P1030351

282 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE

odbierany lub wzmacniany sygnał w.cz.. Wykorzystuje się przy tym zależność przebiegu charakterystyk przejściowych Id(Ugis) tetrody od napięcia Uo2S- Zależność tę trudno jest opisać analitycznie przy użyciu klasycznych modeli tranzystorów MOS. Każdy z tranzystorów składowych tetrody może bowiem przy zmianie napięć Uq2s * ^GIS zmieniać swój zakres pracy przechodząc od zakresu omowego do zakresu zaciśnięcia kanału i odwrotnie. Rozważając nawet uproszczony przypadek, odpowiadający takiej sytuacji, że tranzystor Tl znajduje się stale w zakresie omowym, a identyczny tranzystor T2 pracuje stale w zakresie zaciśnięcia kanału, i posługując się związkami (6.182) i (6.186) dla tetrody otrzymujemy

2

^ID⁼^^r[(^UGIS * ^UP )    " ( ^UG1S “ ^UG2S )'

‘^ (^UG1S ^{+ U}P ) ^{+ 2}(^UGIS ^{+ U}p) (^UG2S ^{+ U}P | “ | ^UG2 ^{+ U}P ^ j (6.197)

Dlatego wygodniej jest w odniesieniu do tetrody MOS posługiwać się charakterystykami zdjętymi eksperymentalnie. Przykładowo, dla tetrody BFR84 (Philips) uzyskuje się charakterystyki jak na rys.6,57.¹^

Ogólnie można zauważyć, że charakterystyki wyjściowe tetrody są podobne do charakterystyk tranzystora MOS, z tym że prąd drenu przy stałej wartości napięcia U_DS jest funkcją napięć obu bramek

IU_DS - consr “    . Vg2S )    (6.198)

ponadto nachylenie charakterystyki przejściowej l_D(U_Gis)jcst zależne od wartości tzn. transkonduktancja g_m= dI_l:)/dU_G]S jest funkcją (rys.6.58a).

Umocnienie napięciowe wzmacniacza letrodowego w układzie z rys.6.55a można zapisać następująco

^KU0 ⁼ ?L I    (6.199)

a więc regulując wartość napięcia U_G2S można zmieniać g j w konsekwencji zmieniać

Kuo-

Jeżeli na bramkę G2 podaje się sygnał heterodyny (u_H), to uzyskuje się okresową zmianę g_m z częstotliwością heterodyny. Na przykład, jeżeli

UG2S " ^G2S + UII •	ulf “ Uf, * sin cojj t	(6.200)
dSw .. .
om ~SntO "*■ mi OUq2s	* uh • sm o)j.j t	(6.201)

1

Patrz odnośnik do rys.6.5J (itr277)

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
P1030351 282 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE odbierany lub wzmacniany sygnał w.
P1030351 282 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE odbierany lub wzmacniany sygnał w.
P1030331 244 M.Polowczyk. E KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE W schematach zastępczych tranzysto
45131 P1030358 296 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE 6.18. Elementy macierzy [be]
18275 P1030340 262 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE IGSr- prąd rckombinacyjny br
71151 P1030346 272 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Czas transportu elektronów p

więcej podobnych podstron