74410 Laboratorium Elektroniki cz I 4

184

6.    Czy wartości czasów przełączeń diod i tranzystorów zależą od parametrów układu pomiarowego?

7.    Dlaczego czasy przełączeń tranzystora określa się na poziomie 10% i 90% amplitudy prądu kolektora?

9.4.    Aparatura pomiarowa

Ćwiczenia wykonujemy montując układy pomiarowe wg idei z rys. 9.2 i 9.3 przy wykorzystaniu pola montażowego testera przyrządów półprzewodnikowych.

Badane diody i tranzystory dostarcza prowadzący ćwiczenie asystent. Do wykonania ćwiczenia potrzebny jest jeszcze generator fali prostokątnej zapewniający możliwość regulacji amplitudy przebiegu i jego składowej stałej oraz charakteryzujący się małymi czasami zboczy impulsu (może to być np. generator typu PG5-5A). Pomiarów wartości czasów dokonujemy na oscyloskopie dwustrumieniowym.

9.5.    Program ćwiczenia

1.    W polu montażowym testera należy połączyć badaną diodę z rezystorem 470D (rys. 9.2a), doprowadzić napięcie z generatora przebiegu prostokątnego.

Napięcie to należy doprowadzić także na jeden kanał oscyloskopu. Na drugi kanał należy doprowadzić spadek napięcia na rezystorze Rl, odwzorowujący przebieg czasowy prądu. Za pomocą pokręteł regulacji amplitudy i składowej stałej przebiegu generatora zmieniać wartości Uf i Ur mierząc czasy t_s, tf i tr,.

Należy zdjąć zależności:

t_s. tf, U = f(Uf) dla Ur = const = 2V ts, tf, trr = f(Ur) dla Uf = const = 2V dla kilku diod półprzewodnikowych różnych typów.

2.    W polu montażowym testera zmontować układ z rys. 9.3a. Obserwując na ekranie oscyloskopu odpowiednie przebiegi czasowe, można wyznaczyć prądy bazy w stanie nasycenia:

I_B1 = (Uf - U_BEsat)/R_B

powered by

Mi siol

j w stanie odcięcia:

lB2 = - (Ur - UeEsat)/RB

3.    Dla tranzystora BC 211 zmierzyć zależności:

a)    t<j = K-Ube)

b)    tr = f (Ibi)

c)    t_s = f(lBl)

d)    t_s = f (IB2)

e)    tf = f (Ib2)

4.    Dla tranzystora impulsowego BSXP 59 zaobserwować kształt napięcia Uce i porównać z pomiarami w pkcie 3.

5.    Wykonać pomiary jak w pkcie 3 dla tranzystora o znacznie mniejszym h₂iE.

6.    Włączając równolegle do R_B pojemności, zaobserwować ich wpływ na kształty przebiegów prądów i napięć oraz wartości czasów.

Uwaga!

W laboratoriach, w których zdjęcie pełnych zależności funkcyjnych jest niemożliwe ze względu na ograniczony czas trwania zajęć, należy dążyć do wykonania programu minimum polegającego na zmierzeniu wszystkich czasów przełączeń dla trzech przebiegów przełączających jak na rys. 9.6.

a)    b)    c)

Eg

Eg'

i

Eg'

UF-2V

Uf*2V

U^4V

9

n

t 0

t

u ■ -U„-2V

• U -

0-

t

- -2V -Ur-*V

u —_l 1 «-0\y

tą- zv-

Rys. 9.6. Przykładowe przebiegi generatora sterującego wykorzystywane do pomiarów czasów przełączeń diod i tranzystorów

Porównanie wartości uzyskanych dla przebiegów a) i b) pozwoli na sformułowanie wniosków dotyczących wpływu wartości napięcia polaryzacji wstecznej Ur na mierzone wartości czasów przełączeń. Natomiast porównanie wartości uzyskanych dla przebiegów a) i c) pozwoli na ocenę wpływu głębszego nasycenia złącz (spowodowanego dwukrotnie większą wartością napięcia Uf, przy takiej samej wartości Ur).

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz I 4 Charakterystyki anodowe zależą od temperatury. Przy wzroście tempe
Laboratorium Elektroniki cz I 4 204 Należy dodać, że sprzężenie emiterowe jest skuteczne przy stos
Laboratorium Elektroniki cz I 4 204 204 rr,a
Laboratorium Elektroniki cz I 4 124 totyrystorze zawiera się w granicach 103-104, a czasy przełącz
Laboratorium Elektroniki cz I 2 60 ich wartości nie zależą od częstotliwości. Spośród wielu parame

więcej podobnych podstron