forum szukaj książki linki artykuły
teoria dla poczÄ…tkujÄ…cych schematy elektronika retro mikrokontrolery
Teoria
Tranzystory bipolarne
Tranzystor - Obrazowe przedstawienie wzmacniacza z tranzystorem npn - Charakterystyki tranzystora - Parametry
graniczne tranzystora - Typowe parametry tranzystorów - Prosta obciążenia - Układy polaryzacji tranzystorów - Układ ze
wspólnym emiterem - Układ ze wspólną bazą - Układ ze wspólnym kolektorem (wtórnik emiterowy) - Układ darlingtona -
Wzmacniacz różnicowy - Pomiar parametrów tranzystorów - Kilka zastosowań tranzystorów
Tranzystor jest elementem półprzewodnikowym i aby wyjaśnić w pełni jego działanie musiałbyś podobnie jak dla diody
poznać budowę złącza p-n (tutaj kłania się fizyka ciała stałego), a ponieważ aby można było skorzystać z właściwości
tranzystora nie jest to niezbędne nie bedziemy sie więc tym zajmować.
Tranzystor jest elementem o trzech końcówkach (elektrodach) i służy do
wzmacniania lub przełączania sygnałów. Tranzystory bipolarne dzieli się na
krzemowe i germanowe, a każdy z nich może być typu npn lub pnp. Na rys.
4.1.1 przedstawione są symbole graficzne tranzystorów npn i pnp oraz ich
diodowe modele zastępcze.
Patrząc na diodowe modele zastępcze tranzystorów można stwierdzić, że
tranzystor składa się z dwóch połączonych ze sobą diod o wspólnej warstwie
n lub p. Dołączona do wspólnej warstwy elektroda nazywana jest bazą - B.
Pozostałe elektrody tranzystora bipolarnego mają następujące nazwy: C -
kolektor, E - emiter.
Przyjęło się również w sposób określony oznaczać napięcia na
tranzystorze. Napięcie na elektrodach tranzystora mierzone względem masy
oznaczane jest indeksem w postaci pojedynczej dużej litery C, B lub E i tak
na przykład UC oznacza napięcie na kolektorze. Napięcie między dwoma
rys. 4.1.1 elektrodami oznacza się podwójnym indeksem, np. dla napięcia między bazą,
a emiterem będzie to UBE.
Diodowy schemat zastępczy jest bardzo dużym uproszczeniem i nie
wyjaśnia działania tranzystora lecz daje pewien pogląd na to jakie napięcia
występują między jego elektrodami.
Korzystając z tego schematu można powiedzieć, że w tranzystorze złącze
baza-emiter i kolektor-baza zachowujÄ… siÄ™ jak diody. Aby tranzystor
znajdował się w stanie normalnej pracy to muszą być spełnione następujące
warunki:
dla tranzystora npn potencjał kolektora musi być wyższy od potencjału
emitera,
dla tranzystora pnp potencjał kolektora musi być niższy od potencjału
emitera,
dioda baza-emiter musi być spolaryzowana w kierunku
przewodzenia, a dioda kolektor-baza w kierunku zaporowym,
nie mogą zostać przekroczone maksymalne wartości IC, IB, UCE, moc
wydzielana na kolektorze IC· UCE, temperatura pracy czy też napiÄ™cie
UBE.
rys. 4.1.2
Aby te warunki były spełnione to zródła napięć zasilających muszą być
podłączone jak na rys. 4.1.2 dla tranzystora npn i jak na rys. 4.1.3 dla
tranzystora pnp.
Bardzo ważnym jest aby patrząc na diodowy model zastępczy nie mylić
czasami prądu kolektora z prądem przewodzenia diody kolektor-baza gdyż
jest ona spolaryzowana zaporowo, a płynący prąd kolektora jest wynikiem
działania tranzystora. Prąd kolektora IC i prąd bazy IB wpływające do
tranzystora łączą się w jego wnętrzu i wypływają w postaci prądu emitera IE
(patrz na rys. 4.1.5).
Jeżeli tranzystor jest w stanie normalnej pracy czyli spełnia powyższe
rys. 4.1.3 warunki to z dobrym przybliżeniem prawdziwą jest zależność, którą warto
zapamiętać:
IC=hFE· IB=b·IB
gdzie hFE jest współczynnikiem wzmocnienia prądowego nazywanego również
betą. Współczynnik ten może przyjmować wartości od 50 do 300A/A dla tego
samego typu tranzystora, a więc nie jest parametrem na którym można
opierać parametry projektowanego układu. Jak wzór na ten współczynnik
wyprowadzić dowiesz się w następnym punkcie.
Z zależności przedstawionej wyżej wynika ważna cecha tranzystorów jaką
jest sterowanie przez mały prąd wpływający do bazy dużym prądem
wpływającym do kolektora.
Dla uproszczenia dalszy opis dotyczący tranzystora będzie dotyczył
tranzystora typu npn, dla tranzystora pnp wystarczy zmienić polaryzację
wszystkich napięć na przeciwną.
Stosując model diodowy można łatwo zauważyć, że w czasie pracy
tranzystora napięcie na bazie można wyrazić wzorem:
UB=UE+UBE
oczywiście dla tranzystorów pnp należy odwrócić polaryzację napięć. Ważną
sprawą, na którą należy zatem zwrócić uwagę jest zbytnie przekroczenie
wartości napięcia między bazą, a emiterem. Przekroczenie napięcia na bazie
o więcej niż 0.6 do 0.8V (jest to napięcie przewodzenia diody) w stosunku do
emitera spowoduje, że przez bazę przepłynie bardzo duży prąd, który może
doprowadzić do uszkodzenia tranzystora.
