DSCF0783

DSCF0783



158

4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne

Rys. 1. Współczynniki korekcyjne parametrów czwómikowych tranzystora Hel

Ponieważ tranzystor ma trzy elektrody (zaciski), to w modelu czwórnikowym jeden z tych zacisków należy jednocześnie do obwodu wejściowego i wyjściowego. Zależnie od tego, który z zacisków tranzystora jest zaciskiem wspólnym, to mówimy o konfiguracji ze wspólnym emiterem, wspólnym kolektorem lub wspólną bazą.

Jeżeli tranzystor pracuje w konfiguracji wspólnego emitera, to parametry czwómikowe mają w indeksie dodatkową literę e. Parametry czwómikowe możliwe są do wyznaczenia z charakterystyk tranzystora. Dla przykładu z charakterystyki wyjściowej dla stałej wartości napięcia l/CE, można wyznaczyć współczynnik /?11ez zależności:

/7ne = AI/be IIq.

Wartości parametrów czwómikowych zależą od wyboru punktu pracy tranzystora.

Jeśli punkt pracy tranzystora różni się od punktu pracy, dla którego zdefiniowano wartości parametrów typu h, to możliwe jest skorygowanie tych parametrów przez przemnożenie ich wartości przez współczynniki korekcyjne Heh względnie Heu, odczytane z odpowiednich wykresów korekcyjnych (rys. 1).

Tab. 1. Parametry czwómikowe tranzystora w konfiguracji wspólnego emitera

Schemat czwómikowy tranzystora

!q    b

— -

-1»-

ll/ee

^.....j

I

Parametr

Definicja

Warunki

wyznaczenia

parametru

Zwarciowa [ impedancja wejściowa

. _ AĆ/be

Uce - const

Rozwarciowy współczynnik oddziaływania : wstecznego

. _ AC/be h'*>- AUce

lQ = const

Zwarciowy

współczynnik

wzmocnienia

prądowego

h - A^C

h21e-~w

U ce - const

Rozwarciowa

admitancja

wyjściowa

h -

h22e Tlfe

lB = const

h’ = hHeiHeu

h - parametr czwómikowy w nominalnym punkcie pracy

h'    - parametr czwómikowy w rzeczywistym

punkcie pracy

Hei - prądowy współczynnik korekcyjny dla rzeczywistej wartości prądu kolektora /c

Heu    - napięciowy współczynnik korekcyjny

dla rzeczywistej wartości napięcia 1/ce

Przykład:

Wyznaczyć rzeczywistą wartość zwarciowej rezystancji wejściowej h’11e tranzystora w jego rzeczywistym punkcie pracy określonym przez napięcie kolektor-emiter l/CE = 5 V i prąd kolektora /c = 0,5 mA. Znana jest wartość parametru b11e = 4,5 kQ w nominalnym punkcie pracy tranzystora określonym przez napięcie kolektor-emiter l/CE = 5V i prąd kolektora /c = 2 mA.

Rozwiązanie:

Ponieważ wartości napięć kolektor-emiter są identyczne w punktach pracy: nominalnym i rzeczywistym, to wartość współczynnika korekcyjnego HUgu = 1. Z rys. 1 dla wartości /c = 0,5 mA możemy odczytać wartość współczynnika korekcyjnego HUeJ - 3,2. Stąd h*n. - hue • H11e/ • H11eo = 4,5 kQ • 3,2 • 1 =14,4 kQ.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
DSCF0781 156 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Obszar pracy tranzystora N
DSCF0774 149 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Janoda Si02 —.warstwa zaporowa Rys
DSCF0778 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Schemat rozpływu prądów w tran
DSCF0784 159 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Fototranzystory Rys. 1. Charaktery
DSCF0761 (2) 136 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny Rozróżnienie układów o stałym
DSCF0762 (2) WĘ 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nym wprowadzeniu (domieszkowani
DSCF0763 (2) 138 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektrony dla uproszczenia atomy przedstawio
DSCF0764 139 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne lencyjnego) do pasma przewodzenia
DSCF0765 140 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne krzem o przewodnictwie typu N elek
DSCF0768 (2) 14; 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nego wynika ze zjawiska przewo
DSCF0771 146 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Diody mocy Do konstrukcji diod
DSCF0772 147 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niewielka zmiana napięcia polaryzu
DSCF0773 148 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niem termicznym diody. Najprostszy
DSCF0775 150 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Tab. 1. Półprzewodnikowe diody
DSCF0777 152 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny4.2.3 Tranzystory4.2.3.1 Tranzystor
DSCF0779 154 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Charakterystyka wejściowa
DSCF0785 160 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 160 4.2 Półprzewodnikowe elementy
DSCF0787 (2) 162 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 162 4.2 Półprzewodnikowe eleme
DSCF0789 (2) 164 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne pach kanałów sterowanych ze ws

więcej podobnych podstron