m1 (18)

I CD, scm. zimowy, 2006/7007 MjiCrriałozauiwstwo elektn czne

NAZWISKO i Imię

nr iilhumi

r*« zaliczeń

I Sieć krystalograficzna A3 jest opartą na układzie Vtry*talog™fic*nymi /i i¹ > fOtrinrmrr^) rr«y2sJs*S§jjy»i

2 Wymiana elektronów jest podstawą wiązania:

(kowalencyjnego.. j°>*aą#egr> \vnt$prśvggo

3 W strukturach krystalicznych metali występująluki międzywęzłowe:

ęCzferoscTiw»i?> ■^y~estipócSgrme. oń^Mt^ni'

4 Stopv metaliczne mogą być roztworami stałymi:

róz+tbjuęjSowymi. 4&S**zy*^lowy™p benPęrfn^rm

5 Ob\yody magnetyczne i magnesy trwale wykonuje sic z:

aniyJertjotntSg^etyków. ę~J>aramagne rykóvv^>

6 Materiał magnetycznie twardy powinien mieć dużą wartość: .vffomąsct, Gtuhtkcji remanencjj} ę^atężenia koercJP*

7 Stal krzemowa zimnowalcowana jest:

<;cJiamagnetykfe^i. ferro^ag^ćjykicm. Jp^jjptiyn

8 Temperaturowy współczynnik rezystancji metali jest:

dpd^jni, ęyjfemny^) ||011p^.

9 Napylanie katodowe stosuję się przy wytwarzaniu układów scalonych:

Hybrydowych cienkowarstwowychmon^tifeznych, hyb^dowyęfrgmS^giarstv, '

10 Materiały na rezystory precyzyjne powinny mieć małą wartość:

11 Elektrony są większościowymi nośnikami ładunku w póbarzewodniku domieszkowanym <^onorow^ Cakceptorów^ niecJdptktsSlćówanyrn

12 Do metod domieszkowania materiałów półprzewodnikowy dff*ffucza się: iny7iius(aęję, <J^pienie strefówp tr&StwUuicję

13 Epitaksję z fazy gazowej oznacza się w skrócie:

|li fie, <£Fp

14 Złącze p-n jest podstawowym elemeiUcnr. wa£yś(ąra, (^foJodłodp^ teryk(i(oni

15 Przewodność elektryczna dielektryków ma przede wszystkimB&arakter. j§'elektronowyjo)ktfvv dfopkąiy