Obrazowe przedstawienie wzmacniacza z tranzystorem npn
Na rys. 4.1.4 przedstawiony jest tranzystor pracujący w układzie
wzmacniacza. ZÅ‚Ä…cze kolektor-baza jest spolaryzowane zaporowo (bateria
EC), natomiast złącze baza-emiter w kierunku przewodzenia (bateria EB). Z
kolei na rys. 4.1.5 pokazany jest rozpływ prądu w tranzystorze npn.
Ponieważ złącze baza-emiter jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia to
istnieje przepływ dziur z obszaru p do obszaru n oraz przepływ elektronów z
obszaru n do obszaru p.
Elektrony wprowadzane z emitera do bazy stają się tam nośnikami
mniejszościowymi i drogą dyfuzji oddalają się od złącza emiterowego. Część
tych elektronów łączy się z dziurami, których w bazie jest bardzo dużo
rys. 4.1.4
(obszar p). Wszystkie elektrony, które dotrą w pobliże złącza kolektor-baza
są unoszone do obszaru kolektora. Dla niedużej szerokości obszaru p (bazy)
praktycznie wszystkie elektrony wstrzykiwane przez emiter do bazy dotrÄ… do
kolektora. Bardzo ważnym jest aby strata elektronów w bazie była jak
najmniejsza. MiarÄ… tego na ile prÄ…d kolektora odpowiada prÄ…dowi emitera
jest współczynnik a nazywany współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
przy dużych sygnałach definiowany jako:
a=(IC-IC0)/IE
gdzie IC0 jest prądem złącza kolektorowego spolaryzowanego zaporowo przy
IB=0. W tranzystorach krzemowych wartość prądu IC0(zależąca od
rys. 4.1.5
temperatury) jest rzędu 0,001pA do 0,01pA i można go spokojnie pominąć.
Dla większości tranzystorów wartość a zawiera się w granicach od 0,95 do
0,99 czyli praktycznie 1.
Jak widać na rys. 4.1.5 prąd bazy IB składa się z prądu dziurowego
płynącego od bazy do emitera i z prądu wynikającego z rekombinacji dziur w
obszarze bazy.
Tranzystory wykonywane są tak aby oba te prądy były jak najmniejsze.
Osiągane jest to w ten sposób, że obszar n emitera jest bardzo silnie
domieszkowany i prąd elektronowy złącza baza-emiter jest zdecydowanie
większy od prądu dziurowego. W celu zmniejszenia drugiego składnika prądu
bazy czyli prądu wywołanego rekombinacją, zmniejsza się obszar bazy.
W efekcie prąd bazy IB ma wartość bardzo małą w porównaniu z prądem
kolektora IC.
W rezultacie można powiedzieć, że mały prąd wejściowy bazy IB steruje
znacznie większym prądem wyjściowym kolektora IC, a więc następuje efekt
wzmocnienia.
Aby znalezć zależność między IB oraz IC należy przeprowadzić kilka
wyliczeń. Z rys. 4.1.4 wynika, że
IC+IB=IE
co w połączeniu ze wzorem na współczynnik a (z tego wzoru wyliczyć należy
IE i podstawić do wzoru umieszczonego wyżej, a dalej to tylko
przekształcenia) daje następujący wynik
Wcześniej użyłem już pojęcia wzmocnienia prądowego beta, teraz należałoby
go bliżej zdefiniować
następnie można napisać
IC=(1+b)·IC0+b·IB
Prąd IC0 jest znacznie mniejszy od prądu IB i wobec tego współczynnik
wzmocnienia dla prądu stałego wynosi
Dobrze zapamiętaj ten wzór bo jest on bardzo przydatny. Często spotkasz
się w literaturze z określeniami wzmocnienia stałoprądowego hFE i
małosygnałowego hfe. Oba te współczynniki zwykle są nie rozróżniane i
określane są tą samą nazwą b (beta) i nie jest to poważny błąd gdyż są one
praktycznie równe (za wyjątkiem zakresu dużych częstotliwości), a oprócz
tego rozrzut wartości b dla danego tranzystora jest tak duży, że różnica ta
jest bez praktycznego znaczenia.
Charakterystyki tranzystora przedstawione na rysunkach 4.1.6, 4.1.7,
4.1.8, 4.1.9 i 4.1.10 najlepiej nadają się do opisu i analizy jego działania.
Na rys.4.1.7 pokazana jest charakterystyka wyjściowa tranzystora, która
przedstawia zależność prądu kolektora IC od napięcia kolektor-emiter UCE
przy doprowadzonym napięciu wejściowym baza-emiter UBE.
Z charakterystyki tej można stwierdzić, że:
powyżej pewnego napięcia prąd kolektora prawie nie zależy od
napięcia UCE,
do wywołania dużej zmiany prądu kolektora DIC wystarczy mała
rys. 4.1.6 rys 4.1.7 zmiana napięcia baza-emiter DUBE.
Punkt, w którym następuje zagięcie charakterystyki wyjściowej nazywany
jest napięciem nasycenia kolektor-emiter UCEsat.
