2500335390

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechniki Łódzkiej: Komputerowe projektowanie układów

2.3.2. Analiza układu zawierającego tranzystor MOS-FET.

Na rysunku 2.3.2.1 przedstawiono układ elektroniczny zawierający tranzystor MOSFET. Wykonaj następujące symulacje.

a) ANALIZA DC: Wykreślić na wspólnym rysunku charakterystyki przejściowe trzech tranzystorów MOS (napięcie V(3) w funkcji napięcia VIN). Napięcie VIN zmienia się od 5,0V do 5,0V z krokiem 0.2V.

b) ANALIZA TR: Wykonać analizę TR od 0 do l,0E-6s z krokiem 0,02E-6s przy sygnale wejściowym z rysunku 2.2.3. Wykreślić krzywe na wspólnym rysunku.

c) ANALIZA AC: Wykonać analizę AC od 100Hz do lOOOMegHz w skali logarytmicznej z 101 punktami na dekadę.

d) PROJEKT: W oparciu o układ połączeń z rysunku 2.3.2.1 obliczyć, a następnie zwery fikować poprawność obliczeń odpowiednimi symulacjami w programie Spice, wzmacniacz o punkcie pracy i wzmocnieniu napięciowym ustalonym z prowadzącym zajęcia.

Uwaga:

Analiza a) i b) pow inna być wykonana przy pomocy jednego programu, a krzywe powinny być porównane i skomentowane na wspólnym rysunku.

Analiza c) powinny być wykonana przy pomocy jednego programu dla w szy stkich modeli tranzy storów , a krzywe pow inny być porów nane i skomentowane na jednym rysunku.

Zadanie 2.4 (Tydzień 7, opcja 4) Tranzystor bipolarny

2.4.1. Narysować i porównać charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego w układzie połączeń pokazanym na ry sunku 2.4.1.1 dla trzech różnych wartości parametrów^ modelu:

a) model BUX48

.MODEL BUX48 NPN

+ IS=1 7E-10 BF=40 VAF=800 IKF=2.5 ISE=10U NE=4 BR=2 + ISC=10U NC=4 RB=0.7 RE=0.02 RC=0.12 + CJE=715P VJE=1.89 MJE=0.586 TF=0.17NS + CJC=189P VJC=0.986 MJC=0.428 TR=1100NS + CJS=125P EG=1.11 XTI=3.0 KF=0 + AF=1 FC=0.5

Strona 14 z 61