Laboratorium Elektroniki cz I 0
56
Następuje kompensacja prądu nośników mniejszościowych w bazie (kolektor też zachowuje się jak emiter), aż do sytuacji pełnego zrównoważenia, gdy prąd lc = 0.
W rzeczywistym tranzystorze charakterystyki wyjściowe lc = f(UcB) nie są idealnie płaskie (rys. 2.4). W miarę wzrostu bezwzględnej wartości napięcia Ucb prąd kolektora lc nieznacznie wzrasta. Jest to spowodowane zjawiskiem modulacji efektywnej szerokości bazy. Wzrost wartości napięcia Ucb powoduje spadek tej efektywnej szerokości bazy, maleje więc droga, a tym samym mniej nośników rekombi-nuje. W efekcie przy stałej wartości prądu emitera Ie rośnie wartość prądu kolektora lc. Zjawisko to występuje znacznie wyraźniej w tranzystorach dyfuzyjnych, w porównaniu z tranzystorami dryftowymi.
Charakterystyki przejściowe (rys. 2.5)
Przy normalnej polaryzacji tranzystora drugi człon równania (2.2) opisującego zależność lc = UIe) jest pomijalnie mały. Tym samym prąd kolektora lc = ocnIe zależy liniowo od prądu emitera. W rzeczywistym tranzystorze występuje pewna niewielka nieliniowość spowodowana zależnością wartości współczynnika od wartości prądu emitera Ie. Wpływ zmian wartości napięcia Ucb na wartość prądu kolektora lc przy Ie = const tłumaczymy efektem zmian efektywnej szerokości bazy (rys. 2.5).
Rys. 2.5. Charakterystyki przejściowe tranzystora w układzie OB
I powered by
| Mi siol
Charakterystyki zwrotne (rys. 2.6)
W idealnym tranzystorze, zgodnie z równaniem (2.1), wartość napięcia Ueb nie zależy od wartości napięcia Ucb i charakterystyki powinny tworzyć rodzinę linii równoległych do osi Ucb- W tej sytuacji nie byłoby sprzężenia zwrotnego pomiędzy wyjściem i wejściem. Zjawisko modulacji szerokości bazy jest powodem istnienia takiego sprzężenia zwrotnego, które objawia się na wykresie zmniejszaniem się wartości napięcia Ueb przy wzroście bezwzględnej wartości napięcia Ucb (rys. 2.6).
Rys. 2.6. Charakterystyki zwrotne tranzystora w układzie OB
2.2.3. Parametry statyczne tranzystora w układzie OB
Ze względu na konieczność długotrwałej niezawodnej pracy tranzystorów producenci podają szereg parametrów statycznych, których zadaniem jest określenie dozwolonego obszaru pracy aktywnej tranzystora. Poniżej omówiono najważniejsze spośród parametrów statycznych tranzystora.
1. Maksymalna dopuszczalna moc strat Pmax - (moc admisyjna Pa) jest to maksymalna moc, jaka może się wydzielać na obu złączach tranzystora, przy której tranzystor może pracować w sposób długotrwały. Moc strat jest określona z pewnym zapasem względem maksymalnej mocy wynikającej z użytego materiału i kon-
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz I 0 56 Następuje kompensacja prądu nośników mniejszościowych w bazie (
Laboratorium Elektroniki cz I 2 140 W zakresie tym koncentracje nośników mniejszościowych są propo
Laboratorium Elektroniki cz I 2 140 W zakresie tym koncentracje nośników mniejszościowych są propo
Laboratorium Elektroniki cz I 0 156 • W zakresie małych wartości prądu drenu to
88310 Laboratorium Elektroniki cz I 0 156 • W zakresie małych wartości prądu dre
Laboratorium Elektroniki cz I 0 96 co prowadzi do zmian rezystancji tego kanału. W efekcie zostaje
Laboratorium Elektroniki cz I 2 120 Rys. 6.7. Zależność prądu fotoelektrycznego fotodiody lF od na
Laboratorium Elektroniki cz I 0 1768.6. Tematy do opracowania 1. &nb
więcej podobnych podstron