Zależność prądu kolektora od napięcia wejściowego jest lepiej widoczna na
charakterystyce przejściowej pokazanej na rys. 4.1.6. Prąd kolektora IC jest
tu funkcją napięcia baza-emiter UBE. Charakterystyka ta, tak jak
i charakterystyka diody ma charakter wykładniczy. Jednak w odróżnieniu od
równania diody dla tranzystora współczynnik korekcyjny m jest praktycznie
równy jeden i wzór opisujący charakterystykę przejściową można z dobrym
przybliżeniem przedstawić jako:
rys. 4.1.8 rys 4.1.9
To równanie jest oczywiście prawdziwe przy założeniu, że prąd IC jest
znacznie większy od prądu IC0. Zmianę prądu kolektora IC wynikającą ze
zmiany napięcia baza-emiter UBE charakteryzuje parametr nazywany
konduktancją przenoszenia w przód lub inaczej transkonduktancją
oznaczanÄ… symbolem gm
rys. 4.1.10
aby ją obliczyć należy zróżniczkować równanie opisujące charakterystykę
przejściową i otrzyma się
Jak widać z otrzymanego wzoru transkonduktancja jest proporcjonalna do
prądu kolektora i nie zależy od indywidualnych właściwości tranzystora.
Zależność prądu kolektora IC od napięcia kolektor-emiter UCE jest
charakteryzowana przez parametr nazywany różniczkową rezystancją
wyjściową oznaczaną jako rce
Patrząc na rys. 4.1.7 można zauważyć, że nachylenie charakterystyki przy
większych prądach kolektora rośnie, a więc rezystancja wyjściowa rce maleje
i w przybliżeniu jest odwrotnie proporcjonalna do prądu kolektora IC, czyli
Współczynnik proporcjonalności UY nazywany jest współczynnikiem
Early'ego . Jego wartość można wyznaczyć na drodze pomiarów rce, co
pozwala na wyliczanie rezystancji wyjściowej dla różnych prądów IC. Typowe
wartości UY wynoszą od 80 do 200V dla tranzystorów npn i od 40 do 150V
dla tranzystorów pnp.
Na rys. 4.1.8 przedstawiona jest charakterystyka wejściowa pokazująca
zależność prądu bazy IB od napięcia baza-emiter UBE. Charakterystyka ta ma
podobnie jak charakterystyka przejściowa (rys. 4.1.6) przebieg wykładniczy
tyle, że w tym przypadku nie można pominąć współczynnika m gdyż nie jest
on równy jedności. Charakterystykę wejściową można więc opisać
równaniem
Parametrem ściśle związanym z charakterystyką wejściową jest różniczkowa
rezystancja wejściowa rbe definiowana jako
Aby wyliczyć jej wartość należy zróżniczkować równanie opisujące
charakterystykę wejściową i w efekcie otrzyma się następujący wzór
Ze względu na to, że współczynnik korekcyjny m ma różne wartości dla
różnych przypadków, na podstawie tego wzoru nie można określić wartości
rbe i dlatego należy znalezć inną jego postać w czym pomocne będą dwie
charakterystyki przedstawione na rys. 4.1.9 i 4.1.10.
Na rys. 4.1.9 przedstawiona jest zależność prądu kolektora IC od prądu
bazy IB. Patrząc na rys. 4.1.9 można powiedzieć (z dobrym przybliżeniem),
że prąd kolektora jest proporcjonalny do prądu bazy IC=bIB.
Współczynnik występujący w tym wzorze nazywany jest statycznym
współczynnikiem wzmocnienia prądowego b i był już opisywany wcześniej.
Równanie opisujące charakterystykę wejściową zawiera współczynnik m,
który nie jest równy 1, a więc wzmocnienie prądowe nie jest stałe i zależy od
prądu kolektora co pokazane jest na charakterystyce z rys. 4.1.10. Można
więc zdefiniować małosygnałowy współczynnik wzmocnienia prądowego b
jako
Korzystając z tej definicji oraz ze wzoru na transkonduktancję gm można
wyprowadzić wzór na rezystancję wejściową rbe w postaci, która umożliwi
wyliczanie tej rezystancji.
W zasadzie można by analizować charakterystyki jeszcze dosyć długo, ale
myślę, że lepiej skorzystać z właściwej literatury.
Parametry graniczne tranzystora
Tranzystory, tak zresztÄ… jak inne elementy elektroniczne, majÄ…
charakterystyczne dla siebie parametry graniczne, tzn. takie których
przekroczenie grozi uszkodzeniem tranzystora.
Do takich właśnie parametrów należą:
UEB0max - dopuszczalne napięcie wsteczne baza-emiter
UCB0max - dopuszczalne napięcie wsteczne kolektor-baza
UCE0max - maksymalne dopuszczalne napięcie kolektor-emiter
ICmax - maksymalny prÄ…d kolektora
IBmax - maksymalny prÄ…d bazy
Pstrmax - maksymalna dopuszczalna moc strat
Parametry takie jak ICmax, UCE0max, Pstrmax wyznaczajÄ… dopuszczalny obszar
pracy, który nosi również nazwę "dozwolonego obszaru pracy aktywnej" w
skrócie SOA (skrót od ang. "safe operating area" - jest często stosowany).
Na rysunku 4.1.11 przedstawiającym charakterystyki wyjściowe tranzystora
rys. 4.1.11
pokazany jest przykład, dozwolonego obszaru pracy tranzystora.
Typowe parametry tranzystorów
Tranzystory oprócz parametrów granicznych posiadają również kilka innych
parametrów, które są podawane przez producentów na kartach
katalogowych.
W poniższej tabelce podane są parametry dla tranzystora małej mocy i dla
tranzystora mocy.
