pracy styczną do charakterystyki wejściowej, możemy wyznaczyć rezystancję dynamiczną w punkcie pracy, zwaną rezystancją wejściową tranzystora

rbe = AC/be/ A/b.

Wartość rezystancji wejściowej tranzystora jest zależna od punktu pracy i waha się w granicach od kilkuset Q do pojedynczych kQ.

Charakterystyka wyjściowa tranzystora

Charakterystyką wyjściową tranzystora jest charakterystyka opisująca zależność pomiędzy wielkościami wyjściowymi tranzystora, a więc prądem kolektora lc i napięciem kolektor-emiter UCe (rys. 1). Kształt i położenie charakterystyki wyjściowej tranzystora są zależne od prądu wejściowego /B i napięcia wejściowego Ube-

Charakterystyka wyjściowa tranzystora przedstawia zależność prądu wyjściowego od napięcia wyjściowego, a więc jest to charakterystyka Ic(Uce)-

Rys. 1. Rodzina charakterystyk wyjściowych tranzystora NPN. Parametrem jest prąd bazy lB


Na podstawie charakterystyk wyjściowych można określić dynamiczną rezystancję wyjściową tranzystora, definiowaną jako stosunek przyrostu napięcia wyjściowego do przyrostu prądu wyjściowego tranzystora w punkcie pracy

rce — AL/ce / A Iq-

Charakterystyka wzmocnienia prądowego tranzystora

Zależność prądu wyjściowego tranzystora (prądu kolektora) od prądu wejściowego tranzystora (prądu bazy) w warunkach stałego napięcia wyjściowego (kolektor-emiter) definiowana jest jako charakterystyka wzmocnienia prądowego tranzystora (rys. 1 na następnej stronie).


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
DSCF0784 159 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Fototranzystory Rys. 1. Charaktery
DSCF0761 (2) 136 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny Rozróżnienie układów o stałym
DSCF0762 (2) WĘ 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nym wprowadzeniu (domieszkowani
DSCF0763 (2) 138 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektrony dla uproszczenia atomy przedstawio
DSCF0764 139 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne lencyjnego) do pasma przewodzenia
DSCF0765 140 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne krzem o przewodnictwie typu N elek
DSCF0768 (2) 14; 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nego wynika ze zjawiska przewo
DSCF0771 146 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Diody mocy Do konstrukcji diod
DSCF0772 147 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niewielka zmiana napięcia polaryzu
DSCF0773 148 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niem termicznym diody. Najprostszy
DSCF0774 149 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Janoda Si02 —.warstwa zaporowa Rys
DSCF0775 150 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Tab. 1. Półprzewodnikowe diody
DSCF0777 152 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny4.2.3 Tranzystory4.2.3.1 Tranzystor
DSCF0781 156 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Obszar pracy tranzystora N
DSCF0783 158 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Współczynniki korekcyjne p
DSCF0785 160 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 160 4.2 Półprzewodnikowe elementy
DSCF0787 (2) 162 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 162 4.2 Półprzewodnikowe eleme
DSCF0789 (2) 164 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne pach kanałów sterowanych ze ws
DSCF0791 (2) 166 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne4.2.3.3 Obudowy tranzystorów i

więcej podobnych podstron