Laboratorium Elektroniki cz I 2

180

- diody o małym czasie opadania tf, stosowane do formowania bardzo stromych im. pulsów prostokątnych. Całkowity czas przełączania nie ma w tych diodach więk. szego znaczenia, natomiast ważne jest, aby t*/t_s « 1.

Takie własności ma tzw. .dioda ładunkowa”, tj. złącze p-n o specjalnym profilu domieszkowania zapewniającym powstanie „wbudowanego" hamującego pola elektrycznego.

9.2.2. Przełączanie tranzystora bipolarnego

W układach impulsowych tranzystor spełnia często rolę bezstykowego przekaźnika, pracując najczęściej w układzie WE. Tranzystor posiada w tej roli dwa stany stabilne: jest to stan załączenia (na rys. 9.3 punkt A) odpowiadający załączeniu styków przekaźnika i stan zablokowania (punkt B na rys. 9.3) odpowiadający rozwarciu

Rys 9.3. Badanie procesów zachodzących przy przełączaniu tranzystora bipolarnego: a) układ pomiarowy, b) ilustracja stanów ustalonych odpowiadających załączeniu i wyłączeniu tranzystora na jego charakterystykach wyjściowych

styków przekaźnika. Tranzystor jest tym lepszym analogiem przekaźnika, im mniejsze jest napięcie nasycenia UcEsat i im mniejszy jest prąd zerowy Ico- Ponieważ przejścia pomiędzy stanami A i B odbywają się szybko, prosta obciążenia wynikająca z napięcia zasilania Ucc i rezystancji obciążenia może przechodzić ponad hiperbolą mocy dopuszczalnej tranzystora. Przebiegi czasowe prądów i napięć w układzie z rys. 9.3a przy prostokątnym napięciu wymuszającym E_g przedstawia rys. 9.4. Przy załączaniu tranzystora w chwili t = 0 początkowo przebieg prądu bazy ib związać jest z procesem ładowania pojemności złączowych. Po zakończeniu ładowania tych pojemności rozpoczyna się proces włączania prądu kolektorowego. Napięcie i P^r^^d bazy ustalają się na poziomach określonych statyczną charakterystyką wejściową

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz I 2 60 ich wartości nie zależą od częstotliwości. Spośród wielu parame
Laboratorium Elektroniki cz I 2 260 BF 519, n-p-n, Si, epiplanarny, w.cz., średnia moc Parametr
Laboratorium Elektroniki cz I 2 40 2. Temperaturowy współczynnik napięcia stabilizacji TKUz (p) -
Laboratorium Elektroniki cz I 2 60 ich wartości nie zależą od częstotliwości. Spośród wielu parame
Laboratorium Elektroniki cz I 2 260 BF 519, n-p-n, Si, epiplanarny, w.cz., średnia moc Parametr
Laboratorium Elektroniki cz I 2 40 2. Temperaturowy współczynnik napięcia stabilizacji TKUz ((3) -
Laboratorium Elektroniki cz I 2 120 Rys. 6.7. Zależność prądu fotoelektrycznego fotodiody lF od na

więcej podobnych podstron