Typ BC237B BD249A
Typ przewodnictwa npn npn
Parametry graniczne
Napięcie kolektor-emiter UCE0max 45V 60V
PrÄ…d kolektora ICmax 100mA 25A
Napięcie baza-emiter UEB0max 6V 5V
PrÄ…d bazy IBmax 50mA 5A
Moc strat Pstrmax 300mW 125W
Parametry
PrÄ…d zerowy kolektora ICE0 0,2nA 0,5mA
Pojemność kolektor-baza Cjc 3pF 500pF
Pojemność emiter-baza Cje 8pF
Parametry przy IC 1mA 1A
Napięcie baza-emiter UBE 0,6V 0,8V
Napięcie nasycenia UCEsat 60mV 200mV
Wsp. wzmocnienia prÄ…dowego b ok. 150 ok. 100
Prosta obciążenia
Przy wyjaśnianiu, projektowaniu i obliczaniu układów tranzystorowych często
korzysta się z wielu przybliżeń i uproszczeń, bez których czynności te byłyby
bardzo utrudnione (zupełnie niepotrzebnie).
Aby zrozumieć sens tych uproszczeń dobrze jest poznać tzw. "prostą
obciążenia" wrysowaną w charakterystyki wyjściowe tranzystora. Oprócz
tego prosta obciążenia doskonale ilustruje tzw. "punkt pracy" tranzystora i
pomoże zrozumieć w jaki sposób należy dobierać wartości napięć i prądów
określających ten punkt.
Do wyznaczenia prostej obciążenia wystarczy znajomość II-go prawa
Kirchhoffa i podstawowa wiedza z matematyki (co to jest funkcja liniowa).
Na rysunku 4.1.12 przedstawiony jest układ złożony z tranzystora npn, do
którego szeregowo dołączony jest rezystor RC. Całość jest zasilana napięciem
UCC. Korzystając z II-go prawa Kirchhoffa można napisać
UCC=URc+ UCE
Przypominając sobie zależność wynikającą z Prawa Ohma, powyższe
równanie można zapisać następująco
UCC=IC· RC+ UCE
rys. 4.1.12
z tego równania po kilku prostych przekształceniach matematycznych
otrzymuje się równanie pokazujące zależność między prądem kolektora IC, a
napięciem kolektor-emiter UCE
co odpowiada matematycznemu zapisowi funkcji liniowej typu
y=-ax+b
Tak wyznaczoną prostą obciążenia (obciążeniem dla tranzystora jest tutaj
rezystor RC) można wrysować w charakterystyki wyjściowe tranzystora, co
jest przedstawione na rysunku 4.1.13. Aby taką prostą narysować wystarczy
równanie tej prostej rozwiązać dla dwóch granicznych warunków, a więc dla
IC=0 i UCE=0.
Dla IC=0 mamy
0=-UCE/RC+UCC/RC
czyli
UCE=UCC
rys. 4.1.13
co daje punkt A.
Dla UCE=0 mamy
IC=UCC/RC
co daje punkt B.
Punkty A i B połączone ze sobą dają prostą obciążenia. Prosta ta przecina
się z charakterystykami wyjściowymi tranzystora (w tym przypadku
tranzystor pracuje w układzie współnego emitera WE), a punkt przecięcia P
wyznacza punkt pracy tranzystora czyli prąd kolektora IC oraz napięcie UCE
dla określonego prądu bazy IB. W związku z tym, że tranzystor jest
elementem sterowanym prądem bazy, to jak widać na rysunku 4.1.13 punkt
pracy P może poruszać się po prostej obciążenia od punktu A' do B' w
zależności od wartości prądu bazy IB. Punkty A i B nie są osiągalne, gdyż
rozpatrując punkt A - dla IB=0 płynie jednak bardzo mały prąd (zerowy)
kolektora ICE0 i napiÄ™cie UCE różni siÄ™ od UCC o bardzo maÅ‚Ä… wartość ICE0· RC
(tranzystor nie stanowi idealnej przerwy), z kolei dla punktu B czyli dla
dużych prądów bazy tranzystor jest w stanie nasycenia ale nie stanowi
idealnego zwarcia i pozostaje tzw. napięcie nasycenia UCEs.
Przy projektowaniu układów tranzystorowych należy tak dobierać
stałoprądowy punkt pracy P tranzystora aby zmiany wynikające ze zmian
sygnału sterującego IB nie powodowały zniekształceń sygnału wyjściowego
(napięcie na kolektorze). Jeżeli punkt pracy będzie zbyt blisko punktu B to
przy np. sygnale sinusoidalnym mogą być obcinane górne połówki sinusoidy,
z kolei jeśli punkt P przesunąć w stronę A to dla tego samego sygnału mogą
być obcinane dolne (ujemne) połówki sinusoidy. Przy rozwiązywaniu zadań
projektowych dotyczÄ…cych doboru punktu pracy tranzystora proponujÄ™ abyÅ›
próbował przedstawić sobie ten punkt w postaci graficznej przy pomocy
prostej obciążenia i wyjściowych charakterystyk tranzystora.
