6931258577

6931258577



http://layer.uci.agh.edu.pl/maglay/wrona

Rys. 4.7. Charakterystyki wyjściowe podstawowej ramki TTL w stanie nyiączenia, dla Ucc=5V, Un=0,4V 4.1.2. Przełączanie bramki

Załóżmy, że początkowo na jednym wejściu jest poziom niski L, natomiast na drugim wysoki H (bramka jest w stanie wyłączenia - rys. 4.6). Rozpatrzymy przypadek powolnego wzrostu napięcia wejściowego (w celu zaniedbania efektów przejściowych tzn. opóźnień wnoszonych przez poszczególne elementy układu). Na rys. 4.8 przedstawiono zależność napięcia wyjściowego od wejściowego bramki czyli tzw. charakterystykę przejściową. Początkowy wzrost napięcia wejściowego powoduje jedynie wzrost napięć na bazach tranzystorów Ti i T2. Dopóki napięcia na bazie Tnie przekroczy napięcia 0.7V (dla temperatury 25°C) tranzystor ten nie przewodzi i napięcie wyjściowe się nie zmienia. Dalszy wzrost napięcia wejściowego powoduje wprowadzenie tranzystora T2 w stan aktywny i liniowy spadek napięcia na wyjściu bramki (napięcie z kolektora T2 przenosi się na wyjście poprzez przewodzący T3 i diodę Di). Jednocześnie rośnie napięcie na rezystorze R2 i gdy osiągnie ono wartość 0.7V zaczyna przewodzić tranzystor T4 (równolegle do rezystora R4 włączone zostaje przewodzące złącze baza-emiter T4) co powoduje zmniejszenie rezystancji obwodu emiterowego tranzystora T2, wzrost prądu płynącego przez ten tranzystor i szybki spadek napięcia na jego kolektorze. Jednocześnie do bazy tranzystora T4 zaczyna wpływać coraz to większy prąd. Tranzystor ten jest szybko wprowadzany w stan nasycenia i napięcie wyjściowe bramki maleje do wartości Uol=0-2V, odpowiadającej niskiemu poziomowi napięcia. Jednocześnie tranzystor T3 zostaje odcięty i w rezultacie układ znajduje się w stanie stabilnym. Wartość napięcia wejściowego Ui, przy którym napięcie to staje się równe napięciu wyjściowemu Uo, stanowi umowny próg zmiany stanu logicznego układu i nazywa się napięciem progowym Ut bramki. Typowa wartość napięcia progowego Ut bramek TTL z serii standardowej wynosi ok. 1,4V przy 25°C, ale do celów testowych przyjmuje się wartość umownie równą 1,5V.

Proces wyłączania przebiega odwrotnie do procesu włączania. Początkowo na obydwóch wejściach jest poziom H, czyli typowe napięcia wejściowe są równe Ui = Uih = 3,5V. Przy zmniejszaniu się napięcia wejściowego układ bramki nie reaguje na zmianę Ui, dopóki napięcie wejściowe nie zbliży się do wartości ok. 1,5V. Wówczas tranzystor Ti zmienia polaryzację i wchodzi w nasycenie powodując przy dalszym zmniejszaniu napięcia wejściowego odcięcie tranzystorów T2 i T4. Tranzystor T2 szybciej wychodzi z nasycenia niż T4, gdyż tranzystor Ti zapewnia niskooporowe połączenie bazy T2 z masą, a ponadto tranzystor T4 przewodzi w stanie włączenia większy prąd ob-

18



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
http://layer.uci.agh.edu.pl/maglay/wrona/ Rys. 3 Przebieg stałych a, pw funkcji pulsacji 5.5
http://layer.uci.agh.edu.pl/maglay/wrona Rys. 4.2 Schemat ideowy bramki NAND z serii standardowej TT
http://layer.uci.agh.edu.pl/maglay/wrona/ Obydwa napięcia na wejściu i na wyjściu linii długiej
http://layer.uci.agh.edu.pl/maglay/wrona/ Szukane: U,(t) u,(t) Rozwiązanie: Współczynniki
http://layer.uci.agh.edu.pl/maglay/wrona/ 5 6 7    8    9 Zatem
http://layer.uci.agh.edu.pl/maglay/wrona/SPIS TREŚCI 1.Definicja linii
(8) http://layer.uci.agh.edu.pl/maglay/wrona/ 5.2. Prędkość rozchodzenia się fali Dla linii
http://layer.uci.agh.edu.pl/maglay/wrona ciążenia i jest silniej przesterowany prądem bazy. Napięcie
http://layer.uci.agh.edu.pl/maglay/wrona/ 3.3.1 Przesuwamy odcinek pokrętłami POSITION (dla
http://layer.uci.agh.edu.pl/maglay/wrona ZAGADNIENIA DO KOLOKWIUM Z UKŁADÓW KOMBINACYJNYCH I
http://layer.uci.agh.edu.pl/maglay/wronaSPIS TREŚCI 1.    SYMBOLE PODSTAWOWYCH BRAMEK
http://layer.uci.agh.edu.pl/maglayAviona ZAGADNIENIA DO KOLOKWIUM Z LICZNIKÓW I AUTOMATÓW Liczniki
http: //I ay er .uci. agh. edu. pl/maglay/wrona/ obwodów drukowanych na dwustronnych laminatach z ży
http ://l ay er. uci. agh. edu. pl/ maglay/wrona sów jest mniejszy od czasu propagacji sygnału w bra
http ://l ay er. uci. agh. edu. pl/ maglay/wrona gorszym przypadku określa największą amplitudę sygn
http ://l ay er. uci.agh.edu. pl/maglay/wrona 3.4. ZGODNOŚĆ ŁĄCZENIOWA I OBCIĄŻALNOŚĆ System cyfrowy
http: //I ay er. uci. agh. edu. pl/ maglay/wrona Seria Technologia izolacji złączowej z domieszkow
http ://l ay er. uci. agh. edu. pl/ maglay/wrona 4.1.1.1. Stan włączenia (niski stan na wyjściu bram

więcej podobnych podstron