I TERMIN 2 (2)

9) Narysuj układ polaryzacji tranzystora bipolarnego n-p-n ze sprzężeniem emiterowym. Oznacz źródła napięcia stałego, rezystory i podaj wzór okroślajflcy przybliżoną wartość prądu kolektora.

10) Narysuj schemat zastosowania wzmacniacza operacyjnego w układzie (topologii) wzmacniacza odwracającego. Oznacz oporniki i podaj relację określającą wzmocnienie układu.

,/    ^:    -< r*    i"'-'’    • •

B. Na ocenę wyższa - część B będzie oceniana tylko pod warunkiem udzielenia bezbłędnych odpowiedzi na

wszystkie zadania z części A.

11)    Narysuj schemat wzmacniacza ze wspólną bazą oraz jego schemat małosygnałowy w zakresie wielkich częstotliwości, podaj relacje określające wzmocnienie oraz górną częstotliwość graniczną tego wzmacniacza.

12)    (*) Narysuj schemat wzmacniacza różnicowego z parą tranzystorów n-FET zasilanego ze źródła prądowego o wydajności I = 14 mA. Zaznacz wyjścia odwracające i nieodwracające. Podaj wzmocnienia układu dla obu wyjść wzmacniacza. Przyjmij, że zastosowano tranzystory o parametrach: | loss| =10 mA, |Ugstl = |Ut| =3V.

13)    (*) Narysuj schemat pętli PLL z filtrem RC. Podaj (przyjmij) zależności określające charakterystyki bloków pętli, a następnie podaj zależności określające zakres trzymania i chwytania pętli.

14) (*) Zaprojektuj wzmacniacz selektywny o częstotliwości rezonansowej 768 kHz oraz dobroci charakterystyki Q= 20. Przyjmij, że dysponujemy cewką o indukcyjności L = 80 pH i dobroci Ql = 300.

15)    (*) Zaprojektuj układ wzmacniacza nieodwracającego o wzmocnieniu równym 10. Podaj wartość górnej częstotliwości granicznej, jeśli pole wzmocnienia zastosowanego wzmacniacza operacyjnego wynosi GB = 99 MHz.

C. Zaliczenie z laboratorium otrzymają osoby, które odpowiedzą bezbłędnie na wszystkie pytania w części A oraz co najmniej na 2 pytania oznaczone (*) w części B.

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
bipol st prad emitera 16. Narysuj układ polaryzacji tranzystora bipolarnego ze stałym prądem emitera
tranz sprzezenie kolektorowe 16. Narysuj układ polaryzacji tranzystora ze sprzężeniem kolektorowym (
unipol zerowe napiecieUgs 14. Narysuj układ polaryzacji tranzystora unipolarnego zerowym napięciem I
tranz staly prad emitera2 16. Narysuj układ polaryzacji emitera (lp) Q tranzystora ze stałym prądem
tranz staly prad emitera 16. Narysuj układ polaryzacji emitera (lp) S 7
17. Narysuj modele hybryd p tranzystora bipolarnego obowiązujące dla: a) niskich i średnich
6.1. PODZIAŁ TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH. Ze względu na wydzielaną moc, tranzystory dzielimy na: •
6.1. PODZIAŁ TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH. Ze względu na wydzielaną moc, tranzystory dzielimy na: •
Laboratorium Elektroniki cz I 4 204 Należy dodać, że sprzężenie emiterowe jest skuteczne przy stos
Laboratorium Elektroniki cz I 3 202 b) Rys. 11.5 Wzmacniacz rezystancyjny OE ze sprzężeniem emiter
Laboratorium Elektroniki cz I 4 204 204 rr,a
Laboratorium Elektroniki cz I 3 202 Rys. 11.5. Wzmacniacz rezystancyjny OE ze sprzężeniem emiterow

więcej podobnych podstron