Co do niezbędnych uproszczeń jakie należy zrobić dla ułatwienia
projektowania (obliczeń) to warto przyjrzeć się prostym obciążenia na
rysunku 4.1.13 narysowanymi kolorami czerwonym i niebieskim. Prosta
czerwona jest dla zmienionego obciążenia na wartość 2RC, a prosta niebieska
dla nieco zwiększonego zasilania UCC. Patrząc na rys. 4.1.13 widać, że dla
pierwszego przypadku punkt B' mocno się obniża punkt P2 przesunął się w
zakres nasycenia, w drugim przypadku prosta przesuwa się równolegle w
prawo powodując, że punkt P1 przesuwa się bliżej napięcia zasilającego. W
obu przypadkach widać, że prąd IC, prąd ICE0, napięcie UCEs zależą w małym
stopniu od napięcia zasilającego UCC i rezystancji RC (wynika to z faktu, że
charakterystyki wyjściowe są lekko nachylone). Zależność ta w
wystarczającym stopniu skomplikowałaby obliczenia i w związku z tym, że
nie jest ona aż tak znacząca można przyjąć, że:
prąd kolektora dla stanu aktywnego jest opisywany równaniem
IC=b · IB+ ICE0 co oznacza, że IC nie zależy od UCE, a tym samym
oznacza, że charakterystyki wyjściowe są dla kolejnych wartości
prądów IB liniami prostymi biegnącymi poziomo, co jest zilustrowane
na rys. 4.1.14
Wzmocnienie prądowe b ma wartość stałą niezależną od punktu pracy
napięcie baza-emiter UBE nie zależy od prądu bazy IB
napięcie nasycenia UCEs nie zależy od prądu kolektora IC ani od prądu
bazy IB
granicą między stanem aktywnym, a stanem nasycenia tranzystora
jest stan gdy napięcie kolektor-baza UCB=0 czyli UCE=UBE
Przy tych wszystkich uproszczeniach charakterystyki wyjściowe tranzystora
wyglądają jak na rys. 4.1.14. Widać wyraznie, że zmiana punktu pracy
rys. 4.1.14 spowodowana zmianÄ… RC lub UCC nie powoduje zmian prÄ…du IC. Aby
sprawdzić te wszystkie rozważania proponuję zaglądnąć do zadań i
przykładów i rozwiązać kilka z nich lub przeanalizować sposób rozwiązania
zadania 4.1.1.
Układy polaryzacji tranzystorów
O takich układach mówi się również: układy zasilania tranzystorów czy też
układy ustalania punktów pracy. Układy te mają za zadanie nie tylko zasilać
tranzystor ale również ustalać jego stałoprądowy punkt pracy, czyli stałe
napięcie kolektor-emiter UCE i stały prąd kolektora IC.
Punkt pracy musi być dobrany w sposób optymalny do funkcji jaką spełnia
układ, w którym pracuje tranzystor.
Abyś zdał sobie sprawę jak różne są wymagania co do punktów pracy
poniżej przedstawiona jest tabelka ukazująca typowe punkty pracy
tranzystorów w różnych zastosowaniach. Oczywiście podane wartości należy
traktować jako orientacyjne. W nawiasach podane są maksymalne wartości
chwilowe.
Zastosowanie IC (icm) UCE (ucem)
Stopnie wejściowe wzmacniaczy m.cz.
20-200 µA 1-5 V
o małym poziomie szumów
Stopnie pośrednie wzmacniaczy małych
0,2-2 mA 3-10 V
sygnałów (m.cz. i w.cz.)
Stopnie wejÅ›ciowe wzmacniaczy operacyjnych 1-10 µA 0,7-5 V
Wzmacniacze szerokopasmowe
5-50 mA 5-10 V
(B od 100 MHz do 1 GHz)
Wzmacniacze akustyczne średniej mocy (0,1-1 A) (5-12) V
Wzmacniacze akustyczne dużej mocy (2-10 A) (20-100 V)
Stopień odchylania poziomego TV (3-6 A) (800-1100V)
Nadajniki w zakresie KF i UKF (5-30 A) (30-60 V)
Przedstawię teraz kilka często spotykanych układów polaryzacji
tranzystora. Każdy z tych układów będzie poparty przykładem
obliczeniowym, który pomoże (mam nadzieję) w samodzielnym obliczaniu
elementów składowych podobnych układów.
Do najczęściej spotykanych układów ustalających punkt pracy tranzystora
należą:
- układ z potencjometrycznym zasilaniem bazy,
- układ z wymuszonym prądem bazy,
- układ ze sprzężeniem kolektorowym,
- układ z potencjometrycznym zasilaniem bazy i sprzężeniem
emiterowym.
Układ z potencjometrycznym zasilaniem bazy
Aby tranzystor przewodził to złącze baza-emiter musi być spolaryzowane w
kierunku przewodzenia, a napięcie baza-emiter UBE musi mieć odpowiednią
wartość (przyjmuje się najczęściej ok. 0,6V do 0,7V).
Najprostszym sposobem polaryzacji bazy, jaki można by zastosować jest
ustalenie napięcia UBE przy pomocy dzielnika napięciowego R1 i R2 tak jak to
jest pokazane na rys.4.1.15. Muszę od razu jednak zaznaczyć, że jest to
chyba najgorszy sposób rozwiązania układu polaryzacji tranzystora, a
dlaczego to się za chwilę okaże.
StosujÄ…c II-gie prawo Kirchhoffa, Prawo Ohma oraz korzystajÄ…c ze wzoru
na dzielnik napięcia można przedstawiony układ opisać następującymi
równaniami:
rys. 4.1.15
UCC=URC
+ UCE=IC· RC+ UCE
UBE=UCC · (R2/(R1 + R2))
Pierwsze z tych równań wyznacza prostą obciążenia, która wyznacza punkt
pracy (IC oraz UCE), drugie może posłużyć do wyliczenia wartości R1 i R2.
Dla założonego punktu pracy czyli prądu IC oraz napięcia UCE
z charakterystyk tranzystora (chatrakterystyki sÄ… zwykle podawane
w kartach katalogowych) można określić prąd bazy IB i napięcie baza-emiter
UBE, co jest pokazane na rys. 4.1.16, a następnie można wyliczyć
rys. 4.1.16
rezystancje R1 oraz R2.
Ustalenie wartości UBEP jest krytycznym momentem dla tego układu gdyż
stroma charakterystyka przejściowa (patrz punkt "Charakterystyki
tranzystora") powoduje, że bardzo małe zmiany DUBE powodują duże zmiany
prÄ…du kolektora IC, a co za tym idzie zmiany UCE.
