61823 spektroskopia064
128
z 30 studni GaAs o grubości 26 nm i odpowiedniej liczby barier z Al0 28Ga0 72As o grubości 26 nm. Widoczne są przejścia ekscytonowe związane zarówno z ciężkimi, jak i lekkimi dziurami. Poszerzenie maksimów PLE związanych z ciężkimi dziurami wiąże się z niejednorodnością grubości warstwy GaAs. Jak widać ze wzoru (12.2), zmiana grubości L prowadzi do zmiany energii dającej poszerzenie maksimum fotoluminescencji. Analiza poszerzeń widocznych na rys. 82 pozwala określić wartość nierówności grubości warstw na ok. 2 nm..
Badania struktur niskowymiarowych są prowadzone także za pomocą spektroskopii absorpcyjnej w dalekiej podczerwieni, ze szczególnym uwzględnieniem spektroskopii fourierowskiej. Tą metodą bada się zwłaszcza przejścia między podpasmami wewnątrz studni kwantowych [33].
Również spektroskopia rozpraszania Ramana jest bardzo użytecznym narzędzem badania niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych. Ostre linie rozpraszania Ramana świadczą o wysokiej jakości struktury, pozwalają także zweryfikowyć skład wtedy, kiedy elementem struktury jest zwązek potrójny. Stosunkowo niewielkie grubości poszczególnych warstw (30—50 nm) wystarczają do identyfikacji materiałów, z których wykonano strukturę [43].
Przejścia między stanami energetyczymi w niskowymiarowych strukturach półprzewodnikowych mogą też być obserwowane za pomocą bardzo precyzyjnych, niskotemperaturowych pomiarów rozpraszania Ramana [44].
LITERATURA
[1] P. Y. Yu, M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors. Physics and Materials Properties, Springer-Verlag, Berlin 1996.
[2] H. R. Philips, H. Ehrenreich, Optical Properties of III — V Compounds, [w:] Semiconductors and Semimetals, vol. 3, s. 93, 1967; [wyd.] Acade-mic, Nowy Jork.
[3] R. B. Schoolare, J. R. Dixon, Phys. Rev. 137, A667 (1965).
[4] T. S. Moss, T. D. F. Hawkins, Infrared Phys. 1, 111 (1961).
[5] F. J. Johnson, Semiconductors and Semimetals, vol. 3, s. 153, 1967.
[6] G. G. Mac Farlane, Phys. Rev. 98, 1865 (1955).
[7] K. Seeger, Semiconductor Physics, Springer-Verlag, Nowy Jork 1973.
[8] J. R. Dixon, Proc. Int. Conf. Phys. Semicond. Czech. Acad. Sci., Praga, [Wyd.] Academic, New York, 1961, s. 336.
[9] W. G. Spitzer, H. Y. Fan, Phys. Rev. 106, 8289 (1957).
[10] R. Braunstein, E. O. Kane, J. Phys. Chem. Solids 23, 1423 (1962).
[11] W. G. Spitzer, M. Gershenzon, C. J. Frosch, D. F. Gibss, J. Phys. Chem. Solids 11, 339 (1959).
[12] M. D. Sturge, Phys. Rev. 127, 768 (1962).
[13] L. Pavesi, M. Guzzi, J. Appl. Phys. 75, 4779 (1994).
[14] P. J. Dean, D. G. Thomas, Phys. Rev. 150, 690 (1966).
[15] J. I. Pankove, Zjawiska optyczne w półprzewodnikach, WNT, Warszawa 1974. s. 75.
[16] D. Strauch, B. Domer, J. Phys. Condens. Matter 2, 1457 (1990).
[17] M. Hass, Optical Properties of III — V Compounds, [w:] Semiconductors and Semimetals, vol. 3, s. 3, 1967, [wyd.] Academic, Nowy Jork.
[18] F. Johnson, Proc. Phys. Soc. (London) 73, 265 (1959). M. M. Pradhan, R. K. Garg, M. Arora, Infrared Phys. 27, 25 (1987).
[19] W. Cohran, S. Fray, F. Johnson, J. Appl. Phys. 32, 2102 (1961).
[20] G. Bauer, W. Richter, Optical Characterization of Epitaxial Semiconductors Layers, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, Nowy Jork 1996.
[21] C. Jagannath, Z. W. Grabowski, A. K. Ramdas, Solid State Commun. 29, 355 (1979).
[22] R. A Stradling, P. C. Klipstein, Growth and Characterization of Semiconductors, [wyd.] Adam Hilger, Bristol, Nowy Jork 1990.
[23] J. Misiewicz, J. Wróbel, B. P. Clayman, Solid State Commun. 66, 747
(1988).
[24] D. E. Aspnes, A. A. Studna, Phys. Rev. B27, 985 (1983).
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
spektroskopia064 128 z 30 studni GaAs o grubości 26 nm i odpowiedniej liczby barier z Al0 28Ga0 72As
spektroskopia063 126 Rys. 80. Widma absorpcji dla studni GaAs/AIGaAs o różnych grubościach zmierzone
39097 spektroskopia063 126 Rys. 80. Widma absorpcji dla studni GaAs/AIGaAs o różnych grubościach zmi
skanuj0001 (5) Po podstawieniu warunków początkowych (D-13.30) do równań (D-13.26) i (D-13.27) otrzy
spektroskopia007 14 Jeżeli absorpcja a lub grubość próbki d jest odpowiednio duża, tzn. a-d > 1,4
•••oo3 4G 11:37Q melb 30 dni C 7- REST 25 26 27 -REST Ponad milion
C (74) wodzenia. Po sklejeniu należy element 30 nakleić na część 26, po czym na część 30 nakleić pom
931.5.10.2. ZASADY KSZTAŁTOWANIA ODLEWÓW [10], [30], [33] 2. MINIMALNA GRUBOŚĆ ŚCIAN ODLEWÓW Tabl.
4 (1128) 30 Michał Parczewski 14.26-27, 29). No i „te same mają, krótko mówiąc, urządzenia i obyczaj
OSTATNIA WIECZERZA 01 Ostatnia Wieczerza Ewangelia wg św. Łukasza 22,7-13; wg św. Jana 13,1-20; 27-3
mz0030 rury średnicy około 30 mm i dowolnej grubości ścianki, którego maksymalna długość może wynosi
czeste usterki <u 1 2 3 4 6 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 IC 1 LC7 185-8750 30 29 28 27 26 25 24 23 2
20070611 150943 11 bmp Olsz czarna -Almis Gul li nosa Hipokolyl 10-30 mm równej grubości, ciemnopurp
DSCF1709 ® TEST Z PSYCHOTERAPII ® PUNKTAGA ® 30-27- bardzo dobrya ® 26-22-dobry ® 21-17-dostateczny
więcej podobnych podstron