wtórnik emiterowy, wtórnik1, AKADEMIA TECHNICZNO-ROLNICZA w BYDGOSZCZY


AKADEMIA TECHNICZNO-ROLNICZA w BYDGOSZCZY

Instytut Telekomunikacji i Elektrotechniki

ZAKŁAD PODSTAW ELEKTRONIKI

Nazwisko i Imię:

Laboratorium elementów i układów elektronicznych

  1. Kurczewski Mariusz

2. Talaśka Tomasz

Temat: Wtórnik emiteroey

Nr grupy L3 Semestr V

Data wyk.ćw. Data oddania spr. Ocena

12.10.1999 19.10.1999

Instytut :Podstaw Elektroniki

Wykaz przyrządów:

1.Pomiary

1. Pomiar wzmocnienia napięciowego oraz rezystancji wejściowej i wyjściowej wtórnika emiterowego.

1.1. Schemat 1 układu pomiarowego.

1.1.1. Zestawienie wyników pomiarów dla układu 1.

f

[Hz]

1

10

UI

[V]

1,0032

1,0036

II

[μA]

12,051

12,13

U0

[V]

0,9773

0,9760

U0'

[V]

0,9381

0,934

KU

0,9773

0,9762

RI

[kΩ]

83,2

82,7

R0

[Ω]

6,27

5,75

U0*

[V]

0,9837

0,9824

UI*

[V]

1,0065

1,0064

U0*, UI* -wartości napięć bez rezystora R13=47 kΩ.

1.1.2. Przykłady obliczeń.

1.2. Schemat 2 układu pomiarowego.

1.2.1. Zestawienie wyników pomiarów dla układu 2.

f

[Hz]

1

10

UI

[V]

II

[μA]

U0

[V]

U0'

[V]

KU

0,9924

0,9831

RI

[kΩ]

R0

[Ω]

U0*

[V]

0,9835

0,9831

UI*

[V]

0,991

1,00

U0*, UI* -wartości napięć bez rezystora R13=1,5 kΩ.

5. Wnioski .

W trakcie przeprowadzanego ćwiczenia zdejmowaliśmy charakterystyki tranzystora polowego J-FET . Na charakterystyce wyjściowej zauważamy silną zależność prądu drenu od wartości napięcia UGS , co związane jest z zawężaniem kanału i wchodzeniem tranzystora w stan nasycenia przy znacznie mniejszym ID . Na charakterystyce przejściowej natomiast obserwujemy nieliniowy spadek prądu drenu wraz ze wzrostem ujemnego napięcia polaryzacji bramki UGS . Spadek wartości ID związany jest ze zmniejszeniem przekroju kanału ( wzrostem jego rezystancji ) .

W punkcie 1.1.4 badaliśmy właściwości tranzystora dla małych wartości napięcia UDS przy UGS = const . Po zdjęciu rodziny charakterystyk okazuje się , że są one w zasadzie liniowe . Tranzystor zachowuje się jak liniowa rezystancja sterowana napięciem UGS . Właściwość ta występuje dla dodatnich , jak i ujemnych wartości napięcia UDS , tak długo jak długo to napięcie jest dostatecznie małe , aby zmiana potencjału w kanale mogła być pomijalnie mała. .W tym zakresie pracy tranzystory mogą być stosowane w sterowanych napięciem tłumikach lub jako elementy regulowanych przesuwników fazowych .

W kolejnym punkcie ćwiczenia sprawdzaliśmy wpływ dodatniego sprzężenia zwrotnego na liniową pracę tranzystora . Okazuje się , że po dołączeniu rezystorów do bramki i między dren , a bramkę zakres pracy tranzystora jako rezystora sterowanego napięciem dla niewielkich UDS , zwiększa się kilkakrotnie. Ponadto charakterystyka tranzystora jest bardziej liniowa niż w przypadku braku elementów zewnętrznych . Sprawdziliśmy także zależność rezystancji kanału od napięcia UGS .

Z wykreślonych charakterystyk wynika , że rezystancja kanału rośnie ze wzrostem napięcia UGS , co spowodowane jest zmniejszeniem przekroju kanału na skutek wnikania warstwy zaporowej . Wprowadzone sprzężenie zwrotne ma również wpływ na wartość rezystancji kanału powodując jej wyrażne zmniejszenie .



Wyszukiwarka