Z powodu dużych rozrzutów produkcyjnych tranzystory tego samego typu
mają dla określonego prądu IC inne napięcie UBE dlatego należałoby w
zasadzie dla każdego tranzystora dobierać indywidualnie dzielnik R1, R2 lub
zastosować w miejsce R2 potencjometr (pracujący jako zmienny rezystor).
Jest to więc pierwszy z powodów dla których nie należy stosować takiego
układu polaryzacji tranzystora.
Układ ten jest szczególnie niekorzystny ze względu na dryft
temperaturowy napięcia UBE (zmiana UBE pod wpływem zmian temperatury
T), co jest drugim z powodów, dla którego nie należy go stosować. Dla
okreÅ›lonego prÄ…du IC napiÄ™cie UBE zmienia siÄ™ o okoÅ‚o DUBE/DT=2 mV/°C.
Zmianę tego napięcia można przedstawić jako zródło napięcia DUBE
połączone szeregowo z zródłem sygnału wejściowego i w związku z tym
podlega ono takiemu samemu wzmocnieniu jak sygnał wejściowy. Jeżeli
wzmocnienie napięciowe układu byłoby ku=-100 V/V to zmiana napięcia
DUCE pod wpływem zmian temperatury DT wynosiłaby
DUCE/DT=ku· (DUBE/DT)=-100 · 2 mV/°C=-200 mV/°C
co przy zmianie temperatury o np. 20°C daÅ‚oby zmianÄ™ punktu pracy
DUCE=-4V co w zasadzie czyniłoby układ bezużytecznym.
Jeszcze jednym ważnym powodem, dla którego nie polecam tego sposobu
polaryzacji tranzystora jest to, że punkt pracy zależy od wartości parametru
b. Rozrzut wartości tego współczynnika jest dla tego samego typu
tranzystora bardzo duży np. mieści się w przedziale od 100 do 300 co może
spowodować dużą zmianę punktu pracy. Przy zakładanym punkcie pracy np.
IC=1 mA i UCE=5 V zmiana b ze 100 na 200 podwoiłaby prąd IC co przy
zasilaniu UCC=10 V i RC=5kW dałoby spadek napięcia na rezystorze RC
równy 10V, czyli tranzystor wszedłby w stan nasycenia, co jest w przypadku
wzmacniacza niedopuszczalne.
Układ z wymuszonym prądem bazy
Układ przedstawiony na rys. 4.1.17 jest układem polaryzacji tranzystorów
bipolarnych, który eliminuje wpływ zmian napięcia UBE na punkt pracy.
Dzieje się tak dzięki ustaleniu punktu pracy stałym prądem bazy. Aby
wymusić stały prąd bazy łączy się ją poprzez rezystor RB z napięciem
zasilającym UCC. Jednak i ten układ nie jest przykładem godnym
naśladowania, ponieważ punkt pracy mocno zależny od parametru b, a jak
wiadomo rozrzut tego parametru jest bardzo duży dla tego samego typu
tranzystorów.
Aby tranzystor był w stanie aktywnym należy ustalić jego punkt pracy czyli
IC oraz UCE. Stosując II-gie prawo Kirchhoffa oraz Prawo Ohma można
przedstawiony układ opisać następującymi równaniami:
rys. 4.1.17
UCC=URC+ UCE=IC· RC+ UCE
UCC=URB
+ UBE=IB· RB+ UBE
Powyższe równania można przedstawić w sposób graficzny, jak na
rys. 4.1.18. Są to znane już z poprzedniego punktu ("Prosta obciążenia")
proste obciążenia - nie będę więc powtarzał sposobu ich wyznaczania.
Dla założonego punktu pracy czyli prądu IC oraz napięcia UCE
z charakterystyk tranzystora można określić prąd bazy IB i napięcie
baza-emiter UBE, a następnie wyliczyć rezystancje RB oraz RC.
rys. 4.1.18 Przekształcając matematycznie równania opisujące układ z rys. 4.1.17
otrzymuje się następujące zależności, które pozwolą na wykazanie, że układ
z wymuszonym prądem bazy jest faktycznie w małym stopniu podatny na
zmiany punktu pracy pod wpływem zmian napięcia UBE.
RB=(UCC- UBE)/IB
RC=(UCC- UCE)/IC
IB=(UCC- UBE)/RB
Oczywiście zależności te pozwolą również obliczyć wartości RB i RC.
Jeżeli napięcie UBE zmieni się o wartość DUBE to prąd bazy musi się
zmienić o wartość
DIB=DUBE/RB
Korzystając z wcześniej otrzymanych zależności można wyliczyć względną
zmianÄ™ prÄ…du bazy czyli DIB/IB
DIB/IB=DUBE/(UCC- UBE)
Zmiany napięcia baza-emiter DUBE są zdecydowanie mniejsze od wartości
napięcia zasilającego UCC, a więc patrząc na powyższy wzór można
powiedzieć, że zmiany prądu bazy pod wpływem zmian napięcia baza-emiter
UBE są również nieznaczne. Najlepiej jednak zobrazować to przykładem
liczbowym. Załóżmy, że UCC=10 V, UBE=600 mV oraz
DUBE=50 mV, co odpowiadaÅ‚oby wzrostowi temperatury o ok. 25°C.
Korzystając ze wzoru na względną zmianę prądu bazy można wyliczyć, że
zmiana ta wyniesie DIB/IB=0,005, co stanowi 0,5% czyli faktycznie bardzo
mało.
