Materiał

Struktura

Absorpcja

T_P[K]

B [nm]

r\[%)

ta [S]

D[cnWHz/

W]

Si

m

S

300

0,3-1,2

Si

m

D

4,2; 77

14-20

Ge

m

s

300

0,4-1,7

Ge+Au

m

D

77

3-9

0,2-0,3

3-10‘⁸

ió™

Ge+Hg

m

D

27

6-14

0,6

10’'

r * a!0

5mU

Ge+Cu

m

D

4,2

12-27

0,2-0,6

2-10"

4 -10^llJ

PbS

w

S

300

0,9-2,8

10*⁴

10"

PbSe

w

S

300

0,5-4,2

2' 10°

2-10 ^1U

InSb

m

S

77

3,6-7,3

0,5-0,8

io*

3*10*

InSb

m

S

300

3,0-5,6

0,5-0,8

10°

io"

GaAs

m

S

300

0,5-0,9

Se

m

S

300

0.5-0,7

T_p - temperatura pracy B - szerokość pasma pracy rj - sprawność kwantowa T_a - czas odpowiedzi

m - monokryształ

w - cienka warstwa polikrystaliczna S - fotoprzewodnictwo samoistne D - fotoprzewodnictwo domieszkowe

^op. [nm]

Barwa

Materiał

U_F [V]'

Iv [mcd]*

Pe blWf

Tle [%]

900

podczerwień

GaAs

1,3-1,5

-

10²-1 o⁵

1-5

655

czerwony

GaAsP

1,6-1,8

0,4-1

1-2

0,01-0,03

635

jasnoczerwony

GaAsP

2,0-2,2

2-4

5-10

0,03

610

pomarańczowy

GaAsP

2,0-2,2

2-4

5-10

0,03

583

żółty

GaAsP

2,0-2,2

1-3

3-8

0,03

565

zielony

GaP

2,2-2,4

0,5-3

1,5-8

0,01

450

niebieski

SiC

2,6-3

0.5-2

1,5-6

0,001

370

ultrafioletowy

GaN

2,6-3

-

* - pomiary dla prądu I_F = 10 mA

Funkcja

Zakres

Rozdzielczość „w”

Kl[%]

n

Błąd pomiaru

mV

200

mV

0,1

0,5

1

0,5- ^a + w 100

V

2

mV

1

Napięcie stałe

V

20

mV

10

V

200

mV

100

V

1000

V

1

Napięcie

przemienne

mV

200

mV

0,1

1,0

5

1,0— + 5-w 100

V

2

mV

1

V

20

mV

10

V

200

mV

100

V

750

V

1

Prąd stały

pA

200

M

0,1

0,5

3

0 5 ^ . 7 _w

mA

2

PA

1

mA

20

ra

10

U,D • + J • w 100

mA

200

pA

100

A

10

mA

1

1,5

3

Prąd przemienny

mA

2

pA

1

1,5

5

. - OL _

1 i • 4- V W

mA

20

pA

10

mA

200

pA

100

1 «J 1 J 100

A

2

mA

1

A

10

mA

10

2,0

5

Rezystancja

a

200

a

0,1

5

0 5 • -f 5 • w

ka

2

a

1

kQ

20

a

10

n

ka

200

a

100

V.J T J rv 100

Ma

2

ka

1

Ma

20

ka

10

a - wskazanie miernika w - rozdzielczość n - mnożnik

K_l - klasa miernika cyfrowego