8624

1. Wstęp teoretyczny

Tranzystory unipolarne (połowę) stanowią obok tranzystorów bipolarnych drugą ważną klasę tych elementów elektronicznych Przewodzenie piądu w tych tranzystorach oparte jest tylko na jednym rodzaju nośników większościowych, stąd nazwa unipolarne. Wspólną cechą wszystkich tranzystorów unipolarnych jest oddziaływanie pola elektrycznego na rezystancję półprzewodnika, stąd nazwa połowę Tranzystory unipolarne są sterowane napięciowo - napięciem Uas Do grupy tranzystorów unipolarnych należą:

•    tranzystory unipolarne złączowe (JFET)

•    tranzystory unipolarne z izolowaną bramką (IGFET)

1.1 Rodzaje tranzystorów unipolarnych złączowych

Tranzystory unipolarne złączowe dzielą się na dwa rodzaje:

•    z kanałem typu p

•    z kanałem typu n

Rys. 1 Oznaczenie graficzne tranzystora unipolarnego złączowego a) z kanałem typu n; b) z kanałem typu p.

1.2 Budowa tranzystora unipolarnego złączowego

G (gate) bramka

Warstwa zaporowa

Rys. 2. Budowa wewnętrzna tranzystora unipolarnego złączowego z kanałem typu n

Tranzystor JFET składa się z obszaru półprzewodnika typu n lub p, do którego w jednym końcu dołączona jest elektroda S, czyli źródło a na drugim końcu elektroda D, czyli dren Trzecia elektroda B - bramka połączona jest z obszarem typu przeciwnego do obszaru kanaki Tworzy się dookólne złącze p n wytworzone metodą dyfuzji lub wtopienia.

-2-

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
1. Wstęp teoretyczny Tranzystory unipolarne (połowę) stanowią obok tranzystorów bipolarnych drugą
1. Wstęp teoretyczny Tranzystor bipolarnym zwany też warstwowym, stanowi kombinację dwóch
1.Wstęp teoretyczny. Tranzystorowy układ Schmitta. Jednym z podstawowych czynnych układów techniki
1. Wstęp teoretyczny Do grupy tranzystorów unipolarnych należą tranzystory z izolowaną bramką (IGFET
1 Wstęp teoretyczny CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA- wyrażają związek między jego prądami i
Slajd6 (112) Tranzystory połowę Tranzystory połowę tak jak i tranzystory bipolarne są elementami pół
Badanie tranzystora bipolarnego Wstęp: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statecznych
1. Wstęp teoretyczny Rozpuszczanie ciała stałego w mieszalnikach stanowi jedną z prostszycli metod
357 (22) Wstęp— 357 Tranzystory MESFET mają znaczenie wyłącznie jako elementy mikrofalowe, dlatego s
skanuj0028 (105) Wstęp teoretyczny:Szeregowy obwód rezonansowy Obwód rezonansowy jest prostym układe
File0031 (2) Ćwiczenie 24 PADANIE REZONANSU W OBWOOACH ELEKTRYCZNYCH 24.1. Wstęp teoretyczny Zjawisk
I TERMIN 2 (2) 9) Narysuj układ polaryzacji tranzystora bipolarnego n-p-n ze sprzężeniem emiterowym.
Image023 wymaga mniejszej liczby operacji niż wykonanie tranzystora bipolarnego (tabl. 1.4). Gęstość
0000003 (26) Wstęp Wrodzone choroby układu kostnego stanowią duży odsetek wśród wad rozwojowych rozp

więcej podobnych podstron