skanowanie0005 (30)

2 Al _ P^neven.~^EB) _    / 2 -    ) _n .    .    ,,    ,

■'^L' *7W,+(/? + m_E RH + {P + \)R_E '    ’ ^CRm '^W'

(li) (/(• “ £ = 5V (tranzystor zatkany, U_BE= -IV)

2.6.    Ii>^m ImA, Uds~ U_Gs⁼ 3V, U_Gd= 0 < £/p—» zakres nasycenia.

2.7.    /,j -= 2,05mA, C/_flS = 13,6V, t/_GD = -15,65V<Vp ^tra°^ZyS

nuyoenia.

2,K, /,)*-■ 3mA, C/os= 18V.

2.9,    l„ ■ h - {-Eee- U_be)IR_e = ImA, Ugs = -Uf!2 = -2V, U_CE = t/_B£ -tfc® = 2,7V,

1 hm ■ //>2?/j — Z?oo *- c/p dla 2?o < Rawa— 24kO.

2.10,    l/os^mE-Ral_c = 8V,I_D = K(U_GS-U_Pf - 5mA, U_DS = E-Rolo = 8,7V,

U₍,D - C//jjr= -0,7V < U_P.

7.11, źródło prądowe Widlara, R₂ = ^-\n^- = feto    s2,51n(100)kn = 1 l,5kfl.

Io b *o ^Ri*o

2.13,    K, - [2 - (dUz/dT)/(dU_BE/dT)]R₂ = 3,5R₂, C/_REF= U_BE+R₂(U_Z-3U_BE)KR₂+R\) = 1.68V

2.14.

Oblicz napięcie (całkowite) w_D(t). Do obliczeń przyjmij dwuodcinkową charakterystykę prądowo-napięciową diody z parametrami Uo= 0,5 V i rj= 20 Q.

W układzie jak na rys. zmierzono wartości napięcia Uds i prądu Id dla różnych wartości rezystora Rd. Oblicz jeden z małosygnałowych parametrów hybryd n tranzystora.

Oblicz wartość prądu I, dla której składowa zmienna napięcia «d jest równa % napięcia u, które jest małym sygnałem zmiennym. Do obliczeń przyjmij Uf=k_BT/q=25 mV, prąd zaporowy złącza 7o« I, rj = l, oraz że dla prądu zmiennego pojemność stanowi całkowite zwarcie.

Zmierzono wartości prądu I_c i napięcia U_Be dla różnych wartości prądu I_B. Oblicz wartości parametrów dynamicznych (różniczkowych) g_m, h₂\ i Au tego tranzystora. Oblicz współczynnik 77 oraz wartość współczynnika wzmocnienia dla prądu stałego p.

Ic |mAl	1,2	1,3	1,4
uBErvi	0,6178	0,620	0,6218
InTnAl	13	14	15

Dla e_G= E_g= 0,72 V zmierzono Uwei - 0,68 V oraz U wy = 4,2 V. Gdy napięcie e_c wzrosło o wartość AE_a= 18 mV to Uwe2 wzrosło o A Uwe2 - 8 mV, a U wy zmalało o -AUwy - 256 mV. Oblicz parametry różniczkowe (dynamiczne) h_u, h₂1, g_m tranzystora w punkcie pracy oraz statyczny współczynnik wzmocnienia prądowego p.

Oblicz parametry małosygnałowe ń_11D, A₂id i gmD tranzystorów w układzie Darlingtona. Przyjmij, że połączono identyczne tranzystory Ti i T₂, dla których h_2m= ń_2I(2)= p»\.

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
skanowanie0005 (30) 2 Al _ P^neven.~^EB) _    / 2 -    ) n
49291 skanowanie0005 (30) 2 Al _ P^neven.~^EB) _    / 2 -    ) n
skanowanie0015 (30) Z impedancyjnego równania macierzowego (6.6), napięcie w i -tym węźle, zgodnie z
skanowanie0019 (30) ani być opisywany wyłącznie w kontekście polskim, lojalnym. Jest tak w istocie.
skanowanie0021 (30) SPIS TREŚCI Strony 4-5 Patrz, renifer! Możesz zobaczyć, jak dzielny renifer radz
skanowanie0033 (30) furtce, wpatrując się w szopę i kurczowo ściskając torebkę. Gdzffl zaszczekał ja
skanowanie0034 (30) Najwifksi reklamo dawcy w telewizji (w min zł)146,1 ■    l-VI 98
skanowanie0082 (5) 30, Przez długi czas grzyby zaliczano do roślin. Różnią się od nich jednak wielom
skanowanie7 (3) 2.30. Podane funkcje są rozwiązaniami wskazanych równań liniowych niciednorodnvch. W

więcej podobnych podstron