Jeżeli teraz (pomijając prąd zerowy kolektora IC0) przypomnisz sobie
zależność prądu kolektora od prądu bazy
IC=b · IB
to łatwo dojdziesz do wniosku, że względna zmiana prądu kolektora DIC/IC
wywołana przez przez zmianę prądu bazy, która to z kolei była wywołana
zmianą napięcia baza-emiter jest tak samo mała jak względna zmiana prądu
bazy DIB/IB. Widać więc, że dla układu polaryzacji z wymuszonym prądem
bazy punkt pracy tranzystora praktycznie nie zależy od zmian napięcia
baza-emiter. Pozostaje jednak jeszcze silna zależność punktu pracy od
współczynnika b, który nie tylko ma duży rozrzut ale również dosyć mocno
zależy od temperatury, zmienia siÄ™ bowiem nawet o 1%/°C.
Proponuję przyglądnąć się przykładowi 4.1.2, który oprócz sposobu
obliczania elementów układu z rys. 4.1.17 pokaże zależność punktu pracy
tranzystora od współczynnika b i napięcia UBE oraz od rozrzutu ich wartości.
Układ ze sprzężeniem kolektorowym
Układ przedstawiony na rys. 4.1.19 jest zmodyfikowanym układem
z wymuszonym pradem bazy. Modyfikacja polega na tym, że rezystor RB jest
podłączony do kolektora, a nie do zasilania UCC.
Układ ten charakteryzuje się lepszą stałością punktu pracy niż dwa
wcześniej zaprezentowane. Charakterystycznym jest również dla niego to, że
nie dopuszcza do tego aby ranzystor wszedł w stan nasycenia nawet przy
bardzo dużej wartości b. Dzieje się tak dzięki zastosowaniu ujemnego
sprzężenia zwrotnego, realizowanego przez włączenie rezystora RB między
kolektor i bazę - stąd też jego nazwa "układ ze sprzężeniem kolektorowym".
Podobnie jak dla poprzednich układów stosując II-gie prawo Kirchhoffa,
Prawo Ohma oraz tym razem również I prawo Kirchhoffa można
rys. 4.1.19
przedstawiony układ opisać następującymi równaniami
IRC
=IC+ IB
UCC=URC
+ UCE
UCC=IRC
· RC+ UCE=(IC+ IB) · RC+ UCE
UCE=URB+ UBE=IB· RB+ UBE
KorzystajÄ…c z tych równaÅ„ oraz pamiÄ™tajÄ…c o zależnoÅ›ci IC=b · IB (przy
pominięciu IC0) i stosując kilka przekształceń i uproszczeń można
wyprowadzić wzór na prąd kolektora IC płynący w tym układzie.
IC=(UCC- UBE)/(RC + RB/b)
Z otrzymanego wzoru widać, że zależność prądu kolektora od zmian
napięcia UBE jest podobna jak dla układu z wymuszonym prądem bazy,
natomiast wpływ b na prąd kolektora IC jest znacznie mniejszy niż
w poprzednich układach, gdyż IC nie jest dla tego układu proporcjonalny do
IB. Jednak najbardziej istotną zaletą tego układu jest to, że nie dopuszcza do
tego aby tranzystor wszedł w stan nasycenia nawet przy bardzo dużej
wartości b. Można to wytłumaczyć w sposób bardziej obrazowy niż suche
wzory matematyczne. Jeżeli zastosujemy w układzie tranzystor o
współczynniku b większym niż przewidywany to prąd kolektora IC "będzie
chciaÅ‚" wzrosnąć (gdyż IC=b·IB), co spowoduje wzrost spadku napiÄ™cia na RC,
a to z kolei pociągnie za sobą zmniejszenie napięcia na kolektorze UCE, co da
zmniejszenie prądu bazy czyli zmniejszenie prądu kolektora. Jak widać układ
sam "przeciwdziała" wzrostowi prądu kolektora i wejściu tranzystora w stan
nasycenia. Tak właśnie działa ujemne sprzężenie zwrotne zastosowane w
tym układzie.
Proponuję przyglądnąć się przykładowi 4.1.3, który oprócz sposobu
obliczania elementów układu z rys. 4.1.19 pokaże zależność punktu pracy
tranzystora od współczynnika b i napięcia UBE oraz od rozrzutu ich wartości.
Przyglądając się wynikom przykładów 4.1.2 i 4.1.3 widać, że układ
polaryzacji ze sprzężeniem kolektorowym jest zdecydowanie mniej wrażliwy
na zmiany b i UBE niż układ z wymuszonym prądem bazy.
Układ z potencjometrycznym zasilaniem bazy i sprzężeniem
emiterowym.
Układ przedstawiony na rys. 4.1.20 jest następnym przykładem układu
polaryzacji tranzystora. Jest on często stosowany we wzmacniaczach
zbudowanych z elementów dyskretnych (czyli z pojedynczych elementów, a
nie z układów scalonych).
Aby przeanalizować ten układ najlepiej jest posłużyć się jego układem
zastępczym pokazanym na rys. 4.1.21. Układ ten zamiast dzielnika R1 i R2
zasilanego z UCC posiada theveninowski układ zastępczy, który złożony jest z
rezystora RB i zródła napięcia UB.
