186 187

186

m	lUOANIt				WWWANtt AÓWN0U6K	IHOWANK	miHEt SJWJłW
	A/J	NA IMCtO	M	U
t-NTOW SMABW	A A A S s	ł 1 ł ł ł	U a n ts		A A s s	A A A A $	TMJ.Iwij " v>m 7AII7 7MW 7A1U
a-mtow MHMUft KWtKUNY	s i $	ł ł j	ii a a		s A A	A	7Utt im 7MH
KICAM	A A A S s	ł ł ł ł	u a a n n		A A 5 S	A A A A S	TAIO.SliO 7M79 7AIK TAIŁO 7WSI
KKAM KWTOWNA	i i J	~~r~ ł i	ti a a		i A A	A	liIH 7MW 7MH
JTte STANÓW	A	t	tt		—	A	7*92

Rys. 5*71* liczniki w serii 7'*’. Oznaczenia! i - asynchroniczne, S - synchroniczne

5.10. PAMIĘCI ZAPIS/ODCZYT

Są to pamięci, w których dowolna informacja może być zapisywana lub odczytywana z jednakową łatwością 1 szybkością, Czas, jaki upływa od podania adresu wybranej lokacji pamięci do chwili pojawienia się na wyjściu informacji przechowywanej pod tym adresem, nosi nazwę czasu dostępu t_A (Access tima). Odczytywana informacja musi być stabilna przez czas t_p (Reąd tlme) wymagany przez układy korzystające z tej pamięci; wymaga to utrzymywania stabilnego adresu przez okres t_pę zwany czasem cyklu czytania (Read Cycle time).

W celu zapisania informacji w pamięci należy podać adres, a po czasie i t^y impuls zapisu o wymaganym minimalnym czasie trwania t^_p (Write Pulse time), podczas którego dane wejściowe muszą oczywiście być stabilne. Czas Cyklu zapisu t_wc (Write Cycle time) Jest więc sumą t_AW i t^_p - patrz rys. 5*72. (Powyższe dotyczy głównie tzw. pamięci statycznych. Cykle pamięci dynamicznych są bardziej złożone i nie będziemy ich tu omawiali.) Zazwyczaj t_w(, » t_{RC ain} = t_A, co sprawia, że czas dostępu jest najpowszechniej stosowanym, parametrem dynamicznym pamięci.

najbardziej pożądanym rodzajem pamięci jest taka, którtfj czas dostępu Jest stały dla wszystkich adresów. Jest to tzw. n«mlać o dostępnie swobodnym (Random Access -Memory = RAM), w której nośnik informacji ma postać matrycy jednobltowych -komórek pamięciowych ułożonych w wiersze i kolumny. Kazwa RAM stosowana Jeąt najczęściej zamiast określenia - pamięć zapis/od-czyt, choć nie jest tcrfpoprawne (ROM jest przecież także pamięcią o dostępnie swobodnym).

cm

PHOtWTU

- mmmmmi—>»rsg

ani:

mon/

/UKT

WORMACJA ' WAlMA

WSCS.

Rys. 5.72. Wykresy czasowe cyklu czytania i zapisu

Spośród różnych typów pamięci RAM, Jak np. ferrytowa, cienkowarstwowa czy półprzewodnikowa, w układach cyfrowych ogólnego przeznaczenia stosuje się obecnie tylko te ostatnie i nimi tylko będziemy się zajmować. Pominiemy również pamięci masowe, Jak dyski i kasety magnetyczne, ponieważ stanowią one odrębne gotowe urządzenia dołączane do układu cyfrowego i omawianie ich wybiega poza zakres tego skryptu.

Zależnie od sposobu realizacji półprzewodnikowych komórek pamięciowych, rozróżniamy pamięci statyczne i dynamiczne.

5.10.1. Pamięci statyczne RAM

Komórka pamięci statycznej Jest prostym przerzutnikiem utworzonym z dwóch wzmacniaczy inwersyjnych. Schemat komórki pamięci bipolarnej przedstawiony Jest na rys. 5*73a. Komórka wybierana Jest koincydencyjnie przez wymuszenie poziomu H w obu liniach adresowych 3^ i Y_m. Stan komórki odczytywany Jest za pomocą dwu linii bitowych B i 5; w stanie 1 przewodzi tranzystor w stanie 0 przewodzi Tg. Podczas odczytu, przy 3^ = Y_m = H, pojawia się prąd w tej linii bitowej, która połączona Jest z trzecim emiterem tranzystora aktualnie przewodzącego. Podczas zapisu, również przy Zjj = Y_m = H, należy wymusić B = L i 5 = H, Jeżeli ma być zapisana 1, zaś B = H i 5 = L, Jeżeli ma być zapisane 0. Żądany stan zostaje zapamiętany z chwilą, gdy którakolwiek z linii adresowych przejdzie w stan L przejmując na siebie prąd tranzystora przewodzącego.

Komórka statycznej pamięci NMOS przedstawiona Jest na rys. 5.73b.Tranzystory Tj i T^ -pełnią rolę obciążeń tranzystorów T^ i Tg, co razem two-

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
186 187 186 Kliniczne problemy okolic ciała zach połączonych z zewnętrznym „wytaczaniem” głowy. Wida
186 187 (2) 186 Rozdział 22Odpowiedzi na test drugi Sprawdzając swoje rozwiązania, możesz stwierdzić
186,187 lSb Pomoc (Ilu uzależnionych najważniejsze jest to, aby młody człowiek miał poczucie, że jes
59793 New Forms Taschen 175 Ptgn 186/187 Shin Takamatsu Kirin Płaza Osaka. Japan, 1985-87 Locat
186 187 186 a m III Cl
186 187 (O.jDobierz rysunki do zjawisk: .rTprostoliniowości rozchodzenia się światła, 5" l
186,187 18b Potttoc iIhi uzależnionych najważniejsze jest to, aby młody człowiek miał poczucie że je
186 187 Dobierz rysunki do zjawisk: prostoliniowości rozchodzenia się światła, 5" i) odwra
570,571 Indeks rzeczowy Aktant 292 zob. Model -► Greimasa m. a. Alegoria 186-187,375 Analiza 49, 60
13356 str 186 187 pruskie flinty z bagnetem, cylindrowym stemplem i lejkowatą panewką, bijące na odl
186 187 2 Zbiornik odsprzęglający pełni w tej instalacji funkcję sprzęgła cieplnego oraz akumulatora

więcej podobnych podstron