124870

AGH, WIET	ELEMENTY ELEKTRONICZNE - LABORATORIUM	Rok 1 EiT
Nr ćwiczenia:	Temat
4	Złączowe tranzystory połowę.
Data	ItTię i hazwisko:	Ocena:
wykonariia:	Mateusz Fundakowski
22-04-2013	Krystian Majer

1. .Egm&Qrji£LQM^a£ZQ.wJJ:EllaRQ. JuncńoRliddzEft&Jmiizster} - jeden z rodzajów tranzystorów polowych. Tranzystor taki składa się z

warstwy półprzewodnika typu N [tranzystor z kanałem typu N) lub typu P [tranzystor z kanałem typu P) oraz wdyfundowanej w nią, silnie domieszkowanej warstwy półprzewodnika przeciwnego typu [odpowiednio p+ i n+]. Tak więc w tranzystorze tworzone jest złącze p-n. Na ze wnątrz obudowy wyprowadzone są trzy końcówki: dren (ang. dram, ozn. D); źródło (ang. source, ozn. S) oraz bramka [ang. gate, ozn. G]. Tranzystor polaryzuje się tak, ażeby no miki większo ściov* [dziury w tranzystorach typu P, elektrony w tranzystorach typu NJ prze pływały od źródła do drenu. Natomiast złącze bramka-źródło polaryzuje się zaporowo.

2. Tronskonduteancie najprościej wyznacza się z charakterystyki przej ściowej jako iloraz niewielkiego przyrostu prądu drenu do wywołującego tę zmianę przyrostu napięcia bramki lub też jako tangens nachylenia stycznej do charakterystyki w określonym jej punkcie, przy czym w tym przypadku należy uwzględnić po działkę obu osi. Transkoduktancje dynamiczna wyznacza się metodą mało sygnałową, mierząc składowe zmienne napięcia bramki i prądu drenu przy ustalonym punkcie pracy tranzystora. Stosuje się przy tym różne metody mostkową, zerową, porównawczą a najczęściej metodę opartą na pomiarze współczynnika wzmocnienia tranzystora unipolarnego w układzie ze wspólnym źródłem.

3. Budowa tranzystora pobweoo;

Zasadniczą częścią tranzystora pobwego jest kryształ odpowiednio domieszkowanego półprzewodnika z dwiema elektrodami: źródłem [symbol S od ang. source, odpowiednik emitera w tranzystorze bipolarnymi i drenem |D, drom, odpowiednik kolektora]. Pomiędzy nimi tworzy się tzw. kanał, którym płynie piąd. Wzdłuż kanału umieszczona jest trzecia elektroda, zvranabramką (G, gate, odpowiednikbazyj. W tranzystorach epiplanamych, jak również w przypadku układów scalony h, w których wytwarza się wiele tranzystorów na wspólnym krysztale, wykorzystuje się je szcze czwartą elektrodę, tzw. podłoże (B, hulkabo body), służącą do odpowiedniej polaryzacji podłoża