KorzystajÄ…c z twierdzenia Thevenina oraz z informacji zawartych w dziale
"Elementy RLC", a dotyczących dzielnika napięciowego można powiedzieć, że
elementy zastępczego obwód zasilania bazy czyli RB i UB przyjmują wartości
opisane wzorami
rys. 4.1.20
UB=UCC· [R2/(R1 + R2)]
RB=(R1 · R2)/(R1+ R2)
Podobnie jak dla poprzednich układów stosując II-gie prawo Kirchhoffa,
Prawo Ohma można przedstawiony na rys. 4.1.21 układ zastępczy opisać
następującymi równaniami
UB=URB
+ UBE+ URE
UB=IB· RB+ UBE+ IE· RE
UCC=URC
+ UCE+ URE
rys. 4.1.21 UCC=IC· RC+ UCE+ IE· RE
Przypominając sobie równania
IE=IB+ IC
IC=b·IB+ (1 + b)·IC0
oraz korzystając z równań opisujących układ z rys. 4.1.21 można łatwo
wyprowadzić wzór na prąd kolektora IC
IC=(UB- UBE)/(RE + RB/b)
Jak łatwo zauważyć to otrzymany wzór jest bardzo podobny do wzoru na
prąd kolektora dla układu ze sprzężeniem kolektorowym. Podobieństwo to
wynika z zastosowania tego samego mechanizmu ujemnego sprzężenia
zwrotnego, z tym że w tym przypadku jest to sprzężenie emiterowe.
Dlaczego więc stosować układ, który zawiera oprócz tranzystora cztery
rezystory, a nie dwa jak dla układu ze sprzężeniem kolektorowym? Otóż w
omawianych wcześniej układach wartości rezystorów wynikały z wybranego
punktu pracy czyli były określane przez napięcie UCE i prąd IC. W tym
układzie użycie czterech rezystorów pozwala na wybór dwóch z nich RE i RC
(oczywiście w pewnych granicach), co umożliwia optymalizację niektórych
właściwości układu, jak stałość punktu pracy czy też wzmocnienie. Patrząc
na powyższy wzór widać, że korzystnym jest stosowanie dużych wartości RE i
małych RB, ponieważ w takim przypadku napięcie UB musi być większe i
wpływ UBE maleje, jak również wartość prądu kolektora przestaje być
zależna od b gdyż RB/b jest znacznie mniejsze od RE. Jednak stosowanie tych
zaleceń we wzmacniaczach powoduje zmniejszenie wzmocnienia (dlaczego
tak jest - to przy okazji omawiania układu wzmacniacza sygnałów
zmiennych) i dlatego przy wyborze wartości rezystorów trzeba wybrać
kompromis.
Jak obliczyć dla tego układu drugą wartość określającą punkt pracy czyli
napięcie UCE? Trzeba wrócić do równania opisującego obwód kolektora czyli
UCC=IC· RC+ UCE+ IE· RE
i wyliczyć to napiÄ™cie korzystajÄ…c z zależnoÅ›ci IE=IB+ IC oraz IC=b·IB
UCE=UCC- IC·(RC+ RE)
Do otrzymanego wzoru można podstawić w miejsce IC wcześniej wyliczoną
zależność, lub też znając wartość prądu kolektora i napięcia UCE (jako
wartości opisujące wybrany punkt pracy) można otrzymany wzór
wykorzystać do obliczenia sumy RC+ RE.
Proponuję przyglądnąć się przykładowi 4.1.4, który oprócz sposobu
obliczania elementów układu z rys. 4.1.20 pokaże zależność punktu pracy
tranzystora od współczynnika b i napięcia UBE oraz od rozrzutu ich wartości,
podobnie jak to miało miejsce dla poprzednich układów.
Przyglądając się wynikom przykładów 4.1.2, 4.1.3 i 4.1.4 widać, że
potencjometryczny układ polaryzacji ze sprzężeniem emiterowym jest
zdecydowanie mniej wrażliwy na zmiany b i UBE pod warunkiem, że wartość
rezystora RE nie będzie zbyt mała.
To nie wszystko - już wkrótce dalszy ciąg informacji o tranzystorach...
Literatura: "Sztuka elektroniki" - P.Horowitz i W.Hill
"Układy półprzewodnikowe" - U.Tietze i Ch.Schenk
"Układy elektroniczne" - S.Seely
"Elektronika w zadaniach" - W.Ciążyński - Z.Nosal, J.Baranowski
"Układy elektroniczne cz.I - Układy analogowe liniowe"
UWAGA: Wszystkie umieszczone schematy, informacje i przykłady mają służyć tylko do własnych celów edukacyjnych i nie należy ich
wykorzystywać do żadnych konkretnych zastosowań bez przeprowadzenia własnych prób i doświadczeń, gdyż nie udzielam żadnych gwarancji, że
podane informacje są całkowicie wolne od błędów i nie biorę odpowiedzialności za ewentualne szkody wynikające z zastosowania podanych
informacji, schematów i przykładów.
Wszystkie nazwy handlowe, nazwy produktów oraz znaki towarowe umieszczone na tej stronie są zastrzeżone dla ich właścicieli.
Używanie ich tutaj nie powinno być uważane za naruszenie praw właściciela, jest tylko potwierdzeniem ich dobrej jakości.
All trademarks mentioned herein belong to their respective owners.
They aren't intended to infringe on ownership but only to confirm a good quality.
Strona wygląda równie dobrze w rozdzielczości 1024x768, jak i 800x600.
Optymalizowana była pod IE dlatego polecam przeglądanie jej w IE5.5 lub nowszych przy rozdzielczości 1024x768.
© Copyright 2001-2005 Elektronika analogowa
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Elektronika analogowa teoria tranzystory poloweElektronika analogowa teoria tranzystoryElektronika analogowa Teoria WstępElektronika analogowa teoria diodyElektronika analogowa Teoria Elementy RLCtranzystor bipolarny Ćwiczenie 3 instrukcja elektronikaElektronika analogowa Tranzystorytechnik elektronik 60 (teoria odp)4 Tranzystory bipolarne zadaniaCw Tranzystor bipolarnyElektronika Analogowa Kurs Bascom Avr W Przykĺ‚Adach Pierwszy ProgramF 1 Zasada działania tranzystora bipolarnego3 Tranzystory bipolarnewięcej podobnych podstron