skrypt140

skrypt140



143

Tablica 8.4.

Energie jonizacji domieszek w germanie i krzemie [3,5]

Domieszka

Akceptor/Donor

Energia jonizacji, eV

Gc

Si

B

A

0.0140

0.045

Al

A

0.0102

0.057

Ga

A

0.0108

0.065

In

A

0,0112

0,160

P

D

0,0120

0.044

As

D

0.0127

0.049

Sb

D

0.0096

0,039

Bi

D

0.009

| Niska energia jonizacji domieszek (akceptorów lub donorów powoduje, że irgia cieplna dostarczona do sieci w temperaturze otoczenia (kT = 0,025 eV), -starcza do ich jonizacji. Liczba ładunków wielokrotnie przekracza liczbę lunków swobodnych i decyduje ona o rodzaju przewodnictwa (typu n lub p). Nazywają się one nośnikami większościowymi. Koncentracja nośników więk-)ściowych zależy silnie od temperatur)- i w przypadku półprzewodnika typu i jest dana zależnością:

(8.8)


WH-W,

n„ = n.exp(-——4

kT

gdzie:


W,.-

Wr,

ni


-    poziom Fermiego półprzewodnika domieszkowanego,

-    poziom Fermiego półprzewodnika samoistnego,

-    koncentracja elektronów w półprzewodniku samoistnym.

Położenie poziomu Fermiego półprzewodnika domieszkowanego zależy- od icentracji domieszek (Nd). Ody ilość domieszek jest bardzo duża (Nr>= 10?X! ł) to poziom Fermiego zagłębia się w paśmie przewodnictwa i półprzewod-ik taki nazywamy zdegenerowanym (if+).

Analogicznie można opisać domieszkowanie półprzewodnika typu p. Ato-y domieszek lokalizują się w przerwie zabronionej w pobliżu pasma walen-yjnego. Mogą one być zjonizowane energią cieplną nawet poniżej temperatury ićojowcj. W paśmie walencyjnym pozostają wówczas dziury będące nośni-ti większościowymi i one decydują o mechanizmie przewodnictwa. Ich kon-ltracja jest określona zależnością:

(8.9)


W., - W..

Pp = nicxP    }


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Img00154 158 Tablica 3.6-1 Energie jonizacji domieszkowanego germanu i
DSC00912 (6) *"» - energia jonizacji pierwszego elektronu domieszki wprowadzonej do sieci krysz
skrypt167 173 Tablica 11.1, Wybrane jednostki i ich symbole opisujące zjawiska magnetyczne Symbol
skrypt138 141 Tablica 8.3. S/.crokość pasma zabronionego w> branych półprzewodników i związków
skrypt167 173 Tablica 11.1, Wybrane jednostki i ich symbole opisujące zjawiska magnetyczne Symbol
skrypt072 74 Tablica 4. Układy do pomiaru stramości i przenikalności elektrycznej [22] Układ Układ d
strona143 7.1. SPRĘŻYNY WALCOWE NACISKOWE 143 Tabliczka powinna zawierać: •    liczbę

więcej